Zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora i szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora

Półtorak, B.; Szatkowski, J.

doi:10.15199/ELE-2014-030

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora i szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora

Autorzy

Półtorak B. , Szatkowski J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-030

Warianty tytułu

Latch-up and transient latch-up

Języki publikacji

Abstrakty

Miniaturyzacja układów scalonych powoduje pojawienie się zjawisk fizycznych, które mogą powodować uszkodzenia układów. Zjawiskiem takim jest szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora. Zjawisko to do tej pory nie było opisywane w literaturze polskojęzycznej, dlatego będzie tutaj przybliżone zaczynając od wytłumaczenia zatrzaskiwania się układów (Latch-up) wewnętrznego i zewnętrznego, jak i pozytywnego i negatywnego wstrzykiwania nośników, a następnie zostanie wytłumaczone szybkiego zatrzaskiwania się pasożytniczego tyrystora wewnętrznego i zewnętrznego, jak i pozytywnego i negatywnego wstrzykiwania nośników. Opisane będą również impulsy wywołujące zjawisko zatrzaskiwania się pasożytniczych tyrystorów.

Miniaturization of Integrated Circuits is a source of physical effects that can cause damages inside operating IC.. One example of such a phenomena is transient latch-up. This phenomena was not described in polish language literature and wil be described in in this paper. We will start from explaining internal and external latch-up effect where positive and negative injection will be considered. In the next steps internal and external transient latch-up phenomena will be described where positive and negative injection will be considered.

Słowa kluczowe

latchup pasożytniczy tyrystor tyrystor ESD wyładowania elektrostatyczne układ scalony prostownik

latchup latch transient latch-up LU TLU IC integrated circuits SCR silicon control rectifier thyrystor

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2014

Tom

Vol. 55, nr 5

Strony

79--84

Opis fizyczny

Bibliogr. 2 poz., rys.

Twórcy

autor

Półtorak B.

WMII UWM, Olsztyn

autor

Szatkowski J.

Infineon Technologies AG, Germany

Bibliografia

[1] Domański Krzysztof, dysertacja “Transient Latch-up in modern sub-μ technology”, 2006 UMK.
[2] Segura Emerson; Thompson Brad; Granville, Fran. EDN Europe, Sep2005, Vol. 50 Issue 9, p. 66–66, 1p.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-6e52081c-1714-4a8a-979c-c0ec2adec3e4