Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

• Autorzy: Gołaszewska K. , Kruszka R. , Myśliwiec M. , Ekielski M. , Jung W. , Piotrowski T. , Juchniewicz M. , Bar J. , Wzorek M. , Kamińska E. , Piotrowska A. , Sarzała R. P. , Dems M. , Wojtas J. , Mędrzycki R. , Prystawko P.

Warianty tytułu

EN

GaN-based light emitting diodes with surface photonic crystals

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania, ograniczenie stożka emisji ze 150 do 90° oraz uzyskanie pojedynczego maksimum emisji w kierunku normalnym do powierzchni diody.

EN

This communication describes the fabrication of an Al(In)GaN/GaN light emitting diode (LED) emitting in the range 380...400 um with a maximum at 384 um along with the fabrication of appropriate photonic crystals. The etching of photonic crystals with a concentric ring structure with a 3 μm lattice constant and 60% filling factor in the LED structure yielded a more than doubled radiation power, more focused radiation cone of 90 instead of the initial 150° and a single energy maximum normal to the LED surface.

Słowa kluczowe

PL

diody elektroluminescencyjne; GaN; przyrządy półprzewodnikowe; kryształy fotoniczne; trawienie plazmowe

EN

light emitting diodes; GaN; semiconductor devices; photonic crystals; plasma etching

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 46--49
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Gołaszewska K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kruszka R.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Myśliwiec M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Ekielski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Jung W.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Piotrowski T.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Juchniewicz M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Bar J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Wzorek M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kamińska E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Piotrowska A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

autor

Dems M.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

autor

Wojtas J.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Warszawa

autor

Mędrzycki R.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Warszawa

autor

Prystawko P.

• Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Warszawa

Bibliografia

• [1] Z.-Q. Li, Y.-N. Wang, W.-C. Li, P. Cao, J.-R. Zhang. Liu: Extraction efficiency enhancement of LEDs using 2-D photonic crystal. Optoelectronics Lett., vol. 8 (3), pp. 0186, 2012.
• [2] Q.-T. Xu, K. Li, F.-M. Kong, Q. Liu: Enhancing extraction efficiency from GaN-based LED by using an omni-directional reflector and photonic crystal. Optoelectronics Lett., vol. 5 (6), pp. 0405, 2009.
• [3] F.-I. Lai, Y.-L. Hsien, W.-T. Lin: Enhancement in the extraction efficiency and resisting electrostatic discharge ability of GaN-based light emittingdiode by naturally grown textured surface. Diamond & Related Materials, vol. 20, pp. 770-774, 2011.
• [4] G. M. Wu, C. C. Yen, H. W. Chien, H. C. Lu, T. W. Chang, T. E. Nee: Effects of nano-structured photonic crystals on light extraction enhancement of nitride light-emitting diodes. Thin Solid Films, vol. 519, pp. 5074, 2011.
• [5] R. P. Sarzała, M. Kuc, A. Sokół, R. Kruszka, K. Gołaszewska: Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej. Materiały XII Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 10-13. 06. 2013 (zgłoszone do druku).
• [6] R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, I. Pasternak, M. Wzorek, E. Kamińska, A. Piotrowska: Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC. Elektronika, vol. 9, pp. 32-36, 2011.
• [7] W. Jung: Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n. Elektronika, vol. 9, pp. 24-26, 2012