PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Ocena technologii montażu tranzystorów IGBT w obudowie TO-220 przez testy trwałości

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Evaluation of assembly technology of IGBT mounted onto TO-220 by durability tests
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Przedstawiono wyniki testów starzeniowych tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) typu STGP10NC60KD, dostępnych komercyjnie oraz tranzystorów SIGC11T60NC zmontowanych do przepustów TO-220 następującymi metodami: 1) spiekania mikroproszku srebra, 2) klejenia żywicą, 3) lutowania, 4) lutowania z podkładką Ag. Przeprowadzono dwa kolejne testy: 1) obciążenie prądem stałym 10 A przez 100 h, 2) włączanie i wyłączanie na 5 i 10 minut, 850 przełączeń. Najlepszą trwałość wykazały przyrządy zmontowane metodą lutowania.
The paper presents aging test results of commercial insulated gate bipolar (IGBT) transistors STGP10NC60KD and SIGC11T60NC transistors mounted onto Ni-plated TO-220 packages by four different methods: 1) sintering of silver micropowder, 2) by resin bonding, 3) soldering and 4) soldering with distancer. Two aging tests were performed: 1) dc load 10 A for 100 h, 2) 850 ON / OFF cycles for 5 and 10 minutes respectively. The best aging durability was observed in devices mounted by soldering.
Rocznik
Strony
117--121
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., rys., tab.
Twórcy
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
  • Uniwersytet Morski w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia
  • Uniwersytet Morski w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia
  • Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Bibliografia
  • [1] L. Han, et al., "A Review of SiC IGBT: Models, Fabrications Characteristics, and Applications", IEEE Trans. On Power Electronics, vol. 36, no 2, pp.2080 – 2093, Feb 2021.
  • [2] A. J. Moradewicz, „On/Off -board charges for electrica vehicles”, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R.95 Nr 2/2019.
  • [3] H. Wang, et al., "Transitioning to Physics-of-Failure as a Reliability Driver in Power Electronics", IEEE J. Emerging Selected Topics Power Electronics, vol. 2, no. 1, Mar 2014.
  • [4] IEEE Reliability Standards Commitee, IEEE Standard Framework for Reliability Prediction of Hardware, IEEE Std 1413TM-2010 (Revision of IEEE Std 1413-1998)
  • [5] S. Dusmez, et al., "Aging Precursor Identification and Lifetime Estimation for Thermally Aged Discrete Package Silicon Power Switches", IEEE Trans. Industry Apll., vol. 53, no. 1, Jan 2017.
  • [6] Ch.Chen, Z.Zhang, T.Misaki, S.Nagao, K.Suganuma Direct bonding with Ni-P finished DBC substrate with sinter Ag microsized particles, Proc.of ICEP 2019, TA1-3, p.6-164.
  • [7] M. Mysliwiec, R. Kisiel,“Applying Sintering and SLID Bonding for Assembly of GaN Chips Working at High Temperatures”, ESTC Conference, Dresden, 2011.
  • [8] https://aimsolder.com/sites/default/files/alloy_sac305_tds.pdf
  • [9] L. Wang "Low temperature hermetic packaging with Ag sintering process", 16th Intern. Conf. Electronic Packaging Technology, p.1317-1320, 2015.
  • [10] P. Górecki, K. Górecki, “Measurements and computations of internal temperatures of the IGBT and the diode situated in the common case”, Electronics, vol. 10, no. 2, 2021, p. 210, doi:10.3390/electronics10020210
Uwagi
Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2021).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-5276188d-f958-4744-beac-bf5d0cd3f186
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.