Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie

• Autorzy: White C.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory; półprzewodnik; urządzenie energoelektroniczne

EN

semiconductor; transistor; power electronics

• Wydawca: Wydawnictwo "Druk-Art" SC
• Czasopismo: Napędy i Sterowanie
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 19, nr 1
• Strony: 32--35
• Opis fizyczny: rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

White C.

• Hitachi Europe Limited, Whitebrook Park, Maidenhead, SL68YA, United Kingdom

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017)