STM study of nanostructures grown on Ag/Si(111)-√3×√3 surface evaporated by 8.7 ML Ni

• Autorzy: Tomaszewska A.

Identyfikatory

DOI

10.16926/tiib.2016.04.38

Warianty tytułu

PL

Badania STM nanostruktur utworzonych na powierzchni Ag/Si(111)-√3×√3 po naparowaniu 8.7 ML Ni

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The thermo-evolution of the interface obtained by room temperature (RT) deposition of 8.7 ML Ni onto an Ag/Si(111)-√3×√3 surface has been studied with the use of scanning tunneling microscopy. Annealing the surface within RT- 573 K temperature range leads to the increase in surface roughness which is followed by its drop upon annealing at 673 K. The comparison of the images presented here with those published for both submonolayer Ni and 4.2 ML Ni indicates coverage-dependent features.

PL

Ewolucja termiczna interfejsu otrzymanego w wyniku osadzenia 8.7 ML Ni na powierzchni Ag/Si(111)-√3×√3 w temperaturze pokojowej (RT) badana była przy użyciu skaningowej mikroskopii tunelowej. Wygrzewanie powierzchni w zakresie temperatur RT- 573 K prowadzi do wzrostu szorstkości powierzchni, po czym w temperaturze 673 K następuje jej spadek. Porównanie obrazów prezentowanych w niniejszej pracy z obrazami opublikowanymi dla pokryć Ni niższych niż 1 monowarstwa oraz dla pokrycia 4.2 ML wskazuje na występowanie cechy zależnych od pokryć.

Słowa kluczowe

EN

scanning tunneling microscopy; Si(111); Ag; Ni; nanostructures

PL

skaningowa mikroskopia tunelowa; Si(111); Ag; Ni; nanostruktury

• Wydawca: Wydawnictwo Uniwersytetu Humanistyczno-Przyrodniczego im. Jana Długosza w Częstochowie
• Czasopismo: Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa
• Rocznik: 2016
• Tom: T. 4
• Strony: 469--476
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Tomaszewska A.

• Institute of Physics, Department of Mathematics and Natural Sciences Jan Długosz University in Częstochowa Armii Krajowej Ave. 13/15, 42-200 Częstochowa, Poland

Bibliografia

• [1] Gas P., Dheurle F.M, Formation of silicide thin-films by solid-state reaction, [in:] Appl. Surf. Sci., vol. 73, 1993, p. 153–161.
• [2] Horcas I., Fernandez R., Gomez-Rodriguez J.M., Colchero J., Gomez Herrero J., Baro A.M., WSXM: A software for scanning probe microscopy and a tool for nanotechnology, [in:] Rev. Sci. Instrum., vol.78, 2007, p. 013705, DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2432410.
• [3] Kovač J., Gregoratti L., Gűnther S., Kolmakov A., Marsi M., Kiskinova M., Spectromicroscopy study of an Ni+ Ag/Si(111) interface, [in:] Surf. Interface Anal., vol. 30, 2000, p. 479–483.
• [4] Leonard F., Talin A.A., Electrical contacts to one- and two- dimensional nanomaterials, [in:] Nat Nanotechnol., vol. 6, 2011, p. 773–783, DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nnano.2011.196.
• [5] Parikh S.A., Lee M.Y., Bennett P.A., Formation conditions and atomic structure of the Si(111)-√19 Ni surface, [in:] Surf. Sci., vol. 356, 1996, p. 53–58.
• [6] Shim H., Lee G., Atomic and electronic structure of the Ni-induced phases on Si(111): Scanning tunneling microscopy and spectroscopy study, [in:] J. Korean Phys. Soc., vol. 59, 2011, p. 3367–3371.
• [7] Tomaszewska A., Huang X.L., Chang K.W., Fu T.Y., Thermal evolution of the morphology of Ni/Ag/Si(111)-√3×√3 surface, [in:] Thin Solid Films, vol. 520, 2012, p.6551–6555. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2012.07.007.
• [8] Wan K.J., Lin X.F., Nogami J., Surface reconstructions in the Ag/Si(111) system, [in:] Phys. Rev. B, vol. 47, 1993) 13700.
• [9] Weber E.R., Transition metals in silicon, [in:] Appl Phys A-Mater, vol. 30, 1983, p. 1–22.
• [10] Yao T., Shinabe S., Yoshimura M., Atomistic study of the formation process of Ni silicide on the Si(111)-7×7 surface with scanning tunneling microscopy, [in:] Appl. Surf. Sci., vol. 104/105, 1996, p. 213–217.
• [11] Yuhara J., Ishigami R., Ishikawa D., Morita K., The interaction of Ni adsorbate with the Ag/Si(111), [in:] Appl. Surf. Sci., vol. 104/105, 1996, p. 269–276.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).