Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Characterisation of switching devices for high-power ultrasonic transducers supply applications
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawiono analizę właściwości przyrządów kluczujących stosowanych w układach falowników dużej mocy przeznaczonych do zasilania piezoceramicznych przetworników ultradźwiękowych. Szczególny nacisk położono na właściwości dynamiczne przyrządów kluczujących w typowych warunkach pracy obejmujących szeroki zakres temperatur (25 – 80°C). Analizie poddano najnowsze konstrukcje przyrządów – tranzystory IGBT oraz tranzystor MOSFET wykonany na podłożu węgliko-krzemowym.
This article presents the analysis of switching devices used in high power ultrasound generators for supplying stack piezoelectric transducers. The main goal of this work is to examine and compare dynamic characteristics of modern power switches in nominal working conditions – applying temperatures of 25 – 80°C range. The two high-power device topologies are discussed – silicon IGBTs and silicon carbide MOSFETs.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
21--23
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., wykr.
Twórcy
autor
- Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki
autor
- Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa
autor
- Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa
autor
- Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa
autor
- Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa
Bibliografia
- [1] K. Vilkhu, R. Mawson, L. Simsons, D. Bates, “Applications and opportunities for ultrasound assisted extraction in the food industry – A review”, Food innovation: Emerging Science, Vol. 9, p. 161–169, 2008 DOI:10.1016/j.ifset. 2007.04.014.
- [2] P. Kluk, P. Kogut, A. Milewski,” Automatycznie sterowany ultradźwiękowy generator mocy”, Elektronika – konstrukcje, technologie, zastosowania 9/2011.
- [3] P. Wagh, „Closed-form spectral analysis of pulse-width modulation”, Proceedings of IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2001. ISCAS 2001, Vol. 3, p. 799–802, Sydney, 2001 DOI: 10.1109/ISCAS. 2001.921453.
- [4] C. Winter, „Design of a resonant power inverter for a piezoelectric actuator”, Proceedings of IECON 2012 – 38th Annual Conference on IEEE Industrial Electronics Society, Vol. 1, p. 345–349, Montreal, 2012 DOI: 10.1109/IECON.2012.6388622.
- [5] Y. Hijikata, “Physics and Technology of Silicon Carbide Devices”, InTech, 2012 DOI: 10.5772/3428.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-4fb04e89-1752-4e55-8908-acaf210a4700