Nowe niskostratne drajwery tranzystorów MOSFET mocy

• Autorzy: Legutko P.

Warianty tytułu

EN

The new low-losses power MOSFET drivers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono analizę właściwości, badania eksperymentalne i realizację wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Przebadano dwa scalone, wysokoczęstotliwościowe drajwery dostępne na rynku o ozna-czeniachDEIC420 i DEIC515 oraz zaprojektowano dwa dyskretne układy własnej konstrukcji. Badania eksperymentalne przeprowadzono pod kątem analizy strat mocy oraz czasów przełączeń poszczególnych układów.

EN

This paper presents a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications. In the project tested two inte-grated drivers DEIC420, DEIC515, and additionally two discrete drivers 8xUCC27526and 4xFDMQ8203have been designed. The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.

Słowa kluczowe

PL

sterownik bramkowy; analiza; straty mocy; tranzystor MOSFET mocy

EN

Gate Driver; analysis; Power Losses; Power MOSFET Transistor

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
• Rocznik: 2013
• Tom: z. 2-3
• Strony: 67--77
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Legutko P.

• Politechnika Śląska, Wydział Elektryczny, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice

Bibliografia

• 1.Balogh L.:Design and Application Guide For High Speed MOSFET Gate Driver Circuit. International Rectifier, Dokumentacja techniczna.
• 2.Jurczak W.: Analiza właściwości falownika klasy E przy maksymalnych częstotliwościach przełączania tranzystorów mocy MOSFET. Praca doktorska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, Politechnika Śląska, Gliwice 2010.
• 3.Kaczmarczyk Z.: Poprawa właściwości energetycznych falowników klasy E przez maksymalizacje wykorzystania tranzystora. Rozprawa habilitacyjna. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej, Gliwice 2007.
• 4.Legutko P.: Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy. „Przegląd Elektrotechniczny”2014 nr 5, s. 229-235.
• 5.Legutko P.: Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy. „Pomiary Automatyka Kontrolna” 2014 Nr 3, s.188-191.
• 6.Dokumentacja techniczna tranzystora DE275-501N16A dostępna pod adresem: http://www.ixys.com/PartSearchResults.apx?searchStr=501N16A&SearchSubmit=Go
• 7.Dokumentacja techniczna układu UCC27526 dostępna pod adresem: http://www.ti.com/product/ucc27526.
• 8.Dokumentacja techniczna tranzystora FDMQ8203 dostępna pod adresem: https://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ8203.pdf.
• 9.Dokumentacja techniczna drajwera scalonego DEIC420 dostępna pod adresem: http://www.ixys.com/PartSearchResults.aspx?searchStr=deic420&SearchSubmit=Go.
• 10.Dokumentacja techniczna drajwera scalonego DEIC515 dostępna pod adresem:http://www.ixys.com/PartSearchResults.aspx?searchStr=deic515&SearchSubmit=Go.