PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Wysokoczęstotliwościowa przetwornica dc/dc oparta na tranzystorach SIC dla zastosowań z odnawialnymi źródłami energii

Autorzy
Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
High frequency dc/dc converter based on SIC transistors for res application
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Artykuł prezentuje koncepcję budowy, konstrukcji oraz wyniki testów modelu przetwornicy DC/DC typu Buck-Boost o mocy do 1 kW z wykorzystaniem tranzystorów z węglika krzemu (SiC JFET). Przetwornica zaprojektowana została do współpracy z magazynem energii w postaci superkondensatora w układzie stabilizacji napięcia laboratoryjnego wieloźródłowego systemu odnawialnych źródeł energii (OZE). Małe straty przewodzenia oraz mała energia przełączeń tranzystorów Sic JFET umożliwiły zwiększenie częstotliwości pracy kluczy przetwornicy do 500 kHz. Przeprowadzone badania laboratoryjne modelu potwierdziły wysoką sprawność przetwornicy na poziomie 95%.
EN
The paper presents the concept of the design, construction and test results of the voltage DC/DC Buck-Boost Converter up to 1 kW with silicon carbide transistors (SiC JFET). The inverter is designed to work with the supercapacitor energy storage bank as voltage stabilization system in multisource renewable energy sources (RES) laboratory stand. Small conduction losses and low switching energy of SiC JFET transistors make possible to increase the operating frequency of the inverter to 500kHz. Conducted laboratory tests confirmed the high efficiency model of the inverter at 95%.
Rocznik
Tom
Strony
43--46
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
  • Instytut Elektrotechniki, Oddział w Gdańsku
Bibliografia
  • [1] Abramik S., Bieniecki S. and others: Opracowanie nr OG/902/RE-162/2014. Energetyka Rozproszona – Generacja, Przetwarzanie i Magazynowanie Energii. Instytut Elektrotechniki, 2014.
  • [2] Bieniecki S., Bogusławski P. and others: Opracowanie nr OG/892/RE-162/2013. Energetyka Rozproszona – Generacja, Przetwarzanie i Magazynowanie Energii. Instytut Elektrotechniki, 2013.
  • [3] Infineon: SiC- JFET Silicon Carbide- Junction Field Effect Transistor CoolSiC™ 1200 V CoolSiC™ Power Transistor IJW120R070T1 Final Datasheet Rev. 2.0. Infineon, 2013.
  • [4] Infineon: 1EDI EiceDRIVER™ Enhanced Single JFET Driver IC Preliminary Datasheet Rev. 1.2. Infineon, 2013
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-3ff59b36-3743-4996-a32a-ce53a8532fc3
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.