Wykrywalność detektorów średniej podczerwieni wykonanych z supersieci InAs/GaSb

• Autorzy: Ciura Ł. , Kolek A. , Czuba K. , Jureńczyk J. , Jasik A. , Sankowska I. , Kaniewski J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.9.2

Warianty tytułu

EN

Detectivity of InAs/GaSb superlattice midwavelength infrared detectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule rozważono wpływ różnych typów szumów na wykrywalność detektora średniej podczerwieni wykonanego z supersieci InAs/GaSb. W rozważaniach uwzględniono wpływ układów polaryzacji i wzmacniania sygnału oraz różne rodzaje szumów występujące w detektorze. Wykrywalność detektora wyznaczono z uwzględnieniem szumu 1/f, szumu układu wzmacniania, szumu śrutowego i termicznego.

EN

This paper concerns the influence of various noise mechanisms on detectivity of midwavelength infrared detectors made of InAs/GaSb superlattice. Measurements and amplifying setup of the signal was been shown. The article provide basic characterization of the noise types which occur in infrared detectors. The real detectivity of the detector was been calculated taking into account various noise: 1/f noise, amplifying system noise, thermal noise, and finally shot noise.

Słowa kluczowe

PL

wykrywalność; detektory podczerwieni; supersieć InAs/GaSb; szum 1/f

EN

detectivity; InAsGaSb superlattice detectors; 1/f noise

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 57, nr 9
• Strony: 10--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Ciura Ł.

• Politechnika Rzeszowska, Zakład Podstaw Elektroniki

autor

Kolek A.

• Politechnika Rzeszowska, Zakład Podstaw Elektroniki

autor

Czuba K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Jureńczyk J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Jasik A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Sankowska I.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kaniewski J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] K. Jaworowicz, I. Ribet-Mohamed, C. Cervera, J. B. Rodriguez, and P. Christol, (2011) “Noise characterization of midwave infrared InAs/GaSb superlattice pin photodiode,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 23, no. 4, pp. 242–244.
• [2] A. Rogalski, (2011) “Infrared detectors.” CRC Press, Boca Raton.
• [3] B. M. Nguyen, D. Hoffman, E. K. W. Huang, S. Bogdanov, P. Y. Delaunay, M. Razeghi, and M. Z. Tidrow, (2009) “Demonstration of midinfrared type-II InAs/GaSb superlattice photodiodes grown on GaAs substrate,” Appl. Phys. Lett., vol. 94, no. 22, pp. 2–5.
• [4] A. Khoshakhlagh, S. Myers, H. Kim, E. Plis, N. Gautam, S. J. Lee, S. K. Noh, L. R. Dawson, and S. Krishna, (2010) “Longwave InAs/GaSb superlattice detectors based on nBn and pin designs,” IEEE J. Quantum Electron., vol. 46, no. 6, pp. 959– 964.
• [5] T. Tansel, K. Kutluer, Ö. Salihoglu, A. Aydinli, B. Aslan, B. Arikan, M. C. Kilinc, Y. Ergun, U. Serincan, and R. Turan, (2012) “Effect of the passivation layer on the noise characteristics of mid-wave-infrared InAs/GaSb superlattice photodiodes,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 24, no. 9, pp. 790–792.
• [6] L. Ciura, A. Kolek, Z. Zawislak, A. W. Stadler, A. Kowalewski, P. Martyniuk, J. Wrobel, A. Rogalski, N. Gautam, E. Plis, and S. Krishna, (2013) “Low-frequency noise in type-II superlattice MWIR nBn detector,” in 2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp. 1–4.
• [7] Ł. Ciura, A. Kolek, W. Gawron, A. Kowalewski, and D. Stanaszek, (2014) “Measurements of Low Frequency Noise of Infrared Photo-Detectors with Transimpedance Detection System,” Metrol. Meas. Syst., vol. 21, no. 3, pp. 461–472, Jan. 2014.
• [8] L. K. J. Vandamme, (1994) “Noise as a diagnostic tool for quality and reliability ofelectronic devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 41, no. 11.
• [9] M. S. Gupta, (1982) “Thermal noise in nonlinear resistive devices and its circuit representation,” Proc. IEEE, vol. 70, no. 8, pp. 788–804.
• [10] A. Delga, L. Doyennette, M. Carras, V. Trinité, and P. Bois, (2013) “Johnson and shot noises in intersubband detectors,” Appl. Phys. Lett., vol. 102, no. 16, pp. 1–4.
• [11] P. O. Lauritzen, (1968) “Noise due to generation and recombination of carriers in p-n junction transition regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 15, no. 10.
• [12] C. Cervera, I. Ribet-Mohamed, R. Taalat, J. P. Perez, P. Christol, and J. B. Rodriguez, (2012) “Dark current and noise measurements of an InAs/GaSb superlattice photodiode operating in the midwave infrared domain,” J. Electron. Mater., vol. 41, no. 10, pp. 2714–2718.

Uwagi

PL

Praca została częściowo sfinansowana przez Narodowe Centrum Nauki w ramach umowy UMO-2014/13/N/ST7/03074 (Ł.C.), Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach projektu nr 179616 (PBS1/B3/2/2012) oraz ze środków Politechniki Rzeszowskiej przeznaczonych na działalność statutową 2015/2016 (A.K.).