Wykorzystanie metody Taguchi’ego do optymalizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w. cz.

• Autorzy: Kalisz M. , Mroczyński R.

Warianty tytułu

EN

Application of Taguchi method to optimization process of ultra-shallow fluorine and nitrogen implantation, from radio frequency plasma

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeprowadzona została wszechstronna analiza wpływu parametrów procesu reaktywnego trawienia jonowego (RIE), na maksymalną koncentrację oraz głębokość implantacji jonów fluoru oraz jonów azotu do podłoża krzemowego. Analiza ta prowadzona była z wykorzystaniem tablic ortogonalnych Taguchi'ego, dzięki którym udało się oszacować wpływ poszczególnych parametrów procesu RIE, na kształt profilu rozkładu jonów zaimplantowanych do podłoża krzemowego.

EN

In the present study was carried out comprehensive analysis of the impact of reactive ion etching (RIE) process parameters on the maximum concentration and depth profile of fluorine and nitrogen ions implantated into the silicon substrate. This analysis was conducted using the Taguchi orthogonal arrays, which help assess the impact of each RIE process parameters on the shape of the distribution profile of ions implanted into the silicon substrate.

Słowa kluczowe

PL

ultra-płytka implantacja; RIE; metoda Taguchi

EN

ultra-shallow implantation; reactive ion etchnig; Taguchi method

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 10
• Strony: 18--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kalisz M.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych
• Instytutu Transportu Samochodowego, Warszawa

autor

Mroczyński R.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Bibliografia

• [1] H. Iwai, „A roadmap for nano-CMOS”, ECS Transactions, 2009.
• [2] C. Wyon, „Future technology for advanced MOS devices”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research (B), 2002.
• [3] http://www.itrs.net.
• [4] http://www.intel.com.
• [5] P. Singer, „Intel and IBM commit to high-k, metal gates”, Semiconductro International, 2007.
• [6] M. Kalisz, „Reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma as a method of fluorine implantation”, Vacuum, 2008.
• [7] T. Bieniek, „Application of r.f. plasma ultrs-shallow nitrogen ion implantation for pedestal oxynitride formation”, Vacuum, 2008.
• [8] Da Silva E. F., „Radiation response of MOS capacitors containing fluorinated oxide”, IEEE Trans. Electr. Devic., 1987.
• [9] X. W. Wang, „Pre-Oxidation fluorine implantation into Si”, J. Electr. Soc., 1992.
• [10] R. F. Schorner, „Enhanced channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor transistors fabricated with standard policristaline silicon technology and gate-oxide nitridation”, Appl. Phys. Let., 2002.
• [11] F. Ciobanu, „Nitrogen implantation - an alternative techique to reduced traps at SiC/SiO2 interfaces”, Met. Sci. Forum, 2006.
• [12] F. Moscatelli, „Nitridation of the SiO2/SiC interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOS-FETs”, Mat. Sci. Forum, 2010.
• [13] W. -S. Lu, „Reliable fluorinated thin gate oxides prepared by liquid phase deposition following rapid thermal process", IEEE Elec. Dev. Let., 1996.
• [14] J. Ahn, „Radiation hardened metal-oxide-semiconductor devices with gate dielectrics grown by rapid thermal processing in O2 with diluted NF3”, App. Phy. Let., 1991.
• [15] G. Q. Lo, „MOS characteristics of fluorinated gate dielectrics grown by rapid thermal processing in O2 with diluted NF3”, Electron Dev. Let., 1990.
• [16] G. Z. Yin, „Orthogonal design for process optimalization and its application in plasma etchnig”, Intel Corp., 1986.