Concept of a measuring system for diagnostics of photoconductive semiconductor switches parameters

• Autorzy: Piwowarski Karol , Suproniuk Marek , Kamiński Paweł , Perka Bogdan

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.11.31

Warianty tytułu

PL

Koncepcja układu pomiarowego do diagnostyki parametrów półprzewodnikowych łączników fotokonduktancyjnych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The article presents the concept of a measurement system for testing the characteristics of photoconductive semiconductor switches in the blocking state and conduction state for the system voltage up to 90 kV. The results of the research obtained so far for the gallium phosphide switch (GaP), carried out for the supply voltage up to 1 kV, and for the voltage range increased to 10 kV thanks to the system created in accordance with the concept presented in the article, are also presented.

PL

W artykule przedstawiona została koncepcja układu pomiarowego do badania charakterystyk półprzewodnikowych łączników fotokonduktancyjnych w stanie blokującym i stanie przewodzenia dla napięcia układu do 90 kV. Zaprezentowane zostały także, dotychczas otrzymane wyniki badań łącznika wykonanego z fosforku galu (GaP), przeprowadzone dla napięcia zasilania do 1 kV oraz dla zakresu napięć zwiększonego do 10 kV dzięki zastosowaniu układu stworzonego według przedstawionej w artykule koncepcji.

Słowa kluczowe

EN

photoconductive semiconductor switches; impulse system; switch diagnostic

PL

półprzewodnikowy łącznik fotokonduktancyjny; układ impulsowy; diagnostyka łączników

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 11
• Strony: 117--119
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Piwowarski Karol

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00–908 Warszawa 49

autor

Suproniuk Marek

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00–908 Warszawa 49

autor

Kamiński Paweł

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01–919 Warszawa

autor

Perka Bogdan

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00–908 Warszawa 49

Bibliografia

• [1] Mazumder. S. K., An Overview of Photonic Power Electronic Devices. IEEE Transactions on Power Electronics, 31 (2016), 6562-6574
• [2] Kelkar K. S., Isla, N. E., Fessler C. M. and Nunnally W. C., Design and characterization of silicon carbide photoconductive switches for high-field applications, J. Appl. Phys., 100 (2016), 124205-1-5.
• [3] Majda-Zdancewicz E., Suproniuk M., Pawłowski M., Wierzbowski M., Current state of photoconductive semiconductor switch engineering. Opto-Electronics Review, 26 (2018), 92-102
• [4] Kulas S., Supronowicz H., Suproniuk M., Michta K., Koncepcja jednofazowego łącznika hybrydowego do zastosowań energetycznych. Przegląd elektrotechniczny, 92 (2016) 37-40
• [5] Suproniuk M., Majda-Zdancewicz E., Pawłowski M., Wierzbowski M., Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych, Przegląd Elektrotechniczny, 93 (2017), 103-107
• [6] Suproniuk M., Kamiński P., Kozłowski R., Pawłowski M., Wierzbowski M., Current status of modelling the semi-insulating 4H-SiC transient photoconductivity for application to photoconductive switches, Opto-Electronics Review, 25 (2017), 171-180
• [7] Shi, W., Tian, L., Liu, Z., Zhang, L., Zhang, Z., Zhou, L., Liu, H. and Xie, W., 30 kV and 3kA semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switch, Appl. Phys. Lett., 92 (2008), 043511-1-3
• [8] Tian, L., Shi, W., Analysis and operation mechanism of semiinsulating GaAs photoconductive semiconductor switches. J. Appl. Phys., 103 (2008), 124512-1-7
• [9] Berczyński R., Kulas S. J., Diagnozowanie dynamiki ruchu styków łączników elektrycznych wysokiego napięcia, Przegląd Elektrotechniczny, 92 (2016), 24-28
• [10] Berczyński R., Kulas S. J., Badanie dynamiki ruchu styków złącznika zwarciowego. Przegląd Elektrotechniczny, 93 (2017), 16-20
• [11] Mauch D., Sulivan W., Bullick A., Neuber A., Dickens J., High power lateral silicon carbide photoconductive semiconductor switches and investigation of degradation mechanism, IEEE Trans. Plasma Sci. 43 (2015), No. 6, 2021-2031.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).