Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

• Autorzy: Swadowski M. , Zygoń K. , Jąderko A.

Warianty tytułu

EN

High-frequency power converter using modern GaN transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania przekształtnika napięcia w aplikacji nagrzewnicy indukcyjnej. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET. Znacznie zredukowano całkowite straty mocy oraz maksymalne temperatury pracy złącz tranzystorów przekształtnika. Pokazano wyniki porównawczej analizy termowizyjnej przekształtników zbudowanych na tranzystorach MOSFET oraz GaN. Pokazano również próby działania prototypu przekształtnika z nagrzewnicą indukcyjną.

EN

Modern transistors made with gallium nitride in the application of induction heater voltage converter are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs are shown. Total power losses and maximum junctions temperature are significantly reduced.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory GaN; straty łączeniowe; wysoka częstotliwość; grzanie indukcyjne; termografia

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
• Rocznik: 2015
• Tom: Vol. 71, nr 35
• Strony: 29--39
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Swadowski M.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

autor

Zygoń K.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

autor

Jąderko A.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

Bibliografia

• [1] BARANOWSKI J., CZAJKOWSKI G., Układy elektroniczne, cz. II, Układy analogowe nieliniowe i impulsowe, WNT, Warszawa 2004.
• [2] BARLIK R., NOWAK M. i in., Układy energoelektroniczne, PWN, Warszawa 1982.
• [3] GÓRECKI P., Nowoczesne tranzystory mocy, czyli długa droga do SiC i GaN, Elektronika Praktyczna, 2014, 3, 46–61.
• [4] JĄDERKO A., SWADOWSKI M., ZYGOŃ K., Wydajne metody chłodzenia małogabarytowych przekształtników o wysokiej gęstości mocy, Materiały XXV Sympozjum Środowiskowego PTZE, Wieliczka, 28 czerwca–1 lipca 2015, 129–131.
• [5] JĄDERKO A., SWADOWSKI M., ZYGOŃ K., Optymalizacja nowoczesnych zasilaczy impulsowych, Przegląd Elektrotechniczny, 2015, Vol. 91, nr 1, 152–155.
• [6] TUNIA M., BARLIK R., Teoria przekształtników, Oficyna Wydawnicza PW, Warszawa 2003.
• [7] www.transphormusa.com/products [dostęp: 07.2015].
• [8] http://www.st.com/web/catalog/sense_power [dostęp: 07.2015].
• [9] http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Presentation_GalliumNitride_GaNApplications_SeminarAPEC2015-AP-v01_00-EN.pdf? fileId=5546d4624bcaebcf014c2c265e69007e [dostęp: 07.2015]