PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Właściwości aplikacyjne amorficznych warstw na bazie krzemu podwyższające sprawność ogniw słonecznych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Application properties of amorphous thin films based on silicon increasing the efficiency of solar cells
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono omówienie najważniejszych, z punktu widzenia ich przyszłego zastosowania w ogniwach słonecznych, właściwości amorficznych warstw uwodornionych typu a-Si:C:H, a-Si:N:H czy też a-SiCN:H. Do wytwarzania wymienionych warstw zastosowano metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD. Mieszaniny reakcyjne to: CH4+SiH4, NH3+SiH4 oraz CH4+SiH4+NH3. Analizie poddano właściwości strukturalne, morfologiczne i optyczne warstw. Określono zarówno ich skład chemiczny atomowy i wagowy, zawartość wiązań wodorowych, a także wyznaczono parametry optyczne:współczynnik załamania n, przerwę optyczną Eg oraz współczynnik odbicia efektywnego Reff. Uwzględniając rolę pokryć antyrefleksyjnych w ogniwach słonecznych analizowano wpływ wybranych parametrów warstw na właściwości aplikacyjne ogniw PV. Warstwa antyrefleksyjna o odpowiednim współczynniku załamania, grubości oraz współczynniku odbicia może podwyższyć sprawność ogniwa nawet o 30% względnych.
EN
This paper provides an overview of the most important characteristics of the hydrogenated amorphous layers type a-Si:C:H, a-Si:N:H and a-SiCN:H, of the points of view of their future applications in solar cells. For the preparation of these thin films was applied method of chemical vapor deposition PECVD. Gaseous mixtures used: CH4+SiH4, NH3+SiH4 and CH4+NH3+SiH4. The structure, morphology and optical properties of layers were analyzed. Defined in both their atomic and weight chemical composition, the content of hydrogen bonding, as well as optical parameters were determined: refractive index n, energy gap Eg, effective reflection coefficient Reff and thickness d. Taking into account the role of antireflective coatings for solar cells, the influence of selected parameters of layers on PV cells properties was analyzed. Antireflective coating of suitable refractive index, thickness and reflectance coefficient may increase cell efficiency by up to 30% relative.
Rocznik
Strony
37--40
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., wykr.
Twórcy
autor
  • Katedra Elektroniki
autor
  • Katedra Fizykochemii i Modelowania Procesów, AGH w Krakowie
autor
  • PAN, Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej, Kraków
Bibliografia
  • [1] Hamakawa Y., „Thin - Film Solar Cells: next generation photovoltaics and its applications", Springer Verlaq, Berlin 2004.
  • [2] Hartmann H., R. Mach, В. Selie, „Wide Gape II-VI Compounds as Electronic Materials.", Current Topics in Material Sci. 9, Wyd. E. Kaldis-Amsterdam, North Holland Publ. Co., Amsterdam 1982.
  • [3] Michalski A. J., „Fizyczne podstawy otrzymywania powłok z fazy gazowej", Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2000.
  • [4] Lipiński M., i in., „Optimisation of SiNx:H layer for multicrystalline silicon solar cells", Opto-Electron. Rev., 12 (1), pp. 41-44, 2004.
  • [5] Duerinckx F., J. Szlufcik, „Defect passivation of industrial multicrystalline solar cells based on PECVD silicon nitride", Sol. Energ. Mat. Sol. C, 72, pp. 231-246, 2002.
  • [6] Stapiński Т., В. Swatowska, S. Kluska, E. Walasek, „Optical and structural properties of amorphous silicon-carbon films for optoelectronic applications", Applied Surface Science 238, pp. 367-374, 2004.
  • [7] Green M. A., „Solar Cells. Operating Principles, Technology and System Applications", The University of New South Wales, Kensington 1986.
  • [8] Stapiński Т., В. Swatowska, „a-Si:C:H and a-Si:N:H thin films obtained by PECVD for applications in silicon solar cells", J. Electron. Mater., 37(6), pp. 905-911, 2008.
  • [9] Swatowska В., S. Kluska, „Possibilities of a-SiCN:H thin films applications", Microelectronic materials and technologies, Vol. 1, monograph ed. Zbigniew Suszyński, Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, Koszalin 2012, no. 231, pp. 318-328.
  • [10] Morigaki К., H. Hikita, M. Yamaguchi, Y. Fujita, „The structure of dangling bonds having hydrogen at a nearby site in a-Si:H", J. Non-Cryst. Solids, 227-230, pp. 338-342, 1998.
  • [11] Stapiński Т., В. Swatowska, „Amorphous hydrogenated silicon-carbon as new antireflective coating for solar cells", J. Non-Cryst. Solids, 352, pp. 1406-1409, 2006.
  • [12] Swatowska В., Т. Stapiński, „Amorphous hydrogenated silicon-nitride films for applications in solar cells", Vacuum, 82, pp. 942-946, 2008.
  • [13] Ptak-Małysiak U., M. Lipiński, P. Panek, „Wpływ pasywacji powierzchni krzemu na parametry ogniw słonecznych", Elektronika 11, pp. 16-17, 1993.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-50bf1043-2682-4521-bcaf-961dc882e175
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.