Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs

• Autorzy: Suproniuk M. , Pawłowski M. , Kamiński P. , Kozłowski R.

Warianty tytułu

EN

Transient photoconductivity of semi – insulating GaAs

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.

EN

Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed.

Słowa kluczowe

PL

kinetyka; fotoprzewodnictwo; materiał półprzewodnikowy

EN

photocurrent; kinetic; semiconductor materials

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2013
• Tom: R. 89, nr 9
• Strony: 165--168
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Suproniuk M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Pawłowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Kamiński P.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

autor

Kozłowski R.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Bibliografia

• [1] Bube R. H. , Photoelectronic properties of semiconductors, Cambridge University Press (1992)
• [2] De-bo Wang and Xiao-ping Liao, A novel symmetrical microwave power sensor based on GaAs monolithic microwave integrated circuit technology, J. Micromech. Microeng. 19 (2009), 125012 (1-8),
• [3] Kamiński P. , Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV, Prace ITME, Zeszyt 36, WEMA (1991),
• [4] Kaminski P., Kozlowski R. , High-resolution photoinduced transient spectroscopy as a new tool for quality assessment of semi-insulating GaAs, Materials Science and Engineering, B91-92 (2002), 398-402,
• [5] Pawłowski M., Kamiński P. Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M., Measuring System for Characterisation ofDefect centres in Semi-Insulating Materials by Photoinduced Transient Spectroscopy, Metrology and Measurement Systems, XII (2005), n. 2, 207-228,
• [6] Shi W., Tian L., Liu Z., Zhang L., Zhang Z., Zhou L., Liu H., and Xie W., 30 kV and 3 kA semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switch, Appl. Phys. Lett., 92(2008), 043511(1-3)
• [7] Suproniuk M., Kamiński P., Miczuga M., Pawłowski M., Kozłowski R., Longeaud Ch., Kleider J P: Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnejspektroskopii fotoprądowej PITS, Przegląd Elektrotechniczny, R85, 11, 2009, str. 93-95. ISSN 0033-2097.
• [8] Suproniuk M., Kamiński P., Pawłowski Michał, Kozłowski R., Pawłowski Marek: Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących, Przegląd Elektrotechniczny, R86, 12, 2010, str. 247-252.
• [9] Sze S. M. and Kwok K. Ng. , Physics of semiconductor devices, 3rd Edition, John Wiley&Sons (2007)