Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową

• Autorzy: Woźny Janusz , Kubiak Andrzej

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2022.01.36

Warianty tytułu

EN

Investigation of the properties of a thick-film silver-silicon carbide contact treated by a laser beam

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowana jest metoda uzyskiwania kontaktów omowych do węglika krzemu z wykorzystaniem srebrowego kleju przewodzącego oraz lasera modyfikującego obszar kontaktu. Metoda nie wymaga przeprowadzania procesu wygrzewania całej struktury. Może ona znaleźć zastosowanie w pracach laboratoryjnych nad SiC wymagających szybkiego wytworzenia kontaktów omowych do struktur z SiC.

EN

The paper presents a method of obtaining ohmic contacts to silicon carbide with the use of a silver conductive adhesive and a laser beam modifying the contact area. The method does not require the whole structure annealing process. It can be used in laboratory work on SiC requiring rapid creation of ohmic contacts to SiC structures.

Słowa kluczowe

PL

SiC; kontakt omowy; laser

EN

SiC; ohmic contact; laser

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2022
• Tom: R. 98, nr 1
• Strony: 169--172
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Woźny Janusz

• Politechnika Łódzka, Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych, ul. Wólczańska 211/215, 90-924 Łódź

• https://orcid.org/0000-0002-0557-165X

autor

Kubiak Andrzej

• Politechnika Łódzka, Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych, ul. Wólczańska 211/215, 90-924 Łódź

• https://orcid.org/0000-0002-2434-4567

Bibliografia

• [1] van Brunt, E., Burk, A., Lichtenwalner, D. J., Leonard, R., Sabri, S., Gajewski, D. A., Mackenzie, A., Hull, B., Allen, S., & Palmour, J. W., Performance and Reliability Impacts of Extended Epitaxial Defects on 4H-SiC Power Devices, Materials Science Forum, 924 (2018), 137–142
• [2] Kimoto, T., & Cooper, J. A., Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications, John Wiley & Sons, (2014).
• [3] Vlasov, I. I., Lyalin, A. A., Obraztsova, E. D., Simakin, A. V., & Shafeev, G. A., Formation of ohmic contacts with SiC by laser ablation, Quantum Electronics, (1998), 28(8), 673.
• [4] Rupp, R., Kern, R., & Gerlach, R. Laser backside contact annealing of SiC power devices: A prerequisite for SiC thin wafer technology, In 2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's, (ISPSD), (2013), (pp. 51-54). IEEE.
• [5] De Silva, M., Ishikawa, S., Miyazaki, T., Kikkawa, T., & Kuroki, S. I., Formation of amorphous alloys on 4H-SiC with NbNi film using pulsed-laser annealing, Applied Physics Letters, (2016), 109(1), 012101.
• [6] Zhou, Z., He, W., Zhang, Z., Sun, J., Schöner, A., & Zheng, Z., Characteristics of Ni-based ohmic contacts on n-type 4H-SiC using different annealing methods, Nanotechnology and Precision Engineering, (2021), 4(1), 013006.
• [7] Sanzaro, S., Bongiorno, C., Badalà, P., Bassi, A., Franco, G., Vasquez, P., ... & La Magna, A., Inter-diffusion, melting and reaction interplay in Ni/4H-SiC under excimer laser annealing, Applied Surface Science, (2021), 539, 148218.
• [8] van der Pauw, L.J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape, Philips Research Reports, (1958), 13(2), 1-9.
• [9] Roccaforte, F., Vivona, M., Greco, G., Lo Nigro, R., Giannazzo, F., Rascunà, S., & Saggio, M., Metal/semiconductor contacts to Silicon Carbide: Physics and technology, Materials Science Forum i Trans Tech Publications Ltd., (2018), 339-344
• [10] Choi, W. K., Optical, structural, and electrical properties of amorphous silicon carbide films, Silicon-Based Material and Devices. Academic Press, (2001). 1-71.