PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Zastosowanie grafenu w czujnikach elektronicznych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Application of graphene in electronic sensors
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Zaprezentowano najnowsze osiągnięcia w pracach nad wybranymi typami czujników grafenowych oraz wskazano możliwe kierunki dalszych badań.
EN
The article presents the newest achievements in research on selected types of graphene sensors and it shows possible directions for new research.
Rocznik
Strony
19--22
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., rys.
Twórcy
autor
  • Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
  • Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Bibliografia
  • [1] Al-Mumen H., Rao F., Dong L., Li W. 2013. Thermo-flow and temperature sensing behaviour of graphene based on surface heat convection. Micro and Nano Letters, 8, 681–685.
  • [2] Beibei Zhan B., Li C., Yang J., Jenkins G., Huang W., Dong X. 2014. Graphene Field Effect Transistor and Its Application for Electronic Sensing. Small, 10, 4042–4065.
  • [3] Inaba A., Yoo K., Takei Y., Matsumoto K., Shimoyama I. 2014. Ammonia gas sensing using a graphene field–effect transistor gated by ionic liquid. Sensors and Actuators B, 195, 15–21.
  • [4] Jing Z., Guang-Yu Z., Dong-Xia S. 2013. Review of graphene-based strain sensors. Chinese Physica B, 22, 57701-57701.
  • [5] Konstantatos G., Badioli M., Gaudreau L., Osmond J., Bernechea M., Arquer F.P.G., Gatti F., Koppens F.H.L. 2012. Hybrid graphene–quantum dot phototransistors with ultrahigh gain. Nature Nanotechnology, 7, 363–368.
  • [6] Łuszczek M., Świsulski D.: Recent advances in graphene application for electronic sensing. Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej, 47, 115–118.
  • [7] Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D. 2015. Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications. Przegląd Elektrotechniczny , 91, (10), 170–172.
  • [8] Patil A., Lopez G., Foxe M., Childres I., Roecker C., Boguski J., Jovanovic I., Chen Y.P. 2009. Graphene Field Effect Transistors for Detection of Ionizing Radiation, Nuclear Science Symposium Conference Record (NSS/MIC), IEEE, Orlando 90–95.
  • [9] Tian H., Shu Y., Wang X.-F., Mohammad M.A., Bie Z., Xie Q.-Y., Li C., Mi W.-T., Yang Y., Ren T.-L. 2015. A graphene-based resistive pressure sensor with record high sensitivity in a wide pressure range. Scientific Reports, 5, 8603–8609.
  • [10] Trung T.Q., Tien N.T., Kim D., Jung J.H., Yoon O.J., Lee N.E. 2012. High thermal responsiveness of a reduced graphene oxide field-effect transistor. Advanced Materials, 24, 5254–5260.
  • [11] Vicarelli L., Vitiello M.S., Coquillat D., Lombardo A., Ferrari A.C., Knap W., Polini M., Pellegrini V., Tredicucci A. 2012. Graphene field-effect transistors as room temperature terahertz detectors. Nature Materials, 11, 865–871.
  • [12] Xia F.N., Mueller T., Lin Y.M., Valdes-Garcia A., Avouri P. 2009. Ultrafast graphene photodetector. Nature Nanotechnology, 4, 839–843.
  • [13] Zhang Y.Z., Liu T., Meng B., Li X.H., Liang G.Z., Hu X.N., Wang Q.J. 2013. Broadband high photoresponse from pure monolayer graphene photodetector. Nature Communications, 4, 1811–1822
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-44522ff4-c34c-4913-9de8-8a77097c643d
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.