Re-crystallization of Silicon during Rapid Thermal Treatment

• Autorzy: Gorushko V. , Omelchenko A. , Pilipenko V. , Solodukha V. , Opielak M. , Żukowski P. , Kołtunowicz T.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.05.35

Warianty tytułu

PL

Rekrystalizacja krzemu podczas szybkiej obróbki termicznej

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

It is by means of the Auger-spectroscopy, spectral ellipsometry, X-ray diffraction that for the first time an opportunity was shown of applying the rapid thermal treatment for removal of the disrupted layer on the working surface of the silicon wafers after the chemical-mechanical polishing owing to its solid-phase re-crystallization.

PL

Dzięki użyciu spektroskopii Augera, elipsometrii spektralnej oraz dyfrakcji rentgenowskiej po raz pierwszy przedstawiona została możliwość zastosowania szybkiego termicznego usuwania uszkodzonej warstwy na powierzchni roboczej wafli silikonowych, powstałych po chemiczno-mechanicznym polerowaniu, za pośrednictwem jego rekrystalizacji w fazie stałej.

Słowa kluczowe

EN

disrupted layer; rapid thermal treatment; recrystallization; silicon wafer

PL

uszkodzona warstwa; szybka obróbka termiczna; rekrystalizacja; wafel krzemowy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 5
• Strony: 196--198
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys.

Twórcy

autor

Gorushko V.

• Engineer of the State Center “Belmicroanalysis” of JSC “INTEGRAL”, 121A, Kazintsa Str., 220108 Minsk

autor

Omelchenko A.

• Engineer of the State Center “Belmicroanalysis” of JSC “INTEGRAL”, 121A, Kazintsa Str., 220108 Minsk

autor

Pilipenko V.

• Engineer of the State Center “Belmicroanalysis” of JSC “INTEGRAL”, 121A, Kazintsa Str., 220108 Minsk

autor

Solodukha V.

• Engineer of the State Center “Belmicroanalysis” of JSC “INTEGRAL”, 121A, Kazintsa Str., 220108 Minsk

autor

Opielak M.

• Institute of Transport, Combustion Engines and Ecology, Lublin University of Technology, 36, Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland

autor

Żukowski P.

• Department of Electrical Devices and High Voltage Technologies, Lublin University of Technology, 38A, Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland

autor

Kołtunowicz T.

• Department of Electrical Devices and High Voltage Technologies, Lublin University of Technology, 38A, Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland

Bibliografia

• [1] Q.Y.Tong, M. Gosel, Wafer bonding fnd layer splitting for Microsystems, Adv. Mater. 11 (17), (1999), 1409-1425.
• [2] G.Ya. Krasnikov, N.A. Zaitsev, Physical-Technological Fundamentals of Ensuring Quality of VLSIs M. “Micron-print”. 1999.
• [3] Yu.A. Kontsevoy, Yu.M. Litvinov, E.A. Fattakhov, Plasticity and Strength of the Semiconductor Materials and Structures M.: Radio and Communications, 1982.
• [4] V.A. Pilipenko, V.A. Gorushko, V.N. Ponomar, Cleaning the Surface of the Silicon Structures in the VLSI Technology, IFZh, 76 (5), 2003, 103.
• [5] V.I. Gavrilenko, A.M. Grekhov, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, Optical Properties of Semiconductors Reference Book, Kiev: Navukova dumka, 1987, p. 608.
• [6] I.S. Pankratov, R.P. Seysyan, A.A. Shorokhov, Investigation of the Direct Optical transitions in the Silicon Monocrystals as per the Transmission Spectra, Letters to ZhTF 38 (13), (2012), 1-7.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).