Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą

• Autorzy: Bisewski D. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET

• Konferencja: Computer Applications in Electrical Engineering (18-19.04.2016 ; Poznań, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.

EN

The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MOS; parametry termiczne

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
• Czasopismo: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
• Rocznik: 2016
• Tom: No. 87
• Strony: 235--244
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Shichman H., Hodges D.A., Modeling and simulation of insulated–gate field–effect transistor switching circuits, IEEE Journal of Solid–State Circuits, Volume SC–3, Number 285, ISSN 0018–9200, 1968.
• [2] Szekely V., Rencz M., Courtois B., Thermal Investigations of IC’s and Microstructures, Microelectronics Journal, Volume 28, Number 3, ISSN 0026–2692, 1997.
• [3] Zarębski J., Górecki K., The electrothermal large–signal model of power MOS transistor for SPICE, IEEE Transactions on Power Electronics, Volume 25, Number 5–6, ISSN 0885–8993, 2010.
• [4] Górecki K., Zarębski J., Nonlinear compact thermal model of power semiconductor devices, IEEE Transactions on Component and Packaging Technologies, Volume 33, Number 3, ISSN 1521–3331, 2010.
• [5] Coguery G. et al., Power module lifetime estimation from chip temperature direct measurement in an automotive traction inverter, Microelectronics Reliability, Volume 41, ISSN 0026–2714, 2001.
• [6] Oettinger F.F., Blackburn D.L., Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP–400/86, 1990.
• [7] Górecki K., Zarębski J., The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices, Proceedings of the 21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES, 2014.
• [8] Górecki K., Zarębski J., Bisewski D., An influence of the selected factors on the transient thermal impedance model of power MOSFET, Informacje MIDEM – Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materiale, Volume 45, Number 2, ISSN 0352–9045, 2015.
• [9] Górecki K., Zarębski J., The semiconductor device thermal model taking into account non–linearity and multhipathing of the cooling system, Journal of Physics: Conference Series, Volume 494, ISSN 1742–6596, 2014.
• [10] www.aquacomputer.de.
• [11] www.vishay.com.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.