Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

• Autorzy: Mikołajewski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.11.19

Warianty tytułu

EN

A Class E amplifier with a GaN transistor - practical aspects

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W referacie przedstawiono obliczenia projektowe oraz rezultaty pomiarów dla rezonansowego wzmacniacza klasy E z tranzystorem GaN GS61008P. Dla zbudowanego układu o nominalnych parametrach: moc wyjściowa POnom= 100 W, częstotliwość fpnom= 13,56 MHz, napięcie zasilania EZnom= 24 V opracowano efektywny bramkowy układ sterujący o minimalnej mocy zasilania PZDR = 0,22 W. W pracy zbadano wpływ sposobu sterowania kluczem tranzystorowym na sprawność energetyczną wzmacniacza przy częstotliwościowej (FM) regulacji mocy wyjsciowej. Ponadto, wskazno na konieczność zabezpieczenia tranzystora GaN przed uszkodzeniem na wypadek zaniku bramkowego sygnału sterującego w układach zasilanych dławikowo.

EN

In the paper a design project and measurement results for a resonant Class E amplifier with a GaN GS61008P transistor have been presented. The designed and built amplifier operated at the frequency fnom= 13.56 MHz with output power POnom= 100 W from suppy voltage EZnom= 24 V, and minimum supply power of its gate driver was only PZDR= 0.22 W. Frequency control of the amplifier h.f. output power and the amplifer efficiency were tested for various methods of the transistor driving. Moreover, it was proved that GaN transistors require overvoltage protection circuits if applied to h.f. amplifiers with a supply choke.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz klasy E; tranzystor GaN; kluczowanie ZVS; zabezpieczenie przepięciowe

EN

class E amplifier; GaN transistor; ZVS switching; overvoltage protection

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 11
• Strony: 80--83
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys.

Twórcy

autor

Mikołajewski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki i Technik Multimedialnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Nota katalogowa tranzystora GS61008P rev.160307/2016, fmy GaN Systems: www.gansystems.com
• [2] D. M. Kinzer, GaN overvoltage protection circuit, US Patent No.: US 2016/0049786A1.
• [3] M. Mikołajewski, Wzmacniacz klasy E z regulacją mocy wyjściowej metodą grup impulsów, Wiadomości Elektrotechniczne, vol. LXXiX, nr. 11, str. 50-52
• [4] M. Mikołajewski, A transformer Class E amplifier, Archives of Electrical Eng., vol. 63, no. 4, pp.621-633, 2014
• [5] M.K. Kazimierczuk, D. Czarowski,Resonant Power Converters, Second Edtion, J. Wiley, pp. 349-354, 2011
• [6] M. Kasprzak, Z. Kaczmarczyk, P. Legutko, Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E - modelowanie, sterowanie, zastosowania, Elektryka, z. 4 (236), r. LXI, str. 69-80, 2015

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).