Analiza wpływu wybranych aspektów technologii wykonania tranzystora MOSFET na krytyczne parametry użytkowe

• Autorzy: Król K. , Taube A. , Sochacki M. , Szmidt J.

Warianty tytułu

EN

The analysis of MOSFET manufacturing technology aspects on critical application properties

• Konferencja: XVIII Międzynarodowa Szkoła Komputerowego Wspomagania Projektowania, Wytwarzania i Eksploatacji, 12-16 maja 2014, Szczyrk
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono analizę numeryczną wpływu wybranych procesów technologicznych na krytyczne parametry użytkowe n-kanałowego tranzystora DIMOSFET opartego o materiał szerokopasmowy – węglik krzemu 4H-SiC. Analizie poddano wpływ procesów implantacji obszarów warstwy dryftu oraz implantacji obszarów wysp typu p na napięcie krytyczne Uds max oraz charakterystyki wyjściowe i przejściowe przyrządu. Parametry te definiują praktyczną użyteczność przyrządu w przypadku zastosowania materiału w przyrządach mocy.

EN

This work presents a numerical analysis of the influence of the chosen critical technology processes on critical application parameters of n-channel DIMOSFET transistor manufactured on 4H-SiC widebandgap semiconductor. Presented analysis concerns the impact of drift layer and p-well implantation processes on breakdown voltage Uds max, transient and output characteristics. These parameters are most important for practical implementation of SiC MOSFET as a power device.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; tranzystor MOS; modelowanie technologii

EN

silicon carbide MOS transistor; modeling technology

• Wydawca: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
• Czasopismo: Mechanik
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 87, nr 7CD
• Strony: 337--342
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys.

Twórcy

autor

Król K.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

autor

Taube A.

• Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

autor

Sochacki M.

• Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

autor

Szmidt J.

• Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

Bibliografia

• [1] Ryu S., Krishnaswami S., Hull B., Heath B., Das M., Richmond J., Fatima H., Zhang J., Agarwal A., Palmour J., Lelis A., Geli B., Katsis D., Scozzie C. i Scofield J.: High Speed Switching Devices in 4H-SiC – Performance and Reliability, w Preceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, Baltimore, 2005.
• [2] Stupar A., Friedli T., Minib ck J., Schweizer M. i Kolar J.W.: Towards a 99% efficient three-phase buck-type PFC rectifier for 400 V DC distribution systems, w Proceeding of XXVI IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, Zurich, 2011.
• [3] Fan X., Ben G., Tolbert L.M., Wang F. i Blalock B.: Evaluation of SiC MOSFETs for a high efficiency three-phase buck rectifier, w Proceeding of XXVII Annual IEEE Applied Power Electronics Conerence and Exposition, Orlando, 2012.
• [4] Selberherr S.: Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Springer-Verlag, 1984.
• [5] Chynoweth A.G.: Ionization Rates for Electrons and Holes in Silicon, “Physical Review”, tom 109, p. 1537, 1958.