Technologia LP-MOVPE heterostruktur InGaAs/InP do konstrukcji kwantowych laserów kaskadowych

• Autorzy: Badura M. , Bielak K. , Ściana B. , Radziewicz D. , Pucicki D. , Dawidowski W. , Tłaczała M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-189

Warianty tytułu

EN

LP-MOVPE technology of InGaAs/GaAs heterostructures for application in Quantum Cascade Lasers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Kwantowe lasery kaskadowe (QCLs), tzw. lasery unipolarne, które emitują fale o długości z zakresu okna atmosferycznego 3…5 μm, wymagają zastosowania układu materiałowego o dużej nieciągłości pasma przewodnictwa i bardzo dobrej przewodności cieplnej. Wymagania te spełnia układ materiałowy InGaAs/AlInAs/InP. W pracy przedstawiono wyniki badań związanych z epitaksją związków potrójnych InGaAs, dopasowanych sieciowo do InP, przy zastosowaniu niskociśnieniowej metody MOVPE. Pierwszym etapem badań było opracowanie kinetyki wzrostu niedomieszkowanych warstw In- GaAs, dopasowanych sieciowo do InP. Otrzymane warstwy wykazały bardzo dobre właściwości optyczne, co zostało potwierdzone wynikami pomiarów fotoluminescencji. Morfologia tych warstw, badana przy użyciu mikroskopu AFM, wykazała tarasowy wzrost typu „step-flow” i atomową gładkość powierzchni. Kolejnym etapem prowadzonych badań są prace technologiczne związane z domieszkowaniem heterostruktury InGaAs/InP krzemem.

EN

Quantum cascade lasers (QCL) so-called unipolar lasers, which emit light with wavelength at range of atmospheric window 3÷5 μm, require construction from the material system with sufficient conduction band discontinuity and high thermal conductivity. Such requirements are fulfilled by InGaAs/AlInAs/InP. In these paper are shown results of investigation of metalorganic vapor phase epitaxy of ternary alloy InGaAs lattice matched to InP. Grown layers have good optical properties, what is confirmed by photoluminescence measurements. Surface morphology of described samples tested by AFM exhibits step-flow growth and atomic scale surface smoothness. The next stage of ours research will be focused on n-type doping of InGaAs/InP heterostructure with SiH₄ as a dopant source.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja; MOVPE; kwantowy laser kaskadowy; falowód; InGaAs; InP

EN

epitaxy; MOVPE; quantum cascade laser; waveguide; InGaAs; InP

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 11
• Strony: 34--36
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys.

Twórcy

autor

Badura M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Bielak K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Ściana B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Radziewicz D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Pucicki D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Dawidowski W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Pabjańczyk A. et al.: Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania 50 (5), 30–43.
• [2] Hofsteter D. et al.: Appl. Phys. Lett. 78, 1964 (2001).
• [3] Fan J. et al.: J. Cryst. Growth 323 (2011) 127–131.
• [4] Varshni Y.: Physica, vol. 34, pp. 149–154, 1967.

Uwagi

PL

Praca była współfinansowana przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju grant nr PBS1/B3/2/2012 ″EDEN″, oraz z działalności statutowej Politechniki Wrocławskiej.