Metoda Czochralskiego

• Autorzy: Pajączkowska A
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Z okazji 100-lecia odkrycia metody wzrostu kryształów znanej dzisiaj jako „metoda Czochralskiego” przedstawiono krótki życiorys profesora dr Jana Czochralskiego z podkreśleniem jego tragicznej historii związanej z oskarżeniami. Dopiero w 2011 roku decyzją Senatu PW zostały one odwołane i staraniem wielu towarzystw naukowych i społeczności miasta Kcynii rok 2013 został uznany przez Sejm RP - Rokiem Jana Czochralskiego. Ostatecznie nastąpiło przywrócenie dobrego imienia Profesorowi i należne mu miejsce w społeczności akademickiej Politechniki Warszawskiej. W dalszej części są opisane zasady metody wzrostu kryształów opracowanej przez Jana Czochralskiego w 1916 roku i jej historyczny rozwój. Metoda ta polega, na swobodnym wzroście monokryształu, wyciąganego z cieczy w kierunku przeciwnym do sił grawitacji i jest stosowana do bardzo wielu pierwiastków, związków binarnych i wieloskładnikowych. Otrzymywane monokryształy są szeroko stosowane w technice użytkowej.

Słowa kluczowe

PL

metoda wzrostu kryształów; swobodny wzrost monokryształu; monokryształy

• Wydawca: Polskie Towarzystwo Fizyczne
• Czasopismo: Postępy Fizyki
• Rocznik: 2016
• Tom: T. 67, z. 1-2
• Strony: 2--8
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys.

Twórcy

autor

Pajączkowska A

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME), Zakład Technologii Monokryształów Tlenkowych
• Polskie Towarzystwo Wzrostu Kryształów, Warszawa

Bibliografia

• [1] G. K. Teal, J. B. Little, Phys. Rev. 78 (1950) 647.
• [2] patent zgłoszony June 29,1951; E. Buehler, G. K. Teal nr 2, 768, 914, przyznany 30 October 1956
• [3] W. von Möllendorff, J. Czochralski, Zeitschrift des Ve-reines deutscher Ingenieure (VDI) 57 (1913) 931.
• [4] J. Czochralski, Z. Phys. Chem. 92 (1918)219
• [5] H. Walther, Rev. Sci.Instrum. 8 (1937) 406.
• [6] J. Evans, Phys. Rev. 57 (1940) 47.
• [7] J. Scheel, „Historical aspects of crystal growth techno-logy”, J. Cryst. Growth 211 (2000)1.
• [8] P. Hartman, w: Morphogy of Crystals, Część A, wyd. I. Sunagawa (Terra Scientific, Tokio and Reidel, Do-rdrecht 1988)rozdz. 4, str. 269-319; P. Hartman in: Cry¬stal Growth: An Introduction, Ed. P. Hartman (North Holland, Amsterdam, 1973) rozdz. 14 str. 367-42],
• [9] S. Ganschow, D. Schultz, D. Klimm, R. Bertram, R. Uec-ker, Cryst. Res. Technol. 45 (2010) 1219.
• [10] Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, M. Albrecht, D. Klimm, M. Pietsch, M. Brutzam, R. Bertram, S. Gan-schow, R. Fornari, Cryst.Res. Technol. 45 (2010) 1229.
• [11] A. Pajączkowska i H. Juskowiak, J. Cryst. Growth 79 (1986) 421.
• [12] Ya. Zhydachevskii, A. Suchocki, M. Berkowski, D. Su- gak, A. Luchechko, S. Warchol, J. Cryst. Growth 310 (2008) 3219.
• [13] G. B. Loutts, M. Warren, R. Taylor, R. R. Rachimov, H. R. Ries, G. Miller, M. A. Noginov, M. Curley, N. No- ginova, N. Kutchtarev, H. J. Caulfield, P. Venkateswarlu, Phys. Rev. B 57 (1998) 3706.
• [14] A. Pajączkowska, A. Gloubokov, Prog. Cryst. Growth Charact. 36 (1998) 123.
• [15] A. Pajączkowka, A. Novoselov, D. Klimm, E. Talik, R. Uecker, Cyst. Growth and Design 4 (2004) 497.
• [16] A. Gloubokov, R. Jabłoński, W. Ryba-Romanowski, J. Sass, A. Pajączkowska, R. Uecker, P. Reiche, J. Cryst. Growth 147 (1995) 123. 

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).