PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
Rocznik
Tom
Strony
179--200
Opis fizyczny
Bibliogr. 33 poz., il., wykr.
Twórcy
  • Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
Bibliografia
  • Publications’2013
  • [P1] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfaces. ISRN Physic. Chem. 2013 vol. 2013 p. 1-11.
  • [P2] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: The Role of Carbon Structures in Ohmic Contacts Studied by Raman Spectroscopy. Analysis of Carbon Film Structure Observed for Silicon Carbide/Carbon and Silicide/Carbon Interfaces. Proc. of the Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013, p. 204-209.
  • [P3] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: Structural Changes and Migration of Carbon in Nickel-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide. Application of Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 357-358.
  • [P4] GUTT T., PRZEWŁOCKI H. M.: Investigation of MOSC Conductance Spectra by MPAS Technique. Microelectron. Eng. 213 vol. 109 p. 94-96.
  • [P5] GUTT T., PRZEWŁOCKI H. M.: Using the MPAS Method to Evaluate Interface Trap Capture Cross-Sections on Silicon Carbide. Elektronika 2013 vol. LIV no. 9 p. 20-22 (in Polish).
  • [P6] GUTT T., PRZEWŁOCKI H. M.: Using the MPAS Method to Evaluate Interface Trap Capture Cross-Sections on Silicon Carbide. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 679-684 (in Polish).
  • [P7] KLATA P., GUZIEWICZ M., RZODKIEWICZ W., KRUSZKA R., DOMAGAŁA J., JUCHNIEWICZ M., SŁYSZ W.: Characterization of Ultrathin Layers of NbN and Nb(Ti)N. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 407-408 (in Polish).
  • [P8] KRÓL K., SOCHACKI M., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., GUTT T., BOROWICZ P., GUZIEWICZ M., SZUBER J., KWOKA M., KOŚCIELNIAK P., SZMIDT J.: Influence of Nitrogen Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure. Mater. Sci. Forum 2013 vol. 740-742 p. 733-736.
  • [P9] KRÓL K., SOCHACKI M., STRUPIŃSKI W., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., TAUBE A., SZMIDT J.: Characterization of Slow States Using Modified Capacitance Technique in Thermal Oxides Fabricated on Nitrogen Implanted 4H-SiC(0001). Proc. of the Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013, p. 50.
  • [P10] KRÓL K., SOCHACKI M., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., GUTT T., BOROWICZ P., GUZIEWICZ M., SZUBER J., KWOKA M., KOŚCIELNIAK P., SZMIDT J.: Influence of Nitrogen Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure. Mater. Sci. Forum 2013 vol. 740-742 p. 733-736.
  • [P11] KUCHUK A., KLADKO V.P., ADAMUS Z., WZOREK M., BORYSIEWICZ M., BOROWICZ P., BARCZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., PIOTROWSKA A.: Influence of Carbon Layer on the Properties of Ni-Based Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC. ISRN Electron. 2013 vol. 2013 p. I-5 ID 27165.
  • [P12] KULIK M., RZODKIEWICZ W., GLUBA Ł., KOBZEV A. P.: Dielectric Function of Native Oxide on Ion-Implanted GaAs. Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 123 no. 5 p. 956-959.
  • [P13] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J., SZADE J., RZODKIEWICZ W., JASIK A., JUREŃCZYK J., ORMAN Z., WAWRO A.: Passivation Studies of GaSb-Based Superlattice Structures. Thin Solid Films (złoż. do red.).
  • [P14] PISKORSKI K., PRZEWŁOCKI H. M.: Development of a Model of Electri cal Parameter Distributions over the MOS Structure Circular Gate Area. Prz. Elektrotech. 2013 vol. 89 no. 10 p. 130-133 (in Polish).
  • [P15] PISKORSKI K., PRZEWŁOCKI H. M.: Development of a Model of Electrical Parameter Distributions over the MOS Structure Circular Gate Area. Proc. of the XII Polish Conf. On Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 86-91 (in Polish).
  • [P16] PRZEWŁOCKI H. M., GUTT T., PISKORSKI K., BOROWICZ P., BAKOWSKI M.: Properties of Al-SiO2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO2 Layers. Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 3 [in] ECS Transactions 2013 vol. 58 p. 61-70.
  • [P17] RZODKIEWICZ W., KULIK M., PANAS A., KOBZEV A. P.: Nuclear and Optical Analyses of MOS Devices. Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 123 no. 5 p. 851-853.
  • [P18] TAUBE A., GUTT T., GIERAŁTOWSKA S., ŁASZCZ A., WZOREK M., SOCHACKI M., KRÓL K., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Effect of SiO2 and Al2O3 Buffer Layer on the Properties of HfO2 Gate Dielectric Stacks on 4H-SiC. Proc. of the Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013, p. 44.
  • Conferences’2013
  • [C1] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: Structural Changes and Migration of Carbon in Nickel-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide. Application of Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy. XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster).
  • [C2] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: The Role of Carbon Structures in Ohmic Contacts Studied by Raman Spectroscopy. Analysis of Carbon Film Structure Observed for Silicon Carbide/Carbon and Silicide/Carbon Interfaces. Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013 (poster).
  • [C3] GUTT T., PRZEWŁOCKI H. M.: Using the MPAS Method to Evaluate Interface Trap Capture Cross-Sections on Silicon Carbide. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (commun., in Polish)
  • [C4] GUTT T., PRZEWŁOCKI H. M.: Investigation of MOSC Conductance Spectra by MPAS Technique. 18th Conf. on Insulating Films on Semiconductors. Krakow, Poland, 25-28.06.2013 (poster, commun.).
  • [C5] KLATA P., GUZIEWICZ M., RZODKIEWICZ W., KRUSZKA R., DOMAGAŁA J., JUCHNIEWICZ M., SŁYSZ W.: Characterization of Ultrathin Layers of NbN and Nb(Ti)N. XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C6] KRÓL K., SOCHACKI M., STRUPIŃSKI W., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., TAUBE A., SZMIDT J.: Characterization of Slow States Using Modified Capacitance Technique in Thermal Oxides Fabricated on Nitrogen Implanted 4H-SiC(0001). Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013 (paper).
  • [C7] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J., JASIK A., JUREŃCZYK J., RZODKIEWICZ W., WZOREK M., SZADE J., WAWRO A., ORMAN Z.: Selected Aspects of the Fabrication of IR Detectors Based on Type II InAs/GaSb Superlattices. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C8] PAPIS-POLAKOWSKA E., KANIEWSKI J., JASIK A., SZADE J., RZODKIEWICZ W., WZOREK M., JUREŃCZYK J., WAWRO A., FENNER M. F.: Interface Properties of Type-II InAs/GaSb Superlattice Structures. Third Sci. Symp. for Nanomeasurement Research NANOMEASURE 2013. Warsaw, Poland, 25-26.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C9] PISKORSKI K., PRZEWŁOCKI H. M.: Dependence of the Electrical Parameters on the Mechanical Stress in a MOS Structure. XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C10] PRZEWŁOCKI H. M., GUTT T., PISKORSKI K., BOROWICZ P., BAKOWSKI M.: Properties of Al-SiO2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO2 Layers. 224 Electrochem. Soc. Meet. San Francisco, USA, 27.10-1.11.2013 (inv. Lect.).
  • [C11] RZODKIEWICZ W., PISKORSKI K., LATEK M.: Determination of Stress Distribution in the Dielectric Under the Gate of a MOS Structure and an Attempt to Correlate These Distributions with the Electrical Parameters of this structure. XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C12] PISKORSKI K., PRZEWŁOCKI H.M.: Development of a Model of Electrical Parameter Distributions over the MOS Structure Circular Gate Area. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C13] TAUBE A., GUTT T., GIERAŁTOWSKA S., ŁASZCZ A., WZOREK M., SOCHACKI M., KRÓL K., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Effect of SiO2 and Al2O3 Buffer Layer on the Properties of HfO2 Gate Dielectric Stacks on 4H-SiC. Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013 (paper).
  • [C14] TYMICKI E., RACKA E., GRASZA K., SKUPIŃSKI P., LATEK M., RZODKIEWICZ W., TEKLIŃSKA D., GRODECKI K.: Growth of Graphene on Crystallization Fronts of SiC Crystals Obtained by PVT Method. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (poster).
  • Patents’2013
  • [PA1] RZODKIEWICZ, PRZEWŁOCKI H. M.: A Method to Determine the Hygroscopicity of High-k Dielectric Layers. Pat. no. 215516 (in Polish).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-5d585737-82ca-470d-9d6e-ad05888a99af
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.