Badanie wpływu wybranych parametrów cyklicznego procesu mokrego trawienia chemicznego epitaksjalnych warstw InAs

• Autorzy: Boguski Jacek , Józwowicz jakub , Nyga Małgorzta , Złotnik Sebastian , Wróbel Jarosław

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2022.02.33

Warianty tytułu

EN

Investigation of the selected parameters of periodic wet chemical etching process of InAs epitaxial layers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszym artykule poświęcono uwagę procesowi mokrego trawienia chemicznego warstw epitaksjalnych InAs. Do procesu wprowadzono modyfikację, polegającą na wykonaniu trawienia w sposób cykliczny, przy założonych całkowitych czasach procesu. Zbadano wpływ ilości cykli w procesie mokrego trawienia chemicznego na głębokość trawienia oraz chropowatość strawionej warstwy.

EN

The article focuses on the wet chemical etching process of InAs epitaxial layers. A modification to the process was introduced, consisting in carrying out the etching in a cyclical manner, with the assumed total etching times. The influence of the number of cycles in the process on the etch depth and etched layer roughness was investigated.

Słowa kluczowe

PL

mokre trawienie chemiczne; chropowatość; głębokość trawienia; warstwa epitaksjalna InAs

EN

wet chemical etching; etch depth; roughness; InAs epitaxial layers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2022
• Tom: R. 98, nr 2
• Strony: 144--147
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz., rys.

Twórcy

autor

Boguski Jacek

• Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0001-8643-4894

autor

Józwowicz jakub

• Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0001-9438-243

autor

Nyga Małgorzta

• Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0002-7520-9867

autor

Złotnik Sebastian

• Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0003-3891-520

autor

Wróbel Jarosław

• Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0002-6385-3399

Bibliografia

• [1] Xiao H., Introduction to semiconductor manufacturing technology, 2nd ed., SPIE, (2012)
• [2] Srivastav V., Pal R., Vyas H.P., Overview of etching technologies used for HgCdTe, Opto-Electronics Review, 13 (2005), nr.3, 197–211
• [3] Abe H., Yoneda M., Fujiwara N., Developments of Plasma Etching Technology for Fabricating Semiconductor Devices, Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2008), nr.3, 1435–1455
• [4] Liu L., Chen Y., Ye Z., Ding R., A review of plasma-etch- process induced damage of HgCdTe, Infrared Physics & Technology, 90 (2018), 175-185
• [5] Pal A.N., Müller S., Ihn T., Ensslin K., Tschirky T., Charpentier C., Wegschelder W., Influence of etching processes on electronic transport in mesoscopic InAs/GaSb quantum well devices, AIP Advances, 5 (2015), 077106
• [6] Joint F., Abadie C., Vigneron P.B., Boulley L., Bayle F., Isac N., Cavanna A., Cambril E., Herth E., GaAs manufacturing processes conditions for micro- and nanoscale devices, Journal of Manufacturing Processes, 60 (2020). 666-672
• [7] Zhou S., Cao B., Liu S., Dry etching characteristics of GaN using Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas, Applied Surface Science, 257 (2010), nr.3, 905-910
• [8] Liu X., Sun C., Xiong B., Niu L., Hao Z., Han Y., Luo Y., Smooth etching of epitaxially grown AlN film by Cl2/BCl3/Ar- based inductively coupled plasma, Vacuum, 116 (2015), 158- 162
• [9] Smoczyński D., Czuba K., Papis-Polakowska E., Kozłowski P., Ratajczak J., Sankowska I., Jasik A., The impact of mesa etching method on IR photodetector current-voltage characteristics, Materials Science in Semiconductor Processing, 118 (2020), 105219
• [10] ArafinS.,McFaddenA.P.,PaulB.,HasanS.M.N.,GuptaJ.A., Palmstrøm C.J., Coldren L.A., Study of wet and dry etching processes for antimonide-based photonic ICs, Optical Materials EXPRESS, 9 (2019), nr.4, 1786-1794
• [11] Dier O., Lin C., Grau M., Amann M.-K., Selective and non- selective wet-chemical etchants for GaSb-based materials, Semicond. Sci. Technol., 19 (2004), 1250-1253
• [12] Guo N., Hu W., Liao L., Yip S.P., Ho J.C., Miao J., Zhang Z., Zou J., Jiang T., Wu S., Chen X., Lu W., Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature, Adv. Mater., 26 (2014), nr.48, 8203-8209
• [13] Ting D.Z., Soibel, A., Khoshakhlagh A., Sir Rafol B., Keo S.A., Höglund L., Fisher A.M., Luong E.M., Gunapala S.D., Mid- wavelength high operating temperature barrier infrared detector and focal plane array, Appl. Phys. Lett., 113 (2018), 021101
• [14] Lee S.C., Krishna S., Jiang Y.-B., Brueck R.J., Plasmonic- coupled quantum dot photodetectors for mid-infrared photonics, Optics EXPRESS, 29 (2021), nr.5, 7145-7157
• [15] Manyk T., Murawski K., Michalczewski K., Grodecki K., Rutkowski J., Martyniuk P., Method of electron affinity evaluation for the type-2 InAs/InAs1-xSbx superlattice, J. Mater. Sci., 55 (2020), nr.12, 5135-5144
• [16] Kowalewski A., Martyniuk P., Markowska O., Benyahia D., Gawron W., New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs InAs/GaSb nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates, Materials Science in Semiconductor Processing, 41 (2016), 261-264
• [17] Ekici Ö., Aslantas K., Özgür K., Keles A., Evaluation of surface roughness after root resection: An optical profilometer study, Microscopy Research and Technique, 84 (2021), nr.4, 828-836
• [18] de Groot P., Principles of interference microscopy for the measurement of surface topography, Advances in Optics and Photonics, 7 (2015), nr.1, 1-65
• [19] Technical reference manual, 2nd ed., Wyko Corporation, (1995)