Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym

• Autorzy: Brzozowski A. , Sarnecki J. , Lipiński D. , Wodzińska H.

Warianty tytułu

EN

High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.

EN

Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.

Słowa kluczowe

PL

rezystywność; oporność rozpływu; krzem monokrystaliczny; warstwa epitaksjalna

EN

resistivity; spreading resistance; monocrystalline silicon; epitaxial layer

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2013
• Tom: T. 41, nr 4
• Strony: 20--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Brzozowski A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Sarnecki J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Lipiński D.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Wodzińska H.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Mazur R. G., Dickey D. H.: Spreading resistance technique for resistivity measurements on silicon, J. Electrochem. Soc., 1966, 113, 255 - 259
• [2] Morris B. L.: Some device applications of spreading resistance measurements on epitaxial silicon, J. Electrochem. Soc., 1974, 121, 422 - 426
• [3] Standard Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers Using s Spreading Resistance Probe, Annual Book of ASTM Standards, 1996, vol 10.05
• [4] Standard Test Method for Measuring Resistivity Profiles Perpendicular to the Surface of a Silicon Wafer Using a Spreading Resistance Probe, Annual Book of ASTM Standards, 1996, vol 10.05
• [5] Calvo D., De Remigis P., Osmic F., Riedler F., Stefanini G., Wheadon R.: Thinned epitaxial silicon hybrid pixel sensors for PANDA experiment, Nucl. Inst. & Meth. in Phys. Res. A, 2008, 594, 29 - 32
• [6] Kaska K., Moll M., Fahrer M., Study on 150 μm thick nand p- type epitaxial silicon sensors irradiated with 24 GeV/c protons and 1 MeV neutrons, Nucl. Inst. & Meth. in Phys. Res. A, 2010, 612, 482 - 487
• [7] Khomenkov V., Bisello D., Bruzzi M., Candelori A., Litovchenko A., Piemonte C., Rando R., Ravotti F., Zorzi N.: Irradiation effects on thin epitaxial silicon detectors, Nucl. Inst. & Meth. in Phys. Res. A, 2006, 568, 61 - 66
• [8] Lindström G., Fretwurst E., Hönniger F., Kramberger G., Möller-Ivens M., Pintilie I., Schramm A., Radiation tolerance of epitaxial silicon detectors at very large proton fluences, Nucl. Inst. & Meth. in Phys. Res. A, 2006, 556, 451 - 458
• [9] Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Cież M., Grabiec P., Kozłowski R., Kulawik J., Panas A., Sarnecki J., Słysz W., Szmigiel D.. Węgrzecka I., Wielunski M., Witek K., Yakushev A., Zaborowski M.: Design and properties os silicon charged-particle detectors developed at the Institute of Electron Technology (ITE), Proc. of SPIE, vol. 8902 890212
• [10] Węgrzecka I., Panas A., Bar J., Budzyński T., Grabiec P., Kozłowski R., Sarnecki J., Słysz W., Szmigiel D.. Węgrzecki, M. Zaborowski M.: Technology of silicon charged-particle detectors developed at the Institute of Electron Technology (ITE), Proc. of SPIE, vol. 8902 890211
• [11] Standard Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafere With an in-Line Four-Point Probe, Annual Book of ASTM Standards, 1996, vol. 10.05
• [12] Pułtorak J, Sikorski S., Piotrowski T.: Metodyka pomiaru rozkładu rezystywności krzemu poprzez pomiar rezystancji rozpływu. Prace Instytutu Technologii Elektronowej CEMI, 1990, 2, 1 - 11
• [13] Brzozowski A., Oczkiewicz B.: Korekcja profilu rezystywności przy wykorzystaniu metody rezystancji rozpływu, Materiały Elektroniczne, 1987, 2, 37 - 45