Wysokoczęstotliwościowa przetwornica dc/dc oparta na tranzystorach SIC dla zastosowań z odnawialnymi źródłami energii

• Autorzy: Wolski L.

Identyfikatory

DOI

10.5604/20830157.1212266

Warianty tytułu

EN

High frequency dc/dc converter based on SIC transistors for res application

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł prezentuje koncepcję budowy, konstrukcji oraz wyniki testów modelu przetwornicy DC/DC typu Buck-Boost o mocy do 1 kW z wykorzystaniem tranzystorów z węglika krzemu (SiC JFET). Przetwornica zaprojektowana została do współpracy z magazynem energii w postaci superkondensatora w układzie stabilizacji napięcia laboratoryjnego wieloźródłowego systemu odnawialnych źródeł energii (OZE). Małe straty przewodzenia oraz mała energia przełączeń tranzystorów Sic JFET umożliwiły zwiększenie częstotliwości pracy kluczy przetwornicy do 500 kHz. Przeprowadzone badania laboratoryjne modelu potwierdziły wysoką sprawność przetwornicy na poziomie 95%.

EN

The paper presents the concept of the design, construction and test results of the voltage DC/DC Buck-Boost Converter up to 1 kW with silicon carbide transistors (SiC JFET). The inverter is designed to work with the supercapacitor energy storage bank as voltage stabilization system in multisource renewable energy sources (RES) laboratory stand. Small conduction losses and low switching energy of SiC JFET transistors make possible to increase the operating frequency of the inverter to 500kHz. Conducted laboratory tests confirmed the high efficiency model of the inverter at 95%.

Słowa kluczowe

PL

przekształtniki; przetwarzanie energii; przekształtniki impulsowe; sterowanie fazowe; przekształtniki DC-DC; odnawialne źródła energii (OZE)

EN

converters; power conversion; pulse inverters; phase control; DC-DC power converters; renewable energy sources (RES)

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
• Czasopismo: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
• Rocznik: 2016
• Tom: nr 3
• Strony: 43--46
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Wolski L.

• Instytut Elektrotechniki, Oddział w Gdańsku

Bibliografia

• [1] Abramik S., Bieniecki S. and others: Opracowanie nr OG/902/RE-162/2014. Energetyka Rozproszona – Generacja, Przetwarzanie i Magazynowanie Energii. Instytut Elektrotechniki, 2014.
• [2] Bieniecki S., Bogusławski P. and others: Opracowanie nr OG/892/RE-162/2013. Energetyka Rozproszona – Generacja, Przetwarzanie i Magazynowanie Energii. Instytut Elektrotechniki, 2013.
• [3] Infineon: SiC- JFET Silicon Carbide- Junction Field Effect Transistor CoolSiC™ 1200 V CoolSiC™ Power Transistor IJW120R070T1 Final Datasheet Rev. 2.0. Infineon, 2013.
• [4] Infineon: 1EDI EiceDRIVER™ Enhanced Single JFET Driver IC Preliminary Datasheet Rev. 1.2. Infineon, 2013

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.