Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics

• Autorzy: Miskiewicz S. , Komarov F. , Komarov A. , Żukowski P. , Michailov V.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2016.11.57

Warianty tytułu

PL

Symulacja wpływu promieniowania neutronowego na charakterystyki p-n-p tranzystorów bipolarnych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages.

PL

Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora.

Słowa kluczowe

EN

bipolar transistors; neutron flow; transmission; transmission coefficient; output characteristics

PL

tranzystor bipolarny; przepływ neutronów; współczynnik transmisji; charakterystyki wyjściowe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2016
• Tom: R. 92, nr 11
• Strony: 236--238
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Miskiewicz S.

• Institut of Applied Physics Problems, Kurchatov str. Minsk, Belarus

autor

Komarov F.

• Institut of Applied Physics Problems, Kurchatov str. Minsk, Belarus

autor

Komarov A.

• nstitut of Applied Physics Problems, Kurchatov str. Minsk, Belarus

autor

Żukowski P.

• Lublin University of Technology Nadbystrzycka Str., Lublin, Poland

autor

Michailov V.

• Institut of Applied Physics Problems, Kurchatov str. Minsk, Belarus

Bibliografia

• [1] Vologdin E., Lysenko A., Radiation resistance of the bipolar transistors, Moscow Institute of Electronics and Mathematics (2000) (in Russian)
• [2] Zejeger K., Physics of semiconductors, Mir (1977) (in Russian)
• [3] Stepanenko I., Transistor and schemes fundamentals, Energia (1977) (in Russian)
• [4] Vologdin E., Lysenko A., Integral radiation changes of semiconductor parameters, Moscow Institute of Electronics and Mathematics (1998) (in Russian)

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.