Cienkowarstwowe struktury metaliczne i tlenkowe. Właściwości, technologia, zastosowanie w elektrotechnice

• Autorzy: Ziaja J.

Warianty tytułu

EN

Thin layer metallic and oxide structures. properties, technology, electrotechnics applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedmiotem pracy są zagadnienia dotyczące technologii otrzymywania cienkowarstwowych struktur metalicznych (Zn, Zn–Bi, Ti, Ni–Fe) i tlenkowych cynku (ZnO, Zn–Bi–O, TiO2) metodą rozpylania magnetronowego, właściwości tych warstw i ich zastosowanie w elektrotechnice. W części pierwszej omówiono osadzanie cienkich warstw z fazy gazowej sposobem chemicznym CVD (chemical vapour deposition) i fizycznym PVD (physical vapour deposition) oraz szczegółowo opisano rozpylanie magnetronowe. W części drugiej przedstawiono wyniki własnych badań autora nad możliwościami otrzymywania różnego rodzaju struktur ZnO metodą impulsowego rozpylania magnetronowego targetów metalicznych i tlenkowych. Przeanalizowano wpływ technologicznych parametrów (moc wydzielona na targecie, parcjalne ciśnienie gazów roboczych, odległość target–podłoże) na szybkość osadzania warstw oraz właściwości strukturalne i elektryczne warstw nakładanych na różnego typu podłoża. Zbadano wpływ tych parametrów na właściwości warystorowe i ekranujące pole elektromagnetyczne. Przedstawiono zależność składu chemicznego warstw w zależności od składu chemicznego impulsowej plazmy magnetronowej. Skład chemiczny impulsowej plazmy magnetronowej badano metodą spektrofotometrii optycznej. W części trzeciej pracy wykazano, że metaliczne warstwy cynku, roztworu cynku z bizmutem, tytanu nakładane na włókniny polipropylenowe (PP), charakteryzujące się skutecznością ekranowania około 50 dB, mogą być konkurencyjne w stosunku do klasycznych materiałów ekranujących. Właściwości ekranujące mają również materiały kompozytowe PP/Zn/ZnO/Zn i PP/Zn/Zn–Bi–O/Zn.

EN

This book deals with issues concerning the technology of fabrication, properties and application in electrotechnics of thin metallic layers (Zn, Zn–Bi, Ti, Ni–Fe) and thin zinc oxide layers (ZnO, Zn–Bi–O, TiO2) with magnetron sputtering method. In the first part, the fabrication of thin layers with CVD (chemical vapor deposition) and PVD (physical vapor deposition) has been described, with detailed description of magnetron sputtering. The second part describes results of the author’s own research on the possibility of fabricating different types of ZnO structures by means of magnetron sputtering of metallic and oxide targets. An analysis of the influence of technological parameters (power dissipated in the target, partial pressure of working gas, target–substrate distance) on the speed of layer deposition, structural and electric properties of layers deposited on different substrates, has been done. The influence of those parameters on the varistor properties and electromagnetic field shielding has been investigated. Dependence of the chemical composition of the layers on chemical composition of the pulls magnetron plasma has been presented. The chemical composition of the pulls magnetron plasma was investigated using optical spectrophotometry method. In the third part, it has been specified that layers of metallic zinc, zinc and bismuth solution, titanium deposited on polypropylene (PP) nonwovens are characterized by shielding efficiency of about 50 dB, and can compete with classical shielding materials. Composite materials PP/Zn/ZnO/Zn and PP/Zn/Zn–Bi–O/Zn have also shielding properties.

Słowa kluczowe

PL

rozpylanie magnetronowe; warystor; czujnik; włóknina polipropylenowa; materiał ekranujący; pole elektromagnetyczne; skuteczność ekranowania

EN

magnetron sputtering; varistor; sensor; nonwoven polypropylene; shielding material; electromagnetic field; shielding effectiveness

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Monografie
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 48, nr 17
• Strony: 128--128
• Opis fizyczny: Bibliogr. 258 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Ziaja J.

• Instytut Podstaw Elektroniki i Elektrotechnologii, Wydział Elektryczny, Politechnika Wrocławska, Wybrzeże Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław.

Bibliografia

• [1] AMRANI B., HAMZAOUI S., Characterization of ZnO films prepared by reactive sputtering at different oxygen pressures sputtering at different oxygen pressures, Catalysis Today, 2004, 89, 331–335.
• [2] ANIOŁCZYK H., Pola elektromagnetyczne. Źródła – oddziaływanie – ochrona, Wyd. Inst. Medycyny Pracy im. prof. J. Nofera, Łódź 2000.
• [3] ANIOŁCZYK H., Pola elektromagnetyczne wielkiego miasta z punktu widzenia ochrony środowiska, Biblioteka Monitoringu Środowiska, Warszawa 1996.
• [4] ARCIMOWICZ L.A., Czwarty stan materii, Omega, Wiedza Powszechna, Warszawa 1972.
• [5] ARTAUD M.-C., OUCHEN F., MARTIN L., DUCHEMIN S., CuInSe2 thin films grown by MOCVD: characterization, first devices, Thin Solid Films, 1998, 324, 115–123.
• [6] ASTM D 4935-99, Standard Test Method for Measuring the Electromagnetic Shielding Effectiveness of Planar Materials, ASTM, June 1999.
• [7] AULEYTNER K., Procesy elektryczne zachodzące na granicy ziaren ZnO w warystorach z tlenków metali, Wiadomości Elektryczne, 1995, nr 1.
• [8] BARSOUM M.W., ELKIND A., Low Breakdown Voltage Varistors by Grain Boundary Diffusion of Molten Bi2O3 in ZnO, Journal of Ceramics Society, 1996, 79(4), 962–966.
• [9] BIEŃKOWSKI P., Czy 0.1 W/m2 = 7 V/m?, Materiały Krajowej Konferencji Radiokomunikacji, Radiofonii i Telewizji, Warszawa 2004.
• [10] BIEŃKOWSKI P., Ochrona przed polem elektromagnetycznym – nowe przepisy, wymagania i pomiary, Mat. Krajowej Konferencji Radiokomunikacji, Radiofonii i Telewizji, Poznań, 14–16 maja 2001.
• [11] BIEŃKOWSKI P., TRZASKA H., Co promieniuje z komórki?, Materiały Krajowego Sympozjum Telekomunikacji, Bydgoszcz 2002.
• [12] BONARD J.M., CROCI M., KLINKE C., KURT R., NOURY O., WEISS N., Carbon nanotube films as electron field emitter, Carbon, 2002, 40(10), 1715–1728.
• [13] BOUSQUET A., SPINELLE L., CELLIER J., TOMASELLA E., Optical emission spectroscopy analysis of Ar/N2 plasma in reactive magnetron sputtering, Plasma and Polymers, 2009, 5605–5609.
• [14] BRAUNLICH P., Thermally stimulated relaxation in solids, Springer-Verlag, Berlin 1979.
• [15] BULA K., KOPROWSKA J., JANUKIEWICZ J., Application of Cathode Sputtering for Obtaining Ultrathin Metallic Coatings on Textile Products Fibre, Textile Eastern Europe, 2006, 59, 75–79.
• [16] BUNSHAH R.F., History an current status of vacuum metallurgy, J. Vac. Sci. Technol., 1994, A12(4), 936.
• [17] BURAKOWSKI T., SOLIŃSKI W., WIERZCHOŃ T., Inżynieria powierzchni metali, Wydawnictwo Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1992.
• [18] BURAKOWSKI T., WIERZCHOŃ T., Inżynieria powierzchni metali, WNT, Warszawa 1995, 449–549.
• [19] BURAKOWSKI T., WIERZCHOŃ T., Inżynieria powierzchni metali, WNT, Warszawa 1995, 449–549.
• [20] CHAPMAN B., Glow discharge processes, Wiley, New York 1980.
• [21] CHAPMAN B., MANGANO S., Introduction to sputtering, Handbook of Thin Film Deposition Procsses and Techniqes, K.K. Schuegraf (ed.), Noyes Publ., New York 1988.
• [22] CHAROY A., Zakłócenia w urządzeniach elektronicznych, t. 1, t. 3, WNT, Warszawa 2000.
• [23] CHENG H.M., LI F., SU G., PAN H.Y., HE L.L., SUN X., Large-scale and low-cost synthesis of singlewalled carbon nanotubes by the catalytic pyrolysis of hydrocarbons, Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 3282–3284.
• [24] CHIOU B.S., CHEN T.C., DUCH J.G., A ZnO varistor derived from metal oxide diffusion, J. Phys. D: Appl. Phys., 1989, 22, 844–847.
• [25] CHOI J.-H., TABATA H., KAWAI T., Initial preferred growth in zinc oxide thin films on Si and amorphous substrates by a pulsed laser deposition, Journal of Crystal Growth, 2001, 226, 493–500.
• [26] CHRZAN K.L., Wysokonapięciowe ograniczniki przepięć, Dolnośląskie Wydawnictwo Edukacyjne, Wrocław, 2003, 10–24.
• [27] CHU S.-Y., WATER W., LIAW J.-T., Influence of post deposition annealing on the properties of ZnO films prepared by RF magnetron sputtering, J. European Ceramic Soc., 2003, 23, 1593–1598.
• [28] CLASS W.H., Magnetron deposition of conductor metallization, Solid State Technology, 1983, 103.
• [29] CLAYTON R.P., Introduction to Electromagnetic Compatibility, A. Wiley-Interscience Publication, 1992.
• [30] ČERNOV A.A., GIVARGIZOV E.I., BAGDASAROV H.S., KUZNECOW V.A., DEMJANCEV L.N., LOBACZOV A.H., Sovremennaja kristallografija, tom II. Obrazowanie kristallov, Izd. Nauka, Moskva 1980.
• [31] CZERTNIEWSKI A.-W., Wstęp do fizyki plazmy, PWN, Warszawa 1971.
• [32] DOLK L., LITZÉN U., WAHLGREN G.M., Astron. Astrophys., 2002, 388, 692.
• [33] DORA J., Zasilacz rezonansowy, Patent PL Nr 313150, zgł. 13.03.1996.
• [34] DU Y., BUMETT J., HOM H., Magnetic Shielding Principles of Linear Cylindrical Shield at PowerFrequency, Proceedings Electromagnetic Compatibility, 1996, Symposium Record, IEEE 1996 International Symposium on EMC.
• [35] LLMER K., CEBULLA R., WENDT R., Transparent and conducting ZnO(:Al) films deposited by simultaneous RF- and DC-excitation of magnetron, Thin Solid Films, 1998, 317, 413–416.
• [36] FANA L., DONGMEIA J., XUEMING M., The influence of annealing on the magnetism of Fe-doped ZnO prepared by mechanical alloying, Physica B, 2010, 405, 1466–1469.
• [37] FANG Z., WANG Y., PENG X., LIU X., CONGMIAN Z., Structural and optical properties films grown on the AAO templates, Materials Letters, 2003, 57, 4187–4190.
• [38] FARUQUE M., HOSSAINA, NISHIIA J., TAKAGIA S., SUGIHARAD T., OHTOMOA A., FUKUMURAA T., KOINUMAA H., OHNOC H., KAWASAKIA M., Modeling of grain boundary barrier modulation in ZnO invisible thin film transistors, Physica, 2004, E 21, 911–915.
• [39] GATTOW G., SCHUTZE D., Überein Wismut (III)-oxid mit Höherem Sauerstoffgehalt (β-Modification), Z.F. Anorg. U. All. Chem., 1964, 328, 44–67.
• [40] GEORGE S., MUNSEE J.H., VERGÉS J., Hyperfine-structure measurements in bismuth using a Fourier transform spectrometer, J. Opt. Soc. Am., 1985, 2, 1258–1263.
• [41] GŁUSZEK J., Tlenkowe powłoki ochronne otrzymywane metodą sol–gel, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 1998, 12–21.
• [42] GOROHOWATSKIJ Y.A., Osnowy termodepolarizacionnova analiza, Nauka, Moskwa 1981. [43] GRILL A., Cold plasma in materials fabrication, IEEE PRESS, 1993.
• [44] GRUDZIŃSKI E., NICHOGA V., Małe i duże pola oraz ich „szkodliwa rola”, Materiały Krajowego Sympozjum Telekomunikacji, Bydgoszcz 2005.
• [45] GRUDZIŃSKI E., WÓJCIK D., Prognozowanie narażeń elektromagnetycznych w polu bliskim anten stacji bazowych GSM, Materiały Krajowej Konferencji Radiokomunikacji, Radiofonii i Telewizji, Warszawa 2004.
• [46] GRYZ K., KARPOWICZ J., Pomiary pól elektromagnetycznych i ocena ekspozycji zawodowej – wymagania PN-T-06580:2002 i zasady stosowane w krajach Unii Europejskiej, Medycyna Pracy, 2003, 54 (3), 279–284.
• [47] GU D., BAUMGART H., TAREK M., FATTAH A., NAMKOONG G., Synthesis of Nested Coaxial Multiple-Walled Nanotubes by Atomic Layer Deposition, ACSNANO, 2010, Vol. 4, No. 2, 753–758.
• [48] GUBAŃSKI A., MACALIK B., KUCZERA Z., Polish patent No. P-245128 (1985).
• [49] GUBAŃSKI A., MIELCAREK W., PAŚCIAK G., Pomiary prądów TSD warystora, Mat. Konf. Postępy w Elektrotechnologii, Szklarska Poręba (14–16.09.1994), 323–326.
• [50] GUBAŃSKI A., ZIAJA J., MIŚTA W., Thermally stimulated currents of Zn–Bi–O thin film arresters, Functional Materials, 2004, Vol. 11, No. 1, 82–84.
• [51] GULLBERG D., LITZÉN U., Accurately Measured Wavelenghts of ZnI and ZnII Lines of Astrophysical Interest, Phys. Scr., 2000, 61, 652–656.
• [52] GUO S., DU Z., Influence of defects on magnetism of Co-doped ZnO, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2012, 324, 782–785.
• [53] GUOJIA F., DEJIE L., BAO-LUN Y., Fabrication and characterization of transparent conductive Zn:Al thin films prepared by direct current magnetron sputtering with highly conductive ZnO(ZnAl2O3) ceramic target, Journal of Crystal Growth, 2003, 247, 393–400.
• [54] GUZIEWICZ E., KOWALIK I.A., GODLEWSKI M., KOPALKO K., OSINNIY V. et al., Extremely low temperature growth of ZnO by atomic layer deposition, Journal of Applied Physics, 2008, 103, 033515– 0335121.
• [55] HAYASHI M., HABA M., HIRANO S., OKAMOTO H., WATANABE M., Degradation mechanism of zinc oxide varistors under dc bias, J. Appl. Phys., 1982, 53(8), 5754–5762.
• [56] HACKETT P.A., HUMPHRIES M.R., MITCHELL S.A., RAYNER D.M., The first ionization potential of zirconium atoms determined by two laser, field-ionization spectroscopy of high lying Rydberg series, J. Chem. Phys., 1986, 85, 3194.
• [57] HEINZ B., Metoda rozpylania magnetronowego do produkcji cienkich warstw dla elektroniki, Elektronika, 1981, No. 9, 3–12.
• [58] HEINZ B., PATZ U., Technologia rozpylania jonowego o dużej szybkości z magnetronami planarnymi, Elektronika, 1981, nr 6, 20–25.
• [59] HESS W., GRAVES D.B., In microelectronics Processing, W.D. Hess, K.F.J. Washington (eds.), DC: American Chemical Society, 1989, 337.
• [60] HOANG N.H., WOJKIEWICZ J.L., MIANE J.-L., BISCARRO R.S., Lightweight electromagnetic shields using optimized polyaniline composites in the microwave band, Polym. Adv. Technol., 2007, 18, 257–262.
• [61] HODAKOWSKIJ I.L., ELKIN A.E., Eksperimientalnoje opredelenije rastworimosti cinkita w wodie i wodnych rastworah NaOH pri temperaturach 100, 150 i 200 C, Geohimia, 1975, 10, 1490–1497.
• [62] HOLLOWAY C.L., SARTO M.S., JOHANSSON M., Analyzing Carbon-Fiber Composite Materials with Equivalent-Layer Models, IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility, 2005, 47, No. 4, 833–844.
• [63] HONG W.-K., SONG S., KWON D.-K., JO G., SEONG-PARK J., LEE T., Effects of surface roughness on the electrical characteristics of ZnO nanowire field effect transistors, Applied Surface Science, 2008, 254, 7559–7564.
• [64] HONIG R.E., The sputtering of silicon carbide, Proceeding of the „5th Conference Ionization Phenomena in Gases”, Munich, 1961, 106–117.
• [65] HOSOKAWA N., TSUKADA T., KITAHARA H., Effect of discharge current and sustained slefsputtering, Proc. 8th International Vaccum Congres, 22–26 Sept. 1980, Cannes, Supplement Levide les Couches Minces, No. 201, 11–14.
• [66] HOZER L., Interpretacja procesu degradacji parametrów elektrycznych tworzywa warystorowego na bazie ZnO w warunkach pracy, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego WEMA, 1988.
• [67] HOZER L., Półprzewodzące materiały ceramiczne z aktywnymi granicami ziarn, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa 1990.
• [68] IGASAKIA Y., NAITO T., MURAKAMI K., TOMODA W., The effects of depositions conditions on the structural properties on ZnO sputtered films on sapphire substrates, Applied Surface Science, 2001, 169–17a, 512–551.
• [69] JAROSZEWSKI M., POSPIESZNA J., ZIAJA J., Dielectric properties of polypropylene fabrics with carbon plasma coatings for applications in the technique of electromagnetic field shielding, Journal of Non-Crystalline Solids, 2010, 356, 625–628.
• [70] JAROSZEWSKI M., ZIAJA J., JUCHIM S., MIŚTA W., Properties of thin films arrested obtained by metal evaporation, Przegląd Elektrotechniczny, APTADM ’2001, 271–273.
• [71] JAROSZEWSKI M., POSPIESZNA J., ZIAJA J., OZIMEK M., Composites made of polypropylene nonwoven fabric with plasmas layers, Polypropylene, ISBN 979-953-307-489-3, Book edited by: Asst. Prof. Dr. Fatih Dogan, InTech 2012, w druku.
• [72] JIA X., QIN M., YANG W., Magnetism in Cr doped ZnO: Density-functional theory studies, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2011, 323, 1423–1427.
• [73] KACPRZYK R., ZIAJA J., Properties of corona charged plasma vapour deposited PTFE film, Journal of Electrostatic, 1997, 40–41, 319–323.
• [74] KACZMAREK R., Kompozyty włókniste otrzymywane przez natryskiwanie plazmowe, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław, 1996, 24–41.
• [75] KAMEDUŁA M., Zagrożenia ludzi przez energię elektromagnetyczną systemów telekomunikacji krań- cowo długofalowej, Przegląd Telekomunikacyjny, 2001, nr 8–9.
• [76] KANG H.-S., KANG J.-S., KIM J.-W., LEE S.-Y., Annealing effect on the property of ultraviolet and green emissions of ZnO thin films, J. Appl. Phys., 2004, 95, 1246–1250.
• [77] KESHTKAR A., MAGHOUL A., KALANTARNIA A., HASHEMPOUR H., Proceedings of Second International Conference on Computer and Electrical Engineering, 2009, 372–375.
• [78] KIENEL G., Sputtering-a method to produce functional films for substrate protection, Verschliß- und Korrosionsschutz durch ionen- und plasmagestützte Vakkumbeschichtngstechnologien (PVD-Verfahran), Internationale Tagung, 1983, 15/16, 3, 59.
• [79] KIM K.-S., KIM H.-W., LEE C.-M., Microstructural properties of ZnO epitaxial films grown on pInP(1 0 0) substrates at low temperature, Materials Science and Engineering, 2003, B98, 135–139.
• [80] KIM K.-S., KIM H.-W., KIM N.-H., Structural characterization of ZnO films grown on SiO2 by the RF magnetron sputtering, Physica, 2003, B 334, 343–346.
• [81] KIM N.-H., KIM H.-W., Room temperature growth of zinc oxide films on Si substrates by the RF magnetron sputtering, Materials Letters, 2004, 58, 938–943.
• [82] KIM S.-Y., LEE J.-S., Characterization of an argon magnetron plasma by a cylindrical Langmuir probe, Journal of Materials Science Letters, 1997, No. 16, 547–549.
• [83] KIM T.W., YOON Y.S., Microstructural properties of ZnO epitaxial films grown on p-InP(1 0 0) substrates at low temperature, Journal of Crystal Growth, 2000, 212, 411–415.
• [84] KIM U.-K., LEE T.-Y., PARK Y.-S., GHOSH S., HONG B., KIM Y.-S., SONG J.-T., Improved crystallization characteristics of ZnO thin film grown onto a-C:H film used as a buffer layer, Thin Solid Films, 2007, 515, 4988–4991.
• [85] KIMA E.-K., KIMB Y.-S., The effect on the annealing temperature of Li doped ZnO thin film for a film bulk acoustic resonator, Superlattices and Microstructures, 2007, 42, 343–347.
• [86] KIMMEL M., SINGER H., Numerical Computation of Anisotropic Shielding Materials Based on the Method of Moments, IEEE Int. Symp. on EMC, Santa Clara 1996, Konf. Band., 87–91.
• [87] KOPROWSKA J., ZIAJA J., JANUKIEWICZ J., Modification of polypropylene textiles with conductive films, using the magnetron sputtering technique, European Polymer Congress, 2007, Portoroz, Slovenia.
• [88] KOPROWSKA J., ZIAJA J., JANUKIEWICZ J., Plasma metallization textiles as schield for electromagnetic fields, Proc. of the 8th Sympodium on Electromagnetic Compability (EMC Europe), Germany, Hamburg 2008, 493–496.
• [89] KOPROWSKA J., ZIAJA J., KUSIAKIEWICZ J., Wyrób włókienniczy tłumiący pole elektromagnetyczne i urządzenie do wytwarzania wyrobu włókienniczego tłumiącego pole elektromagnetyczne, zgłoszenie patentowe nr P.397977, 02.02.2012.
• [90] KORDUS A., Plazma w technice, Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Poznańskiej, Poznań 1973
• [91] KORDUS A., Plazma, właściwości i zastosowanie w technice, WNT, Warszawa 1985.
• [92] KOSMAMAN M.S., PETTSOLD E.G., O wozmoznosti izgotowlenija simitriczeskich varistorov iz okosi cinka s primiestju okosi bizmuta, Uch. Zap. Leningr. Gos. Pedagog Inst. im Gertsena, 1961, 207, 191–106.
• [93] KOSMAN M.S., GESSE J.A., Dielektriczeskaja pronikajemost okisi cinka s primesju okisi bizmuta, Izvest. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz., 1958, 22(3), 315–318.
• [94] KRZYSZTOFIK W., HALUCH M., Kwalifikacja terminali doręcznych telefonii komórkowej w aspekcie narażeń elektromagnetycznych, Materiały Krajowej Konferencji Radiokomunikacji, Radiofonii i Telewizji, Warszawa 2004.
• [95] KUKLA R., KRYG T., LUDWIK R., WILMES K., A highest rate self-sputering magnetron source, Vacuum, 1990, Vol. 41, No. 7–9, 1968–1970.
• [96] KUTTY T.R., RAGHAU N., Characterization of chemically prepared ZnO powders in relation to nonlinear resistors, J. Eur. Ceram. Soc., 1993, 11, 161–170.
• [97] KUZMINA I.P., NIKITENKO W.A., Okis cinka, Nauka, Moskwa 1984.
• [98] LABUNOW W.A., DANIŁOWICZ N.I., UKSUSOW A.S., MINAJCZEW W.E., Sowremiennyje magnetronnyje rasylitielnyje ustroistwa, Zar. Elektr. Techn., 1982, No. 10, 3.
• [99] LAFRAMBOISE J.G., Theory of spherical an cylindrical Langmuir probes in collisionless maxwellian plasma at rest, University of Toronto, Institute of Aerospace Studies, UTIAS Report No. 100, 1996.
• [100] LALLEMAND G., FAYEULLE S., TREHEUX D., Fabrication process of spinel powder for plasma spraying, PII: S, 1998, 0955–2219, 00030–2.
• [101] LANGLEY R.J., DRINKWATER A.J., Improved empirical model for the jerusalem cross, IEE Microw. Opt. Antennas, 1982, Vol. 129, No. 1, 1–6.
• [102] LAUDISE R.A., KOLB E.D., The solubity of zincite in basic hydrothermal solvents, J. Am. Mineral., 1963, 45, 278–281.
• [103] LEAA K., CHOI J.M., HWANAGA D.K., OHA M.K., KIMB JUNG Y., OHA K., IMA S., Top-gate zno thin-film transistors with a polymer dielectric designed for ultraviolet optical gating, Sensors and Actuators A, 2008, 144, 69–73.
• [104] LEE D.-H., PARK K.-H., SANGSIG K., LEE S.-Y., SANG, Effect of Ag doping on the performance of zno thin film transistor, Thin Solid Films, 2011,Vol. 520, 1160–1164.
• [105] LEE J., LEE D., LIM D., YANG K., Structural, electrical and optical properties of ZnO:Al films deposited on flexible organic substrates for solar cell applications, Thin Solid Films, 2007, 515, 6094–6098.
• [106] LEE J.-B., KIM H.-J., KIM S.-G., HWANG C.-S., HONG S.-H., SHIN Y.-H., LEE N.-H., Deposition of ZnO thin films by magnetron sputtering for a film bulk acoustic resonator, Thin Solid Films, 2003, 435, 179–185.
• [107] LEE J.-H., AHN C.-H., HWANG S., WOO C.-H., PARK J.-S., CHO H.-K., LEE J.-Y., Role of the crystallinity of ZnO films in the electrical properties of bottom-gate thin film transistors, Thin Solid Films, 2011, 519, 6801–6805.
• [108] LEE J.-H., YEO B.-H., PARK B.-O., Effects of the annealing treatment on electrical and optical properties of ZnO transparent conduction films by ultrasonic spraying pyrolysis, Thin Solid Films, 2004, 57, 333–337.
• [109] LEVIN E.M., ROTH R.S., Polymorphism of bismuth sesquioxide. I. Pure Bi2O3, J. Res. Nat. Bur. Stand. Sect., 1964, A 68(2), 189–195.
• [110] LIM J., KWON S., KIM H., ZnO thin films prepared by atomic layer deposition and rf sputtering as an active layer for thin film transistor, Thin Solid Films, 2008, 516, 1523–1528.
• [111] LIM W.-T., LEE C.-H., Highly oriented thin films deposites on Ru/Si substrates, Thin Solid Films, 1999, 353, 12–15.
• [112] LIN S.-S., HUANG J.-L., LII D.-F., The effects of r.f. power and substrate temperature on the properties of ZnO films, Surface and Coatings Technology, 2004,176, 173–181.
• [113] LIU C.-Y., ZHANG B.-P., BINH N.-T., SEGAWA Y., Third-harmonic generation from ZnO films deposited by MOCVD, Applied Physics B, Lasers and Optics, 2004, 83–86.
• [114] LIX H., HUANG A.-P., ZHU M.-K., XU Sh.-L., CHEN J., WANG H., WANG B., YAN H.-J., Influence of substrate temperature on the orientation and optical properties of sputtered ZnO films, Materials Letters, 2003, 57, 4655–4659.
• [115] MA T.-Y., SHIM D.-K., Effects of rapid thermal annealing on the morphology and electrical properties of ZnOyIn films, Thin Solid Films, 2002, 410, 8–13.
• [116] MACHCZYŃSKI W., Wprowadzenie do kompatybilności elektromagnetycznej, Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej, Poznań 2004.
• [117] MAHMOOD F.S., GOULD R.D., HASSAN A.K., SALICH H.M., D.C. properties of ZnO thin films prepared by r.f. magnetron sputtering, Thin Solid Films, 1995, 270, 376–379.
• [118] MARCUVITZ N., Waveguide Handbook, McGraw-Hill, New York 1951.
• [119] MARTIN W.C., KAUFMAN V., MUSGROVE A., J. Phys. Chem., 1993, Ref. Data 22, 1179.
• [120] MASUYAMA T., MATSUOKA M., Current dependence of voltage nonlinearity in SiC varistors, Jpn. J. Appl. Phys., 1968, 7, 12794.
• [121] MATSUOKA M., MASUYAMA T., IIDA Y., Voltage nonlinearity of zinc oxide doped with alkali-earth metal oxide, Jpn. J. Appl. Phys., 1969, 8, 1275–1276.
• [122] MEDERMACH J.W., SYNDER R.L., Powder diffraction and structures of the bismuth oxides, J. Am. Ceram. Soc., 1978, 61(11–12), 494–497.
• [123] MENG L., ZHENG L., CHENG L., YAO Z., LI G., BERNIK S., Enhancement of the electrical stability of zno varistors by a novel immersion process, J. Am. Ceram. Soc., 2011, 94(9), 2939–2945 (2011), DOI: 10.1111/j.1551-2916.2011.04453.x
• [124] MICHALSKI A.J., Fizykochemiczne podstawy otrzymywania powłok z fazy gazowej, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2000.
• [125] MICHALSKI A.J., Metody PVD stosowane do nanoszenia warstw materiałów twardych i trudnotopliwych na narzędzia skrawające, Metaloznawstwo, Obróbka cieplna, 1986, nr 9.
• [126] MIELCAREK W., Uwarunkowania technologiczne warystorów tlenkowych, Wydawnictwo Instytutu Elektrotechniki, Zeszyt 212, Warszawa 2002.
• [127] MIERNIK K., Działanie i budowa magnetronowych urządzeń rozpylających, Wydawnictwo Instytutu Technologii Eksploatacji, Radom 1997.
• [128] MINNHAGEN L., J. Opt. Soc. Am. 1971, 61, 1257.
• [129] MIŚTA W., ZIAJA J., GUBAŃSKI A., Varistor performance of nanocrystalline Zn–Bi–O thin films prepared by reactive RF magnetron sputtering at room temperature, Vacuum, 2004, Vol. 74, 293–296.
• [130] MOHAMMED H. AL-SALEH, UTTANDARAMAN S., Electromagnetic interference shielding mechanisms of CNT/polymer composites, Carbon, 2009, 47, 1738–1746.
• [131] MOORE C.E., Natl. Stand. Ref. Data Ser., Natl. Bur. Stand. (U.S.) 3, Sect. 7 (1975).
• [132] MÜNZ D., Rozpylanie reaktywne azotków i węglików, Elektronika, 1986, nr 5, 3.
• [133] MÜNZ D., TiAlN films: a new alternative to TiN coatings, Proc. Int. Conf. Metall. Coatings, San Diego 1986, 7–11, 2.
• [134] MUTHUKUMAR S., GORLA C.R., EMANETOGLU N.W., LIANG S., LU Y., Control of morphology and orientation of ZnO thin films grown on SiO2/Si substrates, Journal of Crystal Growth, 2001, 225, 197–201.
• [135] NITKIEWICZ Z., Wykorzystanie łukowych źródeł plazmy w inżynierii powierzchni, Wydawnictwo Wydziału Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Politechniki Częstochowskiej, Częstochowa 2001, 56–74.
• [136] Norma PN-T-06580 Ochrona pracy w polach i promieniowaniu elektromagnetycznym o częstotliwościach od 0 Hz do 300 GHz.
• [137] NUNESA P., MALIKA A., FERNANDESA B., FORTUNATOA E., VILARINHOB P., MARTINSA R., Influence of the doping and annealing atmosphere on zinc oxide thin _lms deposited by spray pyrolysis, Vacuum, 1999, 52, 45–49.
• [138] OHSHIMA T., THAREJA R.K., IKEGAMI T., EBIHARA K., Preparation of ZnO thin films on various substrates by pulsed laser deposition, Surface and Coatings Technology, 2003, 169–170, 517–520.
• [139] OLSSON E., DUNLOP G., OSTERLUND R., Development of Functional Microstructure during Sintering of a ZnO Varistor Material, Journal of American Ceramic Society, 1993, 76(1), 65–71.
• [140] OLSSON E., DUNLOP G.L., Characterisation of individual interfacjal barriers in ZnO varistor material, J. Appl. Phys., 1989, 66, 3666–3676; http://dx.doi.org/10.1063/1.344453.
• [141] OLSSON E., DUNLOP G.L., The effect of Bi2O3 content on the microstructure ond electrical properties of ZnO varistor materials, Dep. of Phys. Of Chalmers University of Technology Gothenborg, S-412, 96.
• [142] ONDO-NDONG R., PASCAL_DELANNOY F., BOYER A., GIANI A., FOUCARAN A., Structural properties of zinc oxide thin films prepared by r. f. magnetron sputtering, Mater. Sci. and Eng., 2003, B9, 68–73.
• [143] OPYDO W., RANACHOWSKI J., Właściwości elektryczne próżniowych układów izolacyjnych przy napięciu przemiennym, PWN, Poznań 1993.
• [144] PALATNIK L.S., FUKS M., KOSZEWICZ B.M., Mechanizm i substruktura kondensirowanych plionok, Izd. Nauka, Moskwa 1972.
• [145] PENG Y.D., HUO D., HE H., LI Y., LI L., WANG H., QIAN Z., Characterization of ZnO:Coparticles prepared by hydrothermal method for room temperature magnetism, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2012, 324, 690–694.
• [146] PENNING F.M., Die Glimmentladung bei niedrigem Druck Zwischen Koaxialen Zylindern in Einem Axialen Magnetfeld, Physica III, 1936, No. 9, 873.
• [147] PERUMALRAJ B.S., DASARADAN B.S., Electromagnetic shielding effectiveness of doubled coppercotton yarn woven materials, FIBRES & TEXTILES in Eastern Europe 2010, Vol. 18, No. 3(80), 74–80.
• [148] POSADOWSKI W.M., Niekonwencjonalne układy magnetronowe do próżniowego nanoszenia cienkich warstw, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 2001.
• [149] POSADOWSKI W.M., Katoda wnękowa prostokątna WMP/5x10, Elektronika, 1998, nr 10–11, 13–16.
• [150] POSADOWSKI W.M., Low pressure magnetron sputtering using ionized, sputtered species, Surface Coatings Technology, 1991, Vol. 49, No. 1/3, 290–292.
• [151] POSADOWSKI W.M., Plasma parameter of very high target power density magnetron sputtering, Thin Solid Films, 2001, Vol. 392/2, 201–207.
• [152] POSADOWSKI W.M., Przemysłowo-laboratoryjny magnetronowy układ rozpylający WMT, Elektronika, 1989, nr 6, 33–35.
• [153] POSADOWSKI W.M., The glow discharge parameters of high efficiency magnetron sputtering, Precedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass, 3rd ICCG, 29 October–2 November 2000, Maastricht 2000, 201–213.
• [154] POSADOWSKI W.M., Wyrzutnia magnetronowa, Politechnika Wrocławska, Patent nr 1594242, zgłosz. Nr P 274034 z 01.08.1988, opubl. 30.11.1992.
• [155] POSADOWSKI W.M., Wyrzutnia magnetronowa, Politechnika Wrocławska, Patent nr 1594435, zgłosz. Nr P 279139 z 25.04.1989, opubl. 30.12.1992.
• [156] POSADOWSKI W., Magnetron kołowy MK – 100. Opracowanie koncepcji i dokumentacji konstrukcyjnej, Raport PWr Nr , Wrocław, 1990.
• [157] POSPIESZNA J., Efektywność ekranowania elektromagnetycznego. Wybrane zagadnienia, VII Sympozjum „Problemy eksploatacji układów izolacyjnych wysokiego napięcia” EUI’99, (1999), 347– 353.
• [158] POSPIESZNA J., Postępy materiałowe w technice ekranowania pola elektromagnetycznego, Przegląd Elektrotechniczny, 2006, Vol. 4, 205–207.
• [159] PURICA M., BUDIANU E., RUSU E., DANILA M., GAVRILA R., Optical and structural investigation of ZnO thin films prepared by chemical vapor deposition (CVD), Thin Solid Films, 2002, 403–404, 485–488.
• [160] REDHEAD P.A., Instabilities in cross-field discharges at low pressures, Vacuum, 1988, Vol. 38 (8/9), 901.
• [161] REYES P.G., MENDEZ E., CASTILLO F., Study of the plasma emission lines of different pressure of gas, http://icpp2006.kiev.ua/CD/pdl/d169pdl.pdf.
• [162] REYES P.G., MENDEZ E., OSORIO-GONZALEZ D.M, CASTILLO F., MARTINEZ H., Optical emission spectroscopy of CO2 glow discharge at low pressure, Phys. Stat. Sol. (C), 2008, No. 4, 907–910.
• [163] ROCHALSKA M., Oddziaływanie pola elektromagnetycznego na organizmy żywe zwierzęce i roślinne, Materiały Krajowego Sympozjum Telekomunikacji, Bydgoszcz 2002.
• [164] Rozporządzenie Min. Pracy i Polityki Socjalnej z dn. 2.01.2001 zmieniające rozporządzenie w sprawie dopuszczalnych stężeń i natężeń czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy (Dz.U. nr 4 z dn.23.01.2001, poz. 36).
• [165] Rozporządzenie Ministra Pracy i Polityki Socjalnej z dn. 23 grudnia 1994 r. zmieniające rozporzą- dzenie w sprawie najwyższych dopuszczalnych stężeń i natężeń czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy (Dz. U. nr 3 z 1995, poz. 16).
• [166] Rozporządzenie Ministra Pracy i Polityki Społecznej z dn. 29.11.2002 w sprawie najwyższych stężeń i natężeń czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy (Dz.U. nr 217, poz. 1833).
• [167] Rozporządzenie Ministra Pracy, Płacy i Spraw Socjalnych oraz Zdrowia i Opieki Społecznej z dn. 19 lutego 1977 r. w sprawie bezpieczeństwa i higieny pracy przy stosowaniu urządzeń wytwarzają- cych pola elektromagnetyczne w zakresie od 0,1 MHz do 300 MHz (Dz. U. nr 8 z 1977 r.).
• [168] Rozporządzenie Ministra Środowiska z dn. 30.10.2003 r. w sprawie dopuszczalnych poziomów pól elektromagnetycznych w środowisku oraz sposobów sprawdzania dotrzymania tych poziomów, Dz. U. Nr 192 z 14 listopada 2003 r., poz. 1883.
• [169] Rozporządzenie Ministra Zdrowia z 20.12.2002 zmieniające rozporządzenie w sprawie badań i pomiarów czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy (Dz. U. nr 21 z 2003 r., poz. 180).
• [170] Rozporządzenie Rady Ministrów z dn. 25 maja 1972 r. w sprawie bezpieczeństwa i higieny pracy przy stosowaniu urządzeń wytwarzających pola elektromagnetyczne w zakresie mikrofalowym (Dz. U. nr 21 z 1972 r., poz. 153).
• [171] Rozporządzenie Rady Ministrów z dn. 29.11.2004 w sprawie określenia rodzajów przedsięwzięć mogących znacząco oddziaływać na środowisko oraz szczegółowych uwarunkowań związanych z kwalifikowaniem przedsięwzięcia do sporządzenia raportu oddziaływania na środowisko (Dz.U. nr 257, poz. 2573).
• [172] Rozporządzenie Rady Ministrów z dn. 5 listopada 1980 r. w sprawie szczegółowych zasad ochrony przed elektromagnetycznym promieniowaniem niejonizującym szkodliwym dla ludzi i środowiska (Dz. U. nr 25 z 1980, poz. 101).
• [173] SARTO M.S., SARTO F.M.C., LARCIPRETE M.C., SIBILIA C., Transparent films for elektromagnetic schielding of plastics, Rev. Adv. Mater. Sci., 2003, 5, 329–336
• [174] SARTO M.S., SARTO F., LARCIPRETE M.C., SIBILIA C., D’AMORE M., BERTOLOTTI M., SCALORA M., Nanolayered metal-based films for transparent EM shields, ICEAA 2003, Turin, Italy, Sept. 9–11, 2003.
• [175] SARTO M.S., SARTO F., LARCIPRETE M.C., SIBILIA C., Electromagnetics of nanolayered transparent metals, URSI EMTS 2004, 682–684.
• [176] SARTO M.S., TAMBURRANO A., SARTO F., Schielding performance sof innovative transparentmetalsagainst radio ferquency EM fields, IEE International Sympodium on EMC, Santa Clara (CA), Aug. 10–15, 2004.
• [177] SARTO M.-S., EM performance of composite materials and metallized plastics for industrial application, Toronto 2002.
• [178] SARTO M.-S., TAMBURRANO A., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2006, Vol. 48, No. 2, 331–341.
• [179] SARTO M.-S., Electromagnetic shielding of thermoformed lightweight plastic screens, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2004, Vol. 46, No. 4, 558–566.
• [180] SARTO M.-S., TAMBURRANO A., Innovative Test Method for the Shielding Effectiveness Measurement of Conductive Thin Films in a Wide Frequency Range, IEEE Transactions On Electromagnetic Compatibility, 2006, Vol. 48, No. 2, 331–341.
• [181] SARTO M.-S., VOTI R., SARTO F., LARCIPRETE M.C., Nanolayered lightweight flexible shields with multidirectional optical transparency, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2005, Vol. 47, No. 3, 602–610.
• [182] SBROCKEY N.M., SHANTHI G., ZnO thin films by MOCVD, III-Vs REVIEW, The Advanced Semiconductor Magazine, 2004, Vol. 17, No.7.
• [183] SCHOLZA J., NOCKEA G., HOLLSTEINB F., WEISSBACHB A., Investigations on fabrics coated with precious metals using the magnetron sputter technique with regard to their anti-microbial properties, Surface & Coatings Technology, 2005, 192, 252–256.
• [184] SCHULZ R.B., PLANTZ V.C., BRUSH D.R., Shielding theory and practice, IEEE Trans. on Electromag. Compatibility, 1998, Vol. 30, No. 3, 187–201.
• [185] SESSLER W.M., Electrets, Springer-Verlag, Berlin 1980.
• [186] SOKOŁOWSKA A., Niekonwencjonalne środki syntezy materiałów, PWN, Warszawa 1991.
• [187] SUBOCZ J., KOWALSKI D., ZIAJA J., Wpływ parametrów zasilania na promieniowanie wysokonapięciowych lamp UV, Przegląd Elektrotechniczny, 2006, Vol. 4, nr 1, 238–240.
• [188] SUBOCZ J., KOWALSKI D., ZIAJA J., Zasilacz "UNINAV" do wysokonapięciowych lamp wyładowczych, Postępy w Elektrotechnologii, VI Konferencja naukowa, Jamrozowa Polana, 20–22 września 2006, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2006, 347–350.
• [189] SUKKAR M.-H., TULLER H.-L., Grain Boundaries and Interface in Ceramics, Vol. 7, ed. by M.F. Yan and A.H. Heuer (Am. Cer. Soc.), Columbus Ohio, 1983, 71–90.
• [190] ŚWIT A., PÓŁTORAK J., Przyrządy półprzewodnikowe, Wydawnictwo Naukowe, Warszawa 1979, 22.
• [191] TAPILY K., GU D., BAUMGART H., NAMKOONG G., STEGALL D., ELMUSTAFA A.A., Mechanical and structural characterization of atomic layerdeposition-based ZnO films, Semicond. Sci. Technol., 2011, 26, 115005 (7pp).
• [192] THOMAS D.G., J. Phys Chem. Solidy, 1957, 3, 229.
• [193] THORNTON J.-A., Coating deposition by sputtering, Deposition Technologies for films an coatings, ed. R.F. Bunshah, Noyes Publ. Park Ridge, New York 1982.
• [194] THORNTON J.A., PENFOLD A.S., Cylindrical magnetron sputtering. Thin film processes, ed. J.L. Vessen and Kern, Academic Press, New York 1978.
• [195] TOMASZEK R., PAWLOWSKI L., ZDANOWSKI J., GRIMBLOT J., LAUREYNS J., Microstructural transformations of TiO2, Al2O3+13TiO2 and Al2O3+40TiO2 at plasma spraying and laser engraving, Surface & Coatings Technology, 2004, 185, 137–149.
• [196] TOMINAGA K., MURAYAMA T., UMEZU N., MORI I., USHIRO T., MORIGA T., NAKABAYASHI I., Properties of films of multilayer ZnO:Al and ZnO deposited by an alternating method, Thin Solid Films, 1999, 343–344, 160–163.
• [197] TRZASKA H., Góra urodziła mysz. O nowelizacji uregulowań prawnych w dziedzinie ochrony pracy przed niepożądaną ekspozycją na pola elektromagnetyczne, Przegląd Telekomunikacyjny, 2001, nr 8–9.
• [198] TRZASKA H., Wspomaganie naturalnego środowiska elektromagnetycznego, Materiały Krajowego Sympozjum Telekomunikacji, Bydgoszcz 2002.
• [199] TRZASKA H., Pole elektromagnetyczne a materia ożywiona, Materiały Krajowego Sympozjum Telekomunikacji, Bydgoszcz 2005.
• [200] TSIVGOULI A., TSILI M., KLADAS A., GEORGILAKIS P., ATHANASSIOS T., SOUFLARIS, SKARLATINI A.D., Geometry optimization of electric shielding in power transformers based on finite element method, Journal of Materials Processing Technology, 2007, 181, 159–164.
• [201] TURNHOUT J., Thermally Stimulated Discharge of Polymer Electrets, Elsevier, Amsterdam 1975.
• [202] UMEKAWA S., NITTA A., TANAKA K., KUSABIRAKI M., AOZASA M., Optical emission spectroscopy of rf – magnetron sputtering plasma for fabrication of ZnS:Mn active layer in thin film EL devices, Mem. Fac. Eng., Osaka City Univ., 1995, Vol. 36, 13–19.
• [203] Ustawa z dn. 18.05.2005 o zmianie ustawy – Prawo ochrony środowiska oraz niektórych innych ustaw (Dz.U. nr 113, poz. 954).
• [204] Ustawa z dn. 27.04.2001 – Prawo ochrony środowiska (Dz. U. nr 62/2001, poz. 627).
• [205] VALEYEV Kh.S., KNAYAZEV V.A., DROZDOV N.G., Electrichestvo, 1964, 4, 72.
• [206] WAHLGREN G.M., BRAGE T., BRANDT J.C., FLEMING J., JOHANSSON S., LECKRONE D.S., PROFFITT C.R., READER J., SANSONETTI C.J., Astrophys. J., 2001, 551, 520.
• [207] WAITS R., Planar magnetron sputtering. Thin film Processes, ed. J.L. Vossen, W. Kern, Academic Press, New York 1978, 131.
• [208] WANG H., CHIANG Y.M., Thermodynamic stability of intergranular amorphous films in bismuthdoped zinc oxide, J. Am. Ceram. Soc., 1998, 81(1), 89–96.
• [209] WANG L.-B., SEE K.-Y., ZHANG J.-W., SALAM B., LU A.-C., Ultrathin and flexible screen-printed metasurfaces for emi shielding applications, IEEE Transactions On Electromagnetic Compatibility, 2011, Vol. 53, No. 3.
• [210] WANG Y.-Y., JING X., Intrinsically conducting polymers for electromagnetic interference shielding, Polym. Adv. Technol., 2005, 16, 344–351.
• [211] WANGA L.-L., TAYB B.-K., SEEB K.-Y., SUNA Z., TANB L.-K., LUAB D., Effect of oxyfluorination on electromagnetic interference shielding, Carbon, 2009, 47, 1905–1910.
• [212] WASA K., HAYAKAWA S., Handbook of sputter deposition technology: principles, technology and applications, Noyes Publications, Park Ridge, New Jersey 1992.
• [213] WEN S.D.D.L. CHUNG D.D.L., Electromagnetic interference shielding reaching 70 dB in steel fiber cement, Cement and Concrete Research, 2004, 34, 329–332.
• [214] WENDLANDT W., Thermal methods of analysis, J. Wiley and Sons, New York 1974.
• [215] WIATROWSKI W., POSADOWSKI W.M., DORA J., Impulsowe zasilanie układu magnetronowego – parametry technologiczny procesu rozpylania, Elektronika, 2005, Nr 6, 33–34.
• [216] WIĘCKOWSKI T.W., JANUKIEWICZ J.M., Method for evaluating the shielding effectiveness of textiles, FIBRES & TEXTILES in Eastern Europe, January/December 2006, Vol. 14, No. 5(59), 18–22.
• [217] WOJKLEWICZ J.L., HOANG N.N., REDON N., MIANE J.L., Intrinsically conducting nanocomposites: High performance electromagnetic shielding materials, VI Int. Symp. on Electromagnetic Compatibility and Electromagnetic Ecology, Russia, St. Petersburg 2005, 58–61.
• [218] WOLFF K., HILLERINGMMANN U., Inverter circuits on glass substrates based on ZnO-nanoparticle thin film transistors, Solid-State Electronics, 2001, Vol. 267, 11–16.
• [219] WÓJCIK D., SZCZEPAŃSKI K., TOPA T., Absorpcja energii elektromagnetycznej przez ciało człowieka w bliskim sąsiedztwie anteny stacji bazowej GSM, Materiały Krajowej Konferencji Radiokomunikacji, Radiofonii i Telewizji, Warszawa 2004.
• [220] YA H.-X., HAN YIN, TAO MING DE, TU MING JING, Analysis of ZnO varistors prepared from nanosize ZnO precursors, Materials Research Bulletin, 1998, Vol. 33, No. 11, 1703–1708.
• [221] YAMAMOTO H., SAIGA N., NISHIMORI K., ZnO thin films deposited on various LiNbO3 substrates by RF-sputtering, Applied Surface Science, 2001, 169–170, 517–52.
• [222] YANA J.-F., LUA Y.-M., LIUA Y.-C., LIANGA H.-W., LIA B-H., SHENA D.-Z., ZHANGA J.-Y., FANA X.-W., Improvement of the crystalline quality of the ZnO epitaxial layer on a low-temperature grown ZnO buffer layer, Journal of Crystal Growth, 2004, 266, 505–510.
• [223] YIN J., LIU Z.-G., LIU H., WANG X.-S., ZHU T., LIU J.-M., The epitaxial growth of wurtzite ZnO films on LiNbO(0 0 0 1) substrates, Journal of Crystal Growth, 2000, 220, 281–285.
• [224] YOSHIDA M.-M., DELGADO F.-P., ELOPEZ W., ANDRADE E., Thin Solid Films, 2000, 376, 99–109
• [225] YOSHINO Y., INUE K., TAKEUCHI M., OHWADA K., Effect of interface microstructure incrystallization of ZnO thin films prepared by radio frequency sputtering, Vacuum, 1998, 51, No. 4, 601–607.
• [226] YUN J., IM J.-S., LEE Y.-S., KIM H.-I., Effect of oxyfluorination on electromagnetic interference shielding behavior of MWCNT/PVA/PAAc composite microcapsules, European Polymer Journal, 2010, 46, 900–909.
• [227] ZHOU X., GU S., QIN F., ZHU S., YE J., LIU S., LIU W., ZHANG R., SHI Y., ZHENG Y., MOCVD growth of self-arranged ZnO nanosize islands, Journal of Crystal Growth, 2004, 269, 362–366.
• [228] ZHU B.L., SUN X.H., ZHAO X.Z., SU F.H., LI G.H., WU X.G., WU J., WU R., LIU J., The effect substrate on the structure and properties ZnO films prepared by pulsed laser deposition, Vacuum, 2008, 82, 495–500.
• [229] ZIAJA J., BALOGH L., Plazmowe technologie otrzymywania warstw PTFE. Modyfikacja polimerów, XIV Konferencja naukowa, Kudowa Zdrój, 26–30 września 1999, Wrocław, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 1999. s. 284–287.
• [230] ZIAJA J., GUBAŃSKI A., MIŚTA W., KACPRZYK R., Cienkowarstwowe warystory ZnO – właściwości elektryczne i struktura: Etap II, Warstwy otrzymane metodą rozpylania magnetronowego, Raporty Inst. Podst. Elektrotech. PWroc. 2003, Ser. SPR ; nr 8.
• [231] ZIAJA J., GUBAŃSKI A., MIŚTA W., Cienkowarstwowe warystory – właściwości elektryczne i struktura: Etap I, Raporty Inst. Podst. Elektrotech. PWroc. 2002, Ser. SPR ; nr 10.
• [232] ZIAJA J., JAROSZEWSKI M., GUBAŃSKI A., MIŚTA W., Wpływ temperatury wygrzewania na właściwości warystorowe warstw ZnO, Przegląd Elektrotechniczny, IW’2002, 302–304.
• [233] ZIAJA J., JAROSZEWSKI M., EMI shielding using composite materials with plasma layers, electromagnetic waves, Vitaliy Zhurbenko (ed.), ISBN: 978-953-307-304-0, InTech, Available from: http://www.intechopen.com/articles/show/title/emi-shielding-using-composite-materials-withplasma-layers, 2011, 425–448.
• [234] ZIAJA J., KISIEL A., Właściwości cienkowarstwowych czujników z PTFE. W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne, COE 2000. VI Konferencja naukowa. Gliwice, 13–16 czerwca 2000, t. 2, Prace Komisji Metrologii Oddziału PAN w Katowicach, Konferencje, 150–154.
• [235] ZIAJA J., KOPROWSKA J., JANUKIEWICZ J., Using plasma metallization for manufacture of textile screens against electromagnetic fields, Fibres & Textiles in Eastern Europe, 2008, Vol. 16, nr 5, 64–66.
• [236] ZIAJA J., KOPROWSKA J., ŻYŁKA P., Influence of nonwoven structures on surface resistivity Ti layers, ELMECO-6, Electromagnetic devices and processes in environment protection joint with 9th Seminar “Applications of Superconductors” AoS-9, Nałęczów, Poland, June 24–27, Liber Duo, Lublin 2008, 95–96.
• [237] ZIAJA J., Magnetronowa metoda otrzymywania cienkich warstw Zn-Bi-O, Postępy w elektrotechnologii, V Konferencja naukowa, Jamrozowa Polana, 8–10 września 2003, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003, 229–232.
• [238] ZIAJA J., MAZUREK B., Spectrophotometric diagnostics of magnetronic plasma, w: The First Central European Symposium on Plasma Chemistry and Workshop on the Plasma-After treatment of Combustion Flue Gases for Power Industry, Gdańsk, May 28–31, 2006, P4.
• [239] ZIAJA J., MIŚTA W., Application of magnetron sputtering-obtained Ce–Zr–O2–x-oxide thin layers to gas detection, (SPIE Proceedings Series, 0277-768X; vol. 3730) w: Optoelectronic and electronic sensors III, Jurata, Poland, 10–13 May 1998, (ed.) Antoni Nowakowski, Bellingham, Wash: SPIE – The International Society for Optical Engineering, 1999. 89–92.
• [240] ZIAJA J., MIŚTA W., Zastosowanie w detekcji gazów cienkich warstw tlenków Ce–Zr–O2–x otrzymanych metodą rozpylania magnetronowego, Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE ’98. V Konferencja naukowa. Materiały konferencyjne, Jurata, 10–13 maja 1998, t. 2, 433–436.
• [241] ZIAJA J., Nanoszenie na włókniny warstw Zn i Ti metodą rozpylania magnetronowego, Raport Politechniki Wrocławskiej, Serii Spr Nr 1/2008.
• [242] ZIAJA J., Nanoszenie powłok tlenkowych (ZnO i TiO2) na podłoże włókiennicze metodą impulsowego rozpylania magnetronowego, Raport Politechniki Wrocławskiej, Serii Spr nr 2/2008.
• [243] ZIAJA J., OZIMEK M., JANUKIEWICZ J., Zastosowanie cienkich warstw otrzymanych metodą impulsowego rozpylania magnetronowego w ekranowaniu pól elektromagnetycznych, Przegląd Elektrotechniczny, 2010, Vol. 86, nr 5, 222–224.
• [244] ZIAJA J., OZIMEK M., KOPROWSKA J., Metallic and oxide Zn and Ti layers on unwoven fabric as shields for electromagnetic fields, EMC Europe 2009, Proceedings, Athens, Greece, 11–12 June 2009. [Piscataway, NJ: IEEE], 30–33.
• [245] ZIAJA J., POSADOWSKI W., POSPIESZNA J., MIŚTA W., Właściwości warstw dielektrycznych AINx napylanych układem magnetronowym zasilanym impulsowo, Konferencja naukowa, Jamrozowa Polana, Wrocław, 1996, 121–124.
• [246] ZIAJA J., POSPIESZNA J., JAROSZEWSKI M., SZAFRAN G., KOPROWSKA J., Włókniny polipropylenowe z węglowym pokryciem plazmowym w technice ekranowania pola EM, Przegląd Elektrotechniczny, 2008, Vol. 84, No. 10, 270–271.
• [247] ZIAJA J., ZIEMIAŃSKI P., MISIEWICZ J., Badanie własności struktur złoto/krzem porowaty otrzymanych w procesie rozpylania magnetronowego, Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE ’98. V Konferencja naukowa, 1998, 297–300.
• [248] ZIAJA J., ZnO thin film deposition with pulsed magnetron sputtering, Przegląd Elektrotechniczny, 2007, Vol. 83, nr 11, 235–239.
• [249] ZIAJA J., ZUBEL Z., BALOGH L., Prądy przejściowe w plazmowych warstwach PTFE, Modyfikacja polimerów, XIV Konferencja naukowa, Kudowa Zdrój, 26–30 września 1999, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 1999, 281–283.
• [250] ZIAJA J., ZUBEL Z., Properties of plasma deposited PTFE thin films, w: Fourth International Conference on Unconventional Electromechanical and Electrical Systems, 4th UEES ’99, Vol. 3 of 3, 985–988.
• [251] ZIAJA J., ZUBEL Z., Spektroskopia dielektryczna cienkich warstw PTFE, Postępy w elektrotechnologii, VI Konferencja naukowa, Jamrozowa Polana, 20–22 września, 2006, 369–372.
• [252] ZIAJA J., Studying of Zn, Bi, O2, Ar emission spectra in pulsed magnetron plasma, III International Conference on Advances in Processing Testing and Applications of Dielectric Materials, APATDM '2007, Wrocław, Poland, September 26–28, 2007.
• [253] ZIAJA J., Widma emisyjne Zn–Bi–O w plazmie magnetronowej, Postępy w elektrotechnologii. VI Konferencja naukowa, Jamrozowa Polana, 20–22 września, 2006, 189–192.
• [254] ZIELIŃSKI R.J., Oddziaływanie energii elektromagnetycznej na człowieka, Przegląd Telekomunikacyjny 8/96, 509–516.
• [255] ZIEMIAŃSKI P., MISIEWICZ J., ZIAJA J., Photoluminescence study of Au(ITO) porous silicon structures, Raporty Inst. Fiz. Politechniki Wrocławskiej, 1997, Ser. PRE ; nr 300.
• [256] ZMYŚLONY M., Aktualne problemy ochrony przed polami elektromagnetycznymi 0–300 GHz w Polsce, Materiały Krajowego Sympozjum Telekomunikacji, Bydgoszcz 2003.
• [257] ZRADZIŃSKI P., GRYZ K., KARPOWICZ J., MOLENDA M., Profilaktyka zagrożeń elektromagnetycznych – symulacje komputerowe i badania osłon ekranujących, Bezpieczeństwo pracy, 2003, nr 10.
• [258] ŻMIJA J., Podstawy teorii zarodkowania i wzrostu kryształów, Wyd. WSI Radom, 1981.