PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Estimation of optical parameters of silicon single crystals with different orientations

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Optical properties of Si single crystals with different orientations (1 0 0) and (1 1 1) were investigated using spectrophotometric measurements in a spectral range of 200 nm to 2500 nm. The data of optical absorption revealed an indirect allowed transition with energy gap of 1.1 ± 0.025 eV. An anomalous dispersion in addition to a normal dispersion was observed in the spectra of refractive index. The normal dispersion of the refractive index was discussed according to Wemple-DiDomenico single oscillator model. The oscillator energy Eo, dispersion energy Ed, high frequency dielectric constant ϵ, lattice dielectric constant ϵL and electronic polarizability αe were estimated. The real ϵ1 and imaginary ϵ2 parts of dielectric constant were also determined.
Wydawca
Rocznik
Strony
65--70
Opis fizyczny
Bibliogr. 18 poz., rys., tab.
Twórcy
  • Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy 11757, Cairo, Egypt
autor
  • Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy 11757, Cairo, Egypt
Bibliografia
  • [1] AL-NAIMEE K.A., Indian J. Sci. Technol., 3 (2010), 308.
  • [2] SOKOLOV V.I., SHELYKH A.I., Tech. Phys. Lett.+, 34 (2008), 196.
  • [3] PUZDER A., WILLIAMSON A.J., GROSSMAN J.C., GALLI G., J. Chem. Phys., 117 (2002), 6721.
  • [4] PAWLAK B.J., GREGORKIEWICZ T., AMMERLAAN C.A.J., TAKKENBERG W., TICHELAAR F.D., ALKEMADE P.F.A., Phys. Rev. B, 64 (2001), 115308.
  • [5] EL-NAHASS M.M., ATTA A.A., EL-SAYED H.E.A., EL-ZAIDIA E.F.M., Appl. Surf. Sci., 254 (2008), 2458.
  • [6] EL-NAHASS M.M., YOUSSEF S.B., ALI H.A.M., J. Optoelectron. Adv. M., 13 (1) (2011), 76.
  • [7] GIULIO DI M., MICOCCI G., RELLA R., SICILIANO P., TEWRE A., Phys. Status Solidi A, 136 (1993), KlOl.
  • [8] PANKOVE J.I., Optical Processes on semiconductors, Prentice-Hall, New York, 1971.
  • [9] TAUC J., Amorphous and liquid semiconductors, Plenum Press, New York, 1974.
  • [10] MOSS T.S., Optical Properties in semiconductor, Butter Worths, London, 1959.
  • [11] WAKAKI M., KUDO K., SHIBUYA T., Physical Properties and Data of Optical Materials, CRC, New York, 2007.
  • [12] EL-GOHARY Z., EL-NAHASS M.M., SOLIMAN H., EL-KADY Y.L., J. Mater. Sci. Technol., 19 (2003), 77.
  • [13] WEMPLE S.H., DIDOMENICO M., Phys. Rev. B, 3 (1971), 1338.
  • [14] WEMPLE S.H., Phys. Rev. B, 7 (1973), 3767.
  • [15] SHARMA P., VASHISTHA M., JAIN I.P., Chalcogenide Lett., 2 (2005), 115.
  • [16] ANDRE J.J., SIMON J., Molecular Semiconductors, Spring-Verlag, Berlin, 1985.
  • [17] GONZALEZ-LEAL J.M., VLCEK MIR., PRIETOALCON R., STRONSKI A., WAGNER T., MARQUEZ E., J. Non-Cryst. Solids, 326 – 327 (2003), 146.
  • [18] CAGLAR M., ILICAN S., CAGLAR Y., Phys. Macedonica, 56 (2006), 49.
Uwagi
PL
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-6c60f48a-e21a-4bde-be34-82ab600fb465
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.