Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottky'ego z węglika krzemu

• Autorzy: Bisewski D. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes

• Konferencja: Computer Applications in Electrical Engineering (20-21.04.2015 ; Poznań, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.

EN

The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.

Słowa kluczowe

PL

modelowanie; dioda Schottky'ego; SPICE; węglik krzemu

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
• Czasopismo: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
• Rocznik: 2015
• Tom: No. 84
• Strony: 137--144
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
• [2] Dąbrowski J., Modelowanie diod Schottky’ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, Politechnika Łódzka, Łódź, 2007.
• [3] Izydorczyk J.: Komputerowa symulacja układów elektronicznych. Helion, Gliwice, 1993.
• [4] www.genesicsemi.com.
• [5] www.st.com.
• [6] www.rohm.com.