Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

• Autorzy: Przybyła K.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.01.33

Warianty tytułu

EN

Verification of power losses in the gate circuit in selected MOSFET transistors based on Si and SiC

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów mocy strat w obwodzie bramkowym dla tranzystorów MOSFET na bazie Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P oraz APT40SM120J na bazie SiC. Pomiary były wykonywane w układzie falownika klasy DE w przedziale częstotliwości od 275 kHz do 525 kHz i przy napięciu zasilania falownika E=0 V i E=300 V. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń mocy strat na podstawie danych katalogowych. Wykazano rozbieżności wyników i podano możliwe przyczyny.

EN

Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.

Słowa kluczowe

PL

strata mocy; MOSFET; tranzystor; obwód bramkowy; SiC

EN

power losser; MOSFET; gate circuit; SiC; transistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 1
• Strony: 129--132
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Przybyła K.

• Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. Bolesława Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice

Bibliografia

• [1] IXYS, MOSFET/IGBT Drivers Theory and Applications, nota aplikacyjna, AN-401-R02, 2012
• [2] Legutko P., Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 90 NR 5/2014, s. 229-234
• [3] Haehre K., Simon C., Wild B., Kling R., Heering W., Design of a 5-MHz-Gate-Driver for SiC-MOSFETs, 7th IET International Conference on Power Electronics, Machines and Drives (PEMD 2014)
• [4] Kasprzak M., Falownik klasy D-ZVS 300 kHz / 1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego – możliwości pracy w klasie D i DE, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 89 NR 4/2013, s. 29-32
• [5] Dokumentacja techniczna drajwera scalonego TC4422, DS20001420F, 2014
• [6] Dokumentacja techniczna drajwera scalonego TC4452, DS20001987C, 2014
• [7] Dokumentacja techniczna drajwera scalonego IXD_609,DSIXD_ 609-R08, 2017
• [8] Dokumentacja techniczna drajwera scalonego IXD_614, DSIXD_ 614-R07, 2017
• [9] Dokumentacja techniczna drajwera scalonego IXD_630, DSIXD_ 630-R04, 2017
• [10] Dokumentacja techniczna tranzystora APT5010JFLL, Rev E, 2004
• [11] Dokumentacja techniczna tranzystora IXFN44N80P, DS99503E(06/06), 2006
• [12] Dokumentacja techniczna tranzystora APT40SM120J, Rev A, 2014

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).