PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Zjawisko fotoelektryczne w półprzewodnikach oraz podstawy działania i budowy półprzewodnikowych ogniw fotowoltaicznych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
The photoelectric phenomenon in semiconductors and base of operation and construction semiconductor inorganic photovoltaic solar cells
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W artykule przedstawiono fizyczne podstawy zjawiska fotowoltaicznego w półprzewodnikach nieorganicznych oraz podstawy budowy i działania półprzewodnikowych ogniw fotowoltaicznych. Omówiono zjawisko generacji i rekombinacji swobodnych nośników ładunku elektrycznego w półprzewodnikach. Przedstawiono mechanizm powstawania złącza półprzewodnikowego p-n oraz bariery potencjału. Podano opis zjawiska fotoelektrycznego wewnętrznego w półprzewodnikach oraz zasadę działania ogniwa fotowoltaicznego. Omówiono mechanizm powstawania napięcia i prądu fotowoltaicznego oraz podano podstawowe charakterystyki napięciowo-prądowe.
EN
This paper presents the physical principles of photovoltaic phenomena in inorganic semiconductors and basics construction and operation of photovoltaic solar cells. Described the phenomenon of generation and recombination of free carriers in semiconductors. Discussed a creation mechanism of semiconductor p-n junction and the potential barrier. Moreover described of the internal photoelectric effect in semiconductors and basics operation of the photovoltaic cell. Discussed the mechanism of photovoltaic voltage and current and provides basic voltage-current curves.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
55--75
Opis fizyczny
Bibliogr. 19 poz., rys.
Twórcy
  • Politechnika Opolska
Bibliografia
  • [1] ADACHI S.: Handbook on Physical Properties of Semiconductors. Springer Verlag, 2004
  • [2] BYRAPPA B.: Crystal Growth Technology. William Andrew Publishing/Noyes, 2003
  • [3] CHAOUI R., MESSAOUD A., ZITOUNI M.L., CHARIF M.R.: Development of an emitter for industrial silicon solar cells using the doped oxide solid source diffusion technique. Renewable Energy 23, 2001, pp. 417–428
  • [4] DROZDOV N. i in.: Ogniwa fotowoltaiczne dla energetyki słonecznej – zagadnienia materiałowe. Politechnika Lubelska, Lublin 2006
  • [5] ELGAMEL H.E., SIVOTHTHAMAN S., GHANNAM M.Y., NIJS J., MERTENS R., RODOT M., SARTI D., LE QUANG NAM: 640 mV open – circuit voltage multicrystalline silicon solar cells: role of base doping on device paremeters. Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 36, 1994, pp. 99 – 105.
  • [7] GOETZBERGER A., KNOBLOCH J., VOΒ B.: Crystalline Silicon Solar Cells. John Wiley & Sons, 1998.
  • [8] GREEN M. A., EMERY K., HISHIKAWA Y., WARTA W. AND DUNLOP E. D.: Solar Cell Efficiency Tables (V.38). Progres in Photovoltaics: Res. Appl., 2011, pp. 565– 572
  • [9] HENNEL J.: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej. WNT, W-wa 2003
  • [10] HOLLIDAY D., RESNICK R.: Fizyka. wyd. 9. PWN, W-wa 1996
  • [11] HOLLOWAY, P.H., MCGUIRE G.E.: Handbook of Compound Semiconductors - Growth, Processing, Characterization and Devices. William Andrew Publishing/Noyes, 1995.
  • [12] KITTEL C.: Wstęp do fizyki ciała stałego. PWN, W-wa 1999
  • [13] KLUGMANN-RADZIEMSKA E.: Efekty termiczne konwersji energii w krzemowych ogniwach fotowoltaicznych. Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej, Gdańsk 2005.
  • [14] KOŁODZIEJ A.: Stabilność cienkowarstwowych tranzystorów krzemowych oraz ogniw słonecznych, Uczelniane Wydawnictwa Naukowo-Dydaktyczne AGH, Kraków 2008
  • [15] MATTOX D.M.: Handbook of Physical Vapor Deposition (PVD) Processing. William Andrew Publishing/Noyes, 1998.
  • [16] MOZER ALBRECHT P.: New developments in silicon Czochralski crystal growth and wafer Technology. Materials Science and Engineering, B73, 2000, pp. 36–41.
  • [17] NEUHAUS D.H., ALTERMATT P.P., STARRETT R.P., ABERLE A.G.: Determination of the density of states in heavily doped regions of silicon solar cells. Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 65, 2001, pp. 105 – 110.
  • [18] OLCHOWIK J.M.: Cienkie warstwy w strukturach baterii słonecznych. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej, Lublin 2006.
  • [19] O'MARA W.C., HERRING R.B., HUNT L.P.: Handbook of Semiconductor Silicon Technology. William Andrew Publishing/Noyes, 1990.
  • [20] SHOCKLEY W.: Elektrony i dziury w półprzewodnikach. PWN, W-wa 1956 www.wbgu.de/en/publications/flagship-reports/flagship-report-2003-energy/ (dostęp 05.05.2011).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-59e722cc-c6c9-4fdd-a46a-f502d95a47da
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.