Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej

• Autorzy: Dreas A. , Gordon R.

Identyfikatory

DOI

10.26357/BNiD.2018.045

Warianty tytułu

EN

The influence of the voltage of the IGBT power supply on the acoustic emission signal received

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.

EN

This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.

Słowa kluczowe

PL

półprzewodniki; tranzystory IGBT; emisja akustyczna

EN

semiconductor; IGBT Transistor; Acoustic Emission

• Wydawca: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
• Czasopismo: Badania Nieniszczące i Diagnostyka
• Rocznik: 2018
• Tom: nr 4
• Strony: 62--64
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Dreas A.

• Akademia Morska w Szczecinie

autor

Gordon R.

• Akademia Morska w Szczecinie

Bibliografia

• [1] Z. Ranachowski, Emisja akustyczna w diagnostyce obiektow technicznych, Drogi i mosty R. 2 2012 (105).
• [2] L. Hasse, L. Spiralski, J. Šikula, Pomiar i obrobka sygnałow emisji akustycznej w diagnostyce obiektow, XIV Seminarium Zastosowanie komputerow w nauce i technice 2004 (100).
• [3] P. Lajmert, B. Kruszyński, Identyfikacja wczesnych symptomow niepożądanych stanow procesu w szlifowaniu kłowym wałkow, Inżynieria Maszyn, R. 15, z. 4, 2010 (102).
• [4] F. Witos, A. Olszewska, System do analizy sygnałow emisji akustycznej generowanych przez wyładowania niezupełne w izolacji transformatorow elektroenergetycznych, Przegląd elektrotechniczny (Electrical Review), R. 88 NR 11b/2012, pp 154-157, 2012 (103).
• [5] Z. Ranachowski, „Emisja akustyczna i jej zastosowanie w technice”, Nowa Elektrotechnika, no. 9 (73) pp 2-5, 2010.
• [6] IRG 4PC40S, IGBT transistor, International Rectifier, data sheet .
• [7] S. Zhou, L. Zhou, P. Sun, “Monitoring Potential Defects in an IG BT Module Based on Dynamic Changes of the Gate Current”, Ieee Transactions On Power Electronics, vol. 28, no. 3, MARC H 2013 (009).
• [8] AE- Sensor Overview, WSAlfa, Phisical Acoustics data sheet.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).