Recent advances in graphene application for electronic sensing

• Autorzy: Łuszczek M. , Świsulski D.

Warianty tytułu

PL

Najnowsze osiągnięcia w zastosowaniu grafenu w czujnikach elektronicznych

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Ogromne zainteresowanie grafenem w dużej mierze związane jest z możliwością zastosowania tego materiału do budowy różnego typu sensorów charakteryzujących się doskonałymi parametrami. Bardzo duża ruchliwość nośników ładunku oraz specyficzna pasmowa struktura elektronowa grafenu sprawiają, iż wydaje się on być bardzo obiecującym materiałem, szczególnie do zastosowań w układach pomiarowych wykorzystujących czujniki o architekturze tranzystorów polowych z kanałem grafenowym (GFET). W artykule omówione zostały najnowsze osiągnięcia w dziedzinie badań nad zastosowaniem grafenu w wybranych typach czujników. Wskazano także możliwe kierunki dalszych badań, które mogłyby być realizowane w najbliższej przyszłości w Katedrze Metrologii i Systemów Informacyjnych na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej.

EN

The great interest in graphene is caused by its potential for constructing various sensors exhibiting excellent parameters. The high carrier mobility and the unique band structure of graphene makes it promising especially in the field-effect transistors (GFET) applications. In this article, recent advances of the selected graphene-based sensor applications were presented and the possible directions for further investigations were pointed out.

Słowa kluczowe

PL

grafen; sensor; GFET; metrologia

EN

graphene; sensors; GFET; metrology

• Wydawca: Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2015
• Tom: Nr 47
• Strony: 115--118
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys.

Twórcy

autor

Łuszczek M.

• Politechnika Gdańska, Wydział Elektrotechniki i Automatyki

autor

Świsulski D.

• Politechnika Gdańska, Wydział Elektrotechniki i Automatyki

Bibliografia

• 1. Beibei Zhan B., Li C. Yang J., Jenkins G., Huang W., Dong X.: Graphene Field-Effect Transistor and Its Application for Electronic Sensing, Small, Vol. 10, 2014, pp. 4042–4065.
• 2. Xia F. N., Mueller T., Lin Y. M., Valdes-Garcia A., Avouri P.: Ultrafast graphene photodetector, Nature Nanotechnology, Vol. 4, 2009, pp. 839-843.
• 3. Zhang Y. Z. , Liu T., Meng B. , Li X. H., Liang G. Z., Hu X. N. , Wang Q. J. : Broadband high photoresponse from pure monolayer graphene photodetector, Nature Communi-cations, Vol. 4, 2013, pp. 1811-22.
• 4. Konstantatos G., Badioli M., Gaudreau L., Osmond J., Bernechea M., Arquer F. P. G. , Gatti F., Koppens F. H. L.: Hybrid graphene–quantum dot phototransistors with ultrahigh gain, Nature Nanotechnology, Vol.7, 2012, 363–368.
• 5. Patil A., Lopez G., Foxe M., Childres I., Roecker C., Boguski J., Jovanovic I., Chen Y. P.: Graphene Field Effect Transistors for Detection of Ionizing Radiation, Nuclear Science Symposium Conference Record (NSS/MIC), IEEE, Orlando, 2009, pp. 90 – 95.
• 6. Trung T. Q. , Tien N. T. , Kim D. , Jung J. H., Yoon O. J., Lee N. E.: High thermal responsiveness of a reduced graphene oxide field-effect transistor, Advanced Materials, Vol. 24, 2012, pp. 5254-5260.
• 7. Vicarelli L., Vitiello M. S. , Coquillat D. , Lombardo A. , Ferrari A. C. ,Knap W., Polini M., Pellegrini V. , Tredicucci A. , Nature Materials, Vol. 11, 2012, pp. 865–871.
• 8. Jing Z. , Guang-Yu Z., Dong-Xia S.: Review of graphene-based strain sensors, Chinese Physica B, Vol. 22, 2013, pp.57701 -57701.
• 9. Tian H., Shu Y., Wang X.-F., Mohammad, M. A., Bie Z., Xie Q.-Y.; Li C., Mi W.-T., Yang Y., Ren T.-L.: A graphene-based resistive pressure sensor with recordhigh sensitivity in a wide pressure range, Scientific Reports, Vol. 5, 2015, pp.8603-8609.
• 10. Al-Mumen H., Rao F., Dong L., Li W.: Thermo-flow and temperature sensing behaviour of graphene based on surface heat convection, Micro and Nano Letters, Vol. 8, 2013, pp. 681–685.
• 11. Inaba A., Yoo K., Takei Y., Matsumoto K., Shimoyama I.: Ammonia gas sensing using a graphene field–effect transistor gated by ionic liquid, Sensors and Actuators B, Vol. 195, 2014, pp. 15–21.
• 12. Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.: Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications, Przegląd Elektrotechniczny, R. 91, Nr 10/2015, pp. 170-172.