Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET

Bargieł, K.; Bisewski, D.; Zarębski, J.; Szarmach, E.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET

Autorzy

Bargieł K. , Bisewski D. , Zarębski J. , Szarmach E.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

http://zeszyty.umg.edu.pl/

Identyfikatory

Warianty tytułu

Measurements results of thermal parameters of SiC JFET

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.

In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.

Słowa kluczowe

tranzystor JFET SiC JFET parametry termiczne węglik krzemu

JFET thermal parameter silicon carbide

Wydawca

Wydawnictwo Uniwersytetu Morskiego w Gdyni

Czasopismo

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

Rocznik

2016

Tom

nr 95

Strony

157--167

Opis fizyczny

Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Bargieł K.

Akademia Morska w Gdyni

autor

Bisewski D.

Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

Akademia Morska w Gdyni

autor

Szarmach E.

Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

1. Bargieł K., Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP120R063, Raport Katedry Elektroniki Morskiej nr NB.01/2015, Gdynia 2015.
2. Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J., Komputerowy system do pomiaru przejściowej impedancji termicznej półprzewodnikowych elementów mocy, XIII Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE, Poznań 2008, s. 133–134.
3. Bisewski D., Zarębski J., Measurements of transient thermal impedance of MESFETs, X International Conference Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET’2008, Slavsko 2008, s. 213–216.
4. Blackburn D.L., Oettinger F.F., Transient Thermal Response Measurement of Power Transistors, IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, Vol. IECI-22, 1975, No. 2, s. 134–141.
5. Dąbrowski J. Modelowanie diod Schottky’ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, Prace Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
6. Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 2006, nr 3, s. 347–360.
7. Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, „Metrologia i Systemy Pomiarowe”, 2001, nr 4, s. 379–395.
8. Janke W., Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, WNT, Warszawa 1992.
9. Karta katalogowa tranzystora JFET SJEP120R063, http://www.amplimos.it/images/SJEP120 R063_rev1.3.1.pdf.
10. Napieralski A., Zarębski J., Górecki K., Furmańczyk M., Pomiar rezystancji i przejściowej impedancji termicznej inteligentnego układu scalonego MOS mocy, Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, 1998, nr 34.
11. Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
12. Zarębski J., Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
13. Zarębski J., Górecki K., Mikrokomputerowy system pomiarowy do wyznaczania rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego, „Pomiary. Automatyka. Kontrola”, 1993, nr 9, s. 209–212.
14. Zarębski J., Górecki K., System mikrokomputerowy do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych metodami impulsowymi, „Metrologia i Systemy Pomiarowe”, 1993, nr 16, s. 357–364.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017)

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-51c3a74c-f084-45fb-b01f-9bebc8eba267