Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych

• Autorzy: Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Lipińska L. , Krzyżak K. , Dąbrowski A. , Sobczak G. , Kozłowska A. , Matkowski P. , Młożniak A. , Maląg A.

Warianty tytułu

EN

Application of graphene oxide and graphene in laser diodes technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm.

EN

It has been shown that covering side walls of a laser diode’s chip with graphene oxide (GO) results in reduction of the laser diode's thermal resistance. Reduction of the temperature of the diode itself is also observed. In turn, additional covering the n-contact of the chip with GO results in the diode's temperature increase. On the other hand, alternative application of a chemical graphene layer in this place gives further temperature decrease. This can be explained by much higher emissivity of graphene layer compared to GO. The shifts of lasing spectral characteristics (in the 880 nm band) as well as changes in chip's deflection connected with GO and graphene applications are also shown.

Słowa kluczowe

PL

tlenek grafenu; grafen; dioda laserowa; charakterystyka spektralna; rezystancja termiczna; pomiary termowizyjne

EN

graphene oxide; graphene; laser diode; spectral characteristics; thermal resistance; thermal measurements

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 1--4
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Dąbrowska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Teodorczyk M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01- 919 Warszawa

autor

Lipińska L.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Krzyżak K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Dąbrowski A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Sobczak G.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Kozłowska A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Matkowski P.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki, Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Długa 65, Wrocław

autor

Młożniak A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Maląg A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Dąbrowska E., Maląg A., Metody pomiaru rezystancji termicznej diod laserowych, Przegląd Elektrotechniczny 4’2011, 232-238
• [2] Dąbrowska E., Teodorczyk M., Lipińska L., Koziński R., Maląg A., Application of graphene oxide for reduction of thermal resistance of high-power laser diodes, Electronics Letters 21st November 2013 Vol. 49 No. 24, 1550-1551