The sources of radiation in the short-wave range on the basis of II-VI heterolayers

• Autorzy: Slyotov M. , Slyotov A.

Identyfikatory

DOI

10.5604/01.3001.0012.7980

Warianty tytułu

PL

Źródła promieniowania w zakresie krótkofalowym na podstawie heterowarstw grup II-VI

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The possibility of obtaining zinc selenide and zinc sulfide layers of hexagonal modification by isovalent substitution method is shown. They are characterized by intensive luminescence which is formed by the dominant annihilation of bound excitons for α-ZnSe and recombination on donor-acceptor pairs for α-ZnS. The resulting radiation covers the violet wavelength range. Quantum radiation efficiency reaches η = 10–12% for α-ZnSe and η = 5–8% for α-ZnS. The radiation is characterized by high temperature stability and repeatability of characteristics and parameters.

PL

Pokazano, że możliwe jest uzyskanie heterogennych warstw selenku i siarczku cynku o modyfikacji heksagonalnej za pomocą metody izowalentnego podstawienia. Charakteryzują się one intensywną luminescencją, która powstaje w wyniku anihilacji związanych ekscytonów dla dominującego pasma α-ZnSe i rekombinacji na parach donor-akceptor w przypadku α-ZnS. Otrzymane promieniowanie pokrywa fioletowy zakres optyczny. Sprawność kwantowa promieniowania wynosi η = 10–12% dla α-ZnSe i η = 5–8% dla α-ZnS. Promieniowanie charakteryzuje się wysoką stabilnością temperaturową oraz powtarzalnością charakterystyk i parametrów.

Słowa kluczowe

EN

cadmium sulfide; zinc selenide; zinc sulfide; hexagonal modification; reflection spectrum; photoluminescence

PL

siarczek kadmu; selenek cynku; siarczek cynku; modyfikacja heksagonalna; mieszanie widma; fotoluminescencja

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
• Czasopismo: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
• Rocznik: 2018
• Tom: T. 8, nr 4
• Strony: 4--7
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys.

Twórcy

autor

Slyotov M.

• Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute, Department of Optics, Publishing and Printing

autor

Slyotov A.

• Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute, Department of Electronics and Power Engineering

Bibliografia

• [1] Berezovskii M.M., Makhnii V.P., Slyotov M.M.: Influence of an isovalent Cd impurity on photoluminescence of ZnSe crystals. Journal of Applied Spectroscopy 62(6)/1995, 1075–1079.
• [2] Fistul V I.: Doping impurity atoms in semiconductors (state and condition). Fiz.-Mat. Lit., Moscow 2004.
• [3] Gorkavenko T.V., Zubkova S.M., Makara V.A., Rusina L.N.: Temperature dependence of the band structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe wurtzite-type semiconductor compounds. Semiconductors 41(8)/2007, 886–896.
• [4] Gribkovskii V.P.: The theory of light absorption and emission in semiconductors. Nauka i Teknika, Minsk 1975.
• [5] Khomyak V.V., Slyotov M.M., Shtepliuk I.I., Lashkarev G.V., Slyotov O.M., Marianchuk P.D., Kosolovskiy V.V.: Annealing effect on the near-band edge emission of ZnO. Journal of Physics and Chemistry of Solids 74/2013, 291–297.
• [6] Koh Era, Langer D.W.: Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation. J. Luminescence 1-2/1970, 514–527.
• [7] Makhniy V.P., Baranjuk V.Ye., Demich M.V., Melnik V.V., Malimon I.V., Slyotov M.M., Sobistchanskiy B.M., Stets E.V.: Isovalent substitution – a perspective methods of producing heterojunction optoelectronical devices. Proc. SPIE 4425, 2000, 272–276.
• [8] Makhniy V.P., Slyotov M.M., Stets E.V., Tkachenko I.V., Gorley V.V., Horley P.P.: Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters. Thin Solid Films 450/2004, 222–225.
• [9] Peter Y.Yu, Cardona M.: Fundamentals of semiconductors. Physics and materials properties. (4th Ed). Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 2010.
• [10] Tamargo M.C.: II-VI Semiconductor Materials and their Application. Taylor & Francis, New York 2002.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).