Aktywność defektów w pomiarach elektrycznych i optycznych złączy fotowoltaicznych na bazie CdTe

• Autorzy: Zielony E. , Morawski M. , Racino A. , Płaczek-Popko E. , Gumienny Z. , Chusnutdinow S. , Karczewski G.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2016.09.11

Warianty tytułu

EN

Activity of defects in the electrical- and optical measurements of photovoltaic junctions based on CdTe

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszym artykule przedstawione zostały wyniki badań defektów w strukturach fotowoltaicznych na bazie CdTe, otrzymanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Do charakteryzacji defektów w badanych złączach wykorzystano różne metody pomiarowe, takie jak: charakterystyki prądowo-napięciowe, niestecjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS) i fotoluminescencja (PL), mierzone w szerokim zakresie temperatur. Pokazano, że sprawności badanych diod są stosunkowo niskie, na co mają wpływ defekty występujące w ich strukturze. W oparciu o wyniki pomiarów widm DLTS i PL wyznaczono parametry defektów oraz określono źródło ich pochodzenia.

EN

In this article the results of investigations of defects in photovoltaic structures based on CdTe grown by the molecular beam epitaxy (MBE) technique have been presented. For the characterization of defects in the studied junctions various measurement methods have been used, such as: current-voltage characteristics, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL), measured in a broad temperature range. It has been shown that the efficiency of the investigated diodes are relatively low, what is caused by the defects present in their structure. Based on the results of the DLTS- and PL spectra the parameters of defects have been determined and their possible origin has been discussed.

Słowa kluczowe

PL

fotowoltaika; CdTe; fotoluminescencja; technika DLTS

EN

photovoltaics; CdTe; photoluminescence; DLTS technique

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2016
• Tom: R. 92, nr 9
• Strony: 43--46
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Zielony E.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Katedra Technologii Kwantowych, Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław

autor

Morawski M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Katedra Technologii Kwantowych, Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław

autor

Racino A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Katedra Technologii Kwantowych, Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław

autor

Płaczek-Popko E.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Katedra Technologii Kwantowych, Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław

autor

Gumienny Z.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Katedra Technologii Kwantowych, Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław

autor

Chusnutdinow S.

• Instytut Fizyki PAN, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Karczewski G.

• Instytut Fizyki PAN, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Bibliografia

• [1] Landolt-Börstein, III/41: Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1999
• [2] Wu X., High-efficiency polycrystalline CdTe thin-film solar cells, Solar Energy, vol. 77, (2004), 803-814
• [3] Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D., Solar cell efficiency tables (Version 45), Prog. Photovolt: Res. Appl., vol. 23, (2015), 1-9
• [4] Fahrenbruch A.L., Bube R.H., Fundamentals of Solar Cells: Photovoltaic Solar Energy Conversion, Academic Press, New York 1983
• [5] Wu X., Dhere R.G., Albin D.S., Gessert T.A., DeHart C., Keane J.C., Duda A., Coutts T.J., Asher S., Levi D.H., Moutinho H.R., Yan Y., Moriarty T., Johnston S., Emery K., Sheldon P., High- Efficiency CTO/ZTO/CdS/CdTe Polycrystalline Thin-Film Solar Cells, Proc. of NREL/CP-520-31025 PV Program Review Meeting, (2001), 1-2
• [6] Farag A.A.M., Yahia I.S., Wojtowicz T., Karczewski G., Influence of temperature and illumination on the electrical properties of p-ZnTe/n-CdTe heterojunction grown by molecular beam epitaxy, J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 43, (2010), 1-7
• [7] Yahia I.S., Yakuphanoglu F., Chusnutdinow S., Wojtowicz T., Karczewski G., Photovoltaic characterization of n-CdTe/p- CdMnTe/GaAs diluted magnetic diode, Current Applied Physics, vol. 13, (2013), 537-543
• [8] Lee J., Giles N.C., Rajavel D., Summers C.J., Donor‐acceptor pair luminescence involving the iodine A center in CdTe, J. Appl. Phys., vol. 78, (1995), 5669-5674
• [9] Hofmann D.M., Omling P., Grimmeiss H.G., Identification of the chlorine A center in CdTe, Phys. Rev. B, vol. 45, (1992), 6247- 6250
• [10] Romero M.J., Gessert T.A., Al-Jassim M.M., Carrier diffusion and radiative recombination in CdTe thin films, Appl. Phys. Lett., vol. 81, (2002), 3161-3163
• [11] Zielony E., Olender K., Placzek-Popko E., Wosinski T., Racino A., Gumienny Z., Karczewski G., Chusnutdinow S., Electrical and photovoltaic properties of CdTe/ZnTe n-i-p junctions grown by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., vol. 115, (2014), 244501-244508

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.