Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2’’

• Autorzy: Pokryszka Piotr , Wośko Mateusz , Paszkiewicz Regina

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.10.40

Warianty tytułu

EN

The method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono sposób kalibracji temperatury procesu epitaksji w systemie AIXTRON CCS 3x2’’. Kalibrowany system pirometryczny umożliwia monitorowanie in-situ temperatury podłoża na 5’’ grafitowej podstawie, w zakresie temperatur od 400 ͦC do 1300 ͦC z dokładnością do 2 ͦC. Również przedstawiono stanowisko i metodę pomiarową z wykorzystaniem interferencji do określania grubości wytworzonej warstwy. Jako źródło światła wykorzystano ciało doskonale czarne rozgrzane do temperatury 1060 ͦC i heterostrukturę AlGaN/GaN/Al203. Pomiary grubości warstwy zostały wykonane ex-situ, lecz z powodzeniem mogą zostać wykonane in-situ.

EN

The paper presents the method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system. The pyrometric system calibrated allows to monitor in-situ the temperature of the substrate on a 5'' graphite base, within the temperature range from 400 ͦC to 1300 ͦC with an accuracy of 2 ͦC. Also the stand and the measurement method with the use of interference to determine the thickness of the created layer are presented. As a light source, a black body heated to 1060 ͦC and heterostructure AlGaN/GaN/Al203 were used. Layer thickness measurements were taken ex-situ, but can be successfully done in-situ.

Słowa kluczowe

PL

in-situ; ex-situ; heterostruktura AlGaN/GaN; AIIIN

EN

in-situ; ex-situ; heterostructure AlGaN/GaN; AIIIN

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 10
• Strony: 173--176
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Pokryszka Piotr

• Wydziałowy Zakład Mikroelektroniki i Nanotechnologii, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska, ul. Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50‐370 Wrocław, Polska

autor

Wośko Mateusz

• Wydziałowy Zakład Mikroelektroniki i Nanotechnologii, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska, ul. Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50‐370 Wrocław, Polska

autor

Paszkiewicz Regina

• Wydziałowy Zakład Mikroelektroniki i Nanotechnologii, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska, ul. Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50‐370 Wrocław, Polska

Bibliografia

• [1] T. Schenk, J. Zilian, B. Henninger, and M. Binetti, “(12) United States Patent," vol. 2, no. 12, 2013.
• [2] A. D. Rakic, “Algorithm for the determination of intrinsic optical constants of metal films: Application to aluminum ", Applied Optics, vol. 34, pp. 4755-4767, 08 1995.
• [3] D. E. Aspnes and A. A. Studna, “Dielectric functions and optical parameters of si, ge, gap, gaas, gasb, inp, inas, and insb from 1.5 to 6.0 ev," Phys. Rev. B, vol. 27, pp. 985-1009, Jan 1983.
• [4] A. You, M. A. Y. Be, and I. In, “Refractive index study of grown on sapphire substrates films," vol. 2980, no. August, 2003.
• [5] N. A. Sanford, “Refractive index study of AlxGa1-xN films grown on sapphire substrates", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS vol. 94, no. 5, pp. 2980-2991, 2003.
• [6] C. Li, X. Bao, J. Xu, Y. Zhang, X. Li, C. Li, X. Bao, J. Xu, Y. Zhang, and X. Li, “Optical characterization of GaN/AlGaN bilayer by transmission and reflection spectra", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 063104, no. 2010, 2013.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).