Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
32--35
Opis fizyczny
rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
- Hitachi Europe Limited, Whitebrook Park, Maidenhead, SL68YA, United Kingdom
Bibliografia
Uwagi
PL
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017)
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-4bc3619f-6b84-404e-a5da-931f3cbbbfe4