Determination of Cu(In,Ga)(S,Se)2–solar cell parameters from quantum efficiency spectra

• Autorzy: Tivanov M. , Moskalev A. , Patryn A.

Warianty tytułu

PL

Wyznaczanie parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych z widma wydajności kwantowej

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A method for calculation of the Cu(In,Ga)(S,Se)2-layer parameters (space-charge region width, diffusion length, built-in potential and concentration of non-compensated acceptors) in solar cell is proposed. The method is based on analysis of the quantum efficiency spectra within the framework of a solar-cell unidimensional model.

PL

Zaproponowano metodę wyznaczania parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych (szerokość obszaru ładunku przestrzennego, długość drogi dyfuzji nośników, wbudowane pole elektryczne, koncentracja nieskompensowanych domieszek akceptorowych). Metoda bazuje się na analizie widma wydajności kwantowej ogniwa w ramkach modelu jednowymiarowego.

Słowa kluczowe

EN

CIGSS; space-charge region width; diffusion length; solar cell; applied voltage

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 188--190
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Tivanov M.

• Belarusian State University, Faculty of Physics, Bobrujskaja 5, 220030 Minsk

autor

Moskalev A.

• Belarusian State University, Faculty of Physics, Bobrujskaja 5, 220030 Minsk

autor

Patryn A.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. JJ Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

Bibliografia

• [1] Sze S.M., Physics of semiconductor devices, A Wiley-Interscience Publication, New York, 1981
• [2] Mackel H., Cuevas A., The spectral response of the opencircuit voltage: a new characterization tool for solar cells, Solar Energy Materials & Solar Cells 81, 225-237, 2004
• [3] Contreras M.A., Romero M.J., To B., Hasoon F., Noufi R., Ward S., Ramanathan K., Optimization of CBD CdS process in high-efficiency Cu(In,Ga)Se2-based solar cells, Thin Solid Films 403-404, 204-211, 2002
• [4] Klenk R., Schock H.-W., Bloss W.H., Photocurrent collection in thin film solar cells - caluculation and characterization for CuGaSe2/(Zn,Cd)S, Proceedings of 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1588-1591, 1994
• [5] Klenk R., Characterisation and modelling of chalcopyrite solar cells, Thin Solid Films 387, 135-140. 2001
• [6] Gloeckler M., Fahrenbruch A.L., and Sites J.R., Numerical Modeling of CIGS and CdTe Solar Cells: Setting the Baseline, Proc. World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion 3, 491-494, Osaka, Japan, May 2003
• [7] Gloeckler M., Device physics of Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells, Fort Collins, Colorado, 2005
• [8] Brown G., Faifer V., Pudov A., Anikeev S., Bykov E., Contreras M., Wu J., Determination of the minority carrier diffusion length in compositionally graded Cu(In,Ga)Se2 solar cells using electron beam induced current, Applied Physics Letters 96, 022104. 2010
• [9] Lux-Steiner M.Ch., Ennaoui A., Fischer Ch.-H., Jager-Waldau A., Klaer J., Klenk R., Konenkamp R., Matthes Th., Scheer R., Siebentritt S., Weidinger A., Processes for chalcopyrite-based solar cells, Thin Solid Films 361-362, 533-539. 2000
• [10] Tivanov M., Astashenok L., Fedotov A., Effect of absorbing layer thickness on efficiency of solar cells based on Cu(In,Ga)(S,Se)2, Przegląd Elektrotechniczny (Electrical Review) R. 88, 99-101. 2012
• [11] Movla H., Optimization of the CIGS based thin film solar cells: Numerical simulation and analysis, Optik 125, 67-70. 2014
• [12] Jarzembowski E., Maiberg M., Obereigner F., Kaufmann K., Krause S., Scheer R., Optical and electrical characterization of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with varied absorber layer thickness, Thin Solid Films 576, 75-80. 2015
• [13] Durante Rincon C.A., Hernandez E., Alonso M.I., Garriga M., Wasim S.M., Rincon C., Leon M., Optical transitions near the band edge in bulk CuInxGa1−xSe2 from ellipsometric measurements, Materials Chemistry and Physics 70, 300-304, 2001
• [14] Lile D.L., Davis N.M., Semiconductor profiling using an optical probe, Solid-State Electronics 18, 699-704. 1975