Badania degradacji diod laserowych na pasmo 808 nm

• Autorzy: Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Sobczak G. , Kalbarczyk J. , Krzyżak K. , Maląg A.

Warianty tytułu

EN

The investigation of degradation of laser diodes emitting at 808 nm band

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono zmianę charakterystyk mocowo-prądowych i spektralnych diod laserowych (DL) pracujących w paśmie 808 nm podczas trwania testów starzeniowych. Ujawniono zmiany zachodzące w obrębie paska (obszaru) aktywnego poprzez obserwacje elektroluminescencji przez okno wytrawione w n-kontakcie. Zauważono, że defekty w pasku aktywnym dla wszystkich diod propagują się pod kątem 45 ° do kierunku rezonatora. Uzyskano lepszą wydajność mocy optycznej dla DL montowanych na podkładkach CuC w porównaniu z DL montowanymi bezpośrednio na chłodnicy Cu. Stwierdzono, że o długości życia diod laserowych decydują przede wszystkim jakość wykonania lusteroraz technologia wprowadzającego naprężenia montażu chipów na chłodnicach a nie zastosowanie podkładki.

EN

In this paper changes in light vs. current (L-C) and in spectral characteristics of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm band, being performed while aging tests, are shown. The electroluminescence observations made by etched window in n-contact revealed the changes in the active stripe (region). It is significant that defects in the active stripe for all diodes are propagated at 45 ° angle measured from the direction of laser resonator. Better optical power efficiency was obtained for LDs mounted at CuC heat spreader than for those mounted directly at Cu heat sink. It was found out that the lifetime of LDs are not limited by using heat spreader but mainly by the quality of performance of laser mirrors and the technology of mounting laser chips which induce the strains.

Słowa kluczowe

PL

dioda laserowa; heterostruktura; badania starzeniowe; niezawodność diod laserowych

EN

laser diode; heterostructure; aging tests; degradation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 11b
• Strony: 48--51
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Dąbrowska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Teodorczyk M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Sobczak G.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Kalbarczyk J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Krzyżak K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Maląg A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Häusler K., Zeimer U., Sumpf B., Erbert G., Tränkle G., Degradation model analysis of laser diodes, J. Mater. Sci: mater. Electron (2008) 19:S160-S164
• [2] Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Maląg A., Badanie naprężeń wprowadzonych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn, Materiały Elektroniczne, nr 4, 2009 T.37
• [3] Xia R., Larkins E.C., Harrison I., Dods S.R.A., Andrianov A., Morgan J., Landesman P., Mounting-Induced Strain Threshold for the Degradation of High-Power AlGaAs Laser Bars, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 14, no. 7, July 2002
• [4] Chen C., Xin G., Qu R., Fang Z., Measurement of thermal risetime of a laser diode based on spectrally resolved waveforms, Optics Communications, 260, (2006) 223-226
• [5] Sanayeh M.B., Jaeger A., Schmid W., Tautz S., Brick P., Streubel K., Bache G., Investigation of dark line defects induced by catastrophic optical damage in broad-area AlGaInP laser diodes, Applid Physics Letters, 89, 101111 (2006)
• [6] Jimenez J., Laser diode reliability: crystal defects and degradation modes, C.R. Physique 4 (2003) 663-673
• [7] Tomm J.W., Thamm E., Bärwolff A., Elsaesser T., Luft J., Baeumler M., Mueller S., Jantz W., Rechenberg I., Facet degradation of high-power dioide laser arrays, Applied Physics A, Materials Science & Processing, 70 (2000), 377-381