Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów

• Autorzy: Kłos Jarosław W. , Bednarek Karol , Kasprzyk Leszek , Mieszczak Szymon

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.01.15

Warianty tytułu

EN

Technical solutions and operations principles of the memristors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono memrystory – nowe elementy obwodów elektrycznych, których stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystorów ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystorów z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono również symulacje pracy memrystorów oraz możliwości ich zastosowań.

EN

In the work the memristors were described - the new elements of electrical circuits, which can contribute to the development of information technologies. The functional properties of the ferroelectric memristors with a tunnel joint and titanium dioxide memristors with mobile oxygen vacancies were presented. The simulations of the work of memristors and the possibilities of their applications are also presented.

Słowa kluczowe

PL

element obwodu elektrycznego; memrystor; memrystancja; element pasywny

EN

elements of electrical circuits; memristor; memristance; passive element

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 1
• Strony: 57--60
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz., rys.

Twórcy

autor

Kłos Jarosław W.

• Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Nanomateriałów, ul. Umultowska 85, 61-614 Poznań

autor

Bednarek Karol

• Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, ul. Piotrowo 3a, 60-965 Poznań

autor

Kasprzyk Leszek

• Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, ul. Piotrowo 3a, 60-965 Poznań

autor

Mieszczak Szymon

• Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Nanomateriałów, ul. Umultowska 85, 61-614 Poznań

Bibliografia

• [1] Jajczyk J., Use of personal computers with multi-core processors for optimisation using the genetic algorithm method, Computational Problems of Electrical Engineering, IEEE Xplore, (2002), 1-3
• [2] Kasprzyk L., Bednarek K., Speeding up of electromagnetic and optimization calculations by the use of the parallel algorithms, Przegląd Elektrotechniczny, 85 (2009), n.12, 65-68
• [3] Kasprzyk L., Tomczewski A., Bednarek K., Bugała A., Minimisation of the LCOE for the hybrid power supply system with the lead-acid battery, EEMS’2017, E3S Web of Conferences, 19 (2017), n.01030, 1-6
• [4] Kasprzyk L., Tomczewski A., Bednarek K., The distribution of an electromagnetic and optimization computation of electrical systems by using multi-core processors, Przegląd Elektrotechniczny, 87 (2011), n.12b, 82-85 (in Polish)
• [5] Kasprzyk L., Tomczewski A., Bednarek K., Efficiency and economic aspects in electromagnetic and optimization calculations of electrical systems, Przegląd Elektrotechniczny, 86 (2010), n.12, 57-60 (in Polish)
• [6] Pawlak R., Korzeniewska E., Koneczny C., Hałgas B., Properties of thin metal layers deposited on textile composites by using the PVD method for textronic applications, Autex Research Journal, 17 (2017), n.3, 229-237
• [7] Markov I. L., Limits on fundamental limits to computation, Nature, 512 (2014) n.147
• [8] Chumak A. V., Vasyuchka V. I., Serga A. A., Hillebrands B., Magnon spintronics, Nature Physics, 11(2015), 453-461
• [9] Csaba G., Papp A., Porod W., Perspectives of using spin waves for computing and signal processing, Physics Letters A 381 (2017), 1471-1476
• [10] Tumański S., Spintronics and magnetic field sensors utilizing spin dependent conductivity, Przegląd Elektrotechniczny, 85 (2009), n.2, 93-98 (in Polish)
• [11] Tacchi S., Gruszecki P., Madami M., Carlotti G., Kłos J. W., Krawczyk M., Adeyeye A., Gubbiotti G., Universal dependence of the spin wave band structure on the geometrical characteristics of two-dimensional magnonic crystals, Scientific Reports, 5 (2015), 10367
• [12] Kłos J. W., Gruszecki P., Serebryannikov A. E., Krawczyk M., All-Angle Collimation for Spin Waves, IEEE Magnetic Letters, 6 (2015), 15638750
• [13] Chua L. O., Memristor – The Missing Circuit Element, IEEE Transactions on circuit theory, 18 (1971), n.5, 507-519
• [14] Chanthbouala A., Garcia V., Cherifi R. O., Bouzehouane K., Fusil S., Moya X., Xavier S., Yamada H., Deranlot C., Mathur N. D., Bibes M., Barthélémy A., Grollier J., A ferroelectric memristor, Nature materials, 11 (2012), 860-864
• [15] Zhuravlev M. Y., Sabirianov R. F., Jaswal S. S., Tsymbal E. Y., Giant Electroresistance in Ferroelectric Tunnel Junctions, Physical Review Letters, 94 (2005), 246802
• [16] Krzysteczko P., Reiss G., Thomas A., Memristive switching of MgO based magnetic tunnel junctions, Applied Physics Letters, 95 (2009), 112508
• [17] Williams R. S., How We Found The Missing Memristor, IEEE Spectrum, 45 (2008), n.12, 29-35
• [18] Strukov D. B., Snider G. S., Stewart D. R., Williams R. S., The missing memristor found, Nature, 458 (2008), 80-83
• [19] Yang J. J., Pickett M. D., Li X., Ohlberg D. A. A., Stewart D. R., Williams R. S., Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices, Nature nanotechnology, 3 (2008), 429-433
• [20] Bessonov A. A., Kirikova M. N., Petukhov D. I., Allen M., Ryhänen T., Bailey M. J. A., Layered memristive and memcapacitive switches for printable electronics, Nature materials, 14 (2015), 199-204
• [21] Xia Q., Robinett W., Cumbie M. W., Banerjee N., Cardinali T. J., Yang J. J. , Wu W., Li X., Tong W. M., Strukov D. B., Snider G. S., Medeiros-Ribeiro G., Williams R. S., Memristor- CMOS Hybrid Integrated Circuits for Reconfigurable Logic, Nano letters, 9 (2009), n.10, 3640-3645

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).