Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

The influence of the electronic equipment housing on the transient thermal impedance of power MOSFETs

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki badań eksperymentalnych dotyczących wpływu obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS umieszczonego w takiej obudowie. Opisano sposób realizacji pomiaru przejściowej impedancji termicznej rozważanych tranzystorów, a także opisano zastosowany układ pomiarowy. Wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej badanego tranzystora i przeanalizowano wpływ materiału obudowy na wartości tych parametrów.

EN

In the paper the investigations results concerning the influence of the electronic equipment housing on the transient thermal impedance of the power MOSFET situated in such housing are presented and discussed. The manner of the realization of the measurement of the transient thermal impedance of considered transistors is described, and the used measuring set is presented. Values of parameters of the model of the transient thermal impedance of the investigated transistor are calculated and the influence of a material used for the housing building on the value of these parameters is analysed.

Słowa kluczowe

PL

przejściowa impedancja termiczna; tranzystor mocy MOS; pomiary MOSFETs

EN

transient thermal impedance; power MOSFETs; measurements

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 111--113
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] W. Janke, „Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych”. WNT, Warszawa 1992.
• [2] J. Zarębski, „Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych”. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [3] Z. Lisik, „Zjawiska w strukturach półprzewodnikowych - metody ich modelowania”. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej, Łódź 2005.
• [4] A. Castellazzi, Y. C. Gerstenmaier, R. Kraus, G. K. M. Wachutka, “Reliability analysis and modeling of power MOSFETs in the 42-V- PowerNet”, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 21, 2006, No. 3, pp. 603-612.
• [5] F. F. Oettinger, D. L. Blackburn, “Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements”, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.
• [6] D. L. Blackburn, F. F. Oettinger, “Transient Thermal Response Measurements of Power Transistors". IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, IECI-22 (1976), No. 2, 134-141.
• [7] K. Górecki, J. Zarębski, „Drogi przepływu ciepła wydzielanego w elementach półprzewodnikowych do otoczenia”. Elektronika, Nr 12, s. 13-15.
• [8] A. Jurewicz, W. Janke, „Rezystancja termiczna elementów elektronicznych i jej zależność od temperatury”. Elektronika, Nr 9, 1994, s. 8-10.
• [9] K. Górecki, J. Zarębski, „Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS”. Przegląd Elektrotechniczny, R.85, Nr 4, 2009, S. 159-164.
• [10] K. Górecki, J. Zarębski, „System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych”. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Vol. 8 (2001), No. 4, s. 379-396.
• [11] V. Szekely, “A New Evaluation Method of Thermal Transient Measurement Results”. Microelectronic Journal, Vol. 28 (1997), No. 3, pp. 277-292.
• [12] K. Górecki, J. Zarębski, “Nonlinear compact thermal model of power semiconductor devices”. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, Vol. 33, No. 3, 2010, pp. 643-647.