Badania falownika napięcia z węglikowo – krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych

• Autorzy: Zdanowski M. , Rabkowski J. , Patoka M. , Barlik R.

Warianty tytułu

EN

Research of Voltage Source Inverter with mixed Silicon Carbide JFET transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono problematykę strat mocy w elementach półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) w zastosowaniu do jednofazowego falownika napięcia, charakteryzującego się wysoką sprawnością energetyczną. Na podstawie danych katalogowych poszczególnych przyrządów półprzewodnikowych (SiC JFET, SiC BJT i SiC MOSFET) w sposób analityczny wyznaczono straty mocy. Wyniki obliczeń porównano z wynikami badań modelu laboratoryjnego jednofazowego falownika o mocy S = 2 kVA.

EN

In this work the problem of the power losses in the semiconductor elements made with silicon carbide (SiC) as applicable to high efficiency single-phase voltage source inverter was presented. Based on data from manufacturers regarding switching energy losses for individual semiconductor devices (SiC JFET, BJT and SiC MOSFET), analytical power loss calculations in leg configuration were determined. The calculations were compared with a measured results obtained from laboratory model single-phase full bridge inverter with rated power S = 2kVA.

Słowa kluczowe

PL

jednofazowy falownik napięcia; węglik krzemu; tranzystor; strata mocy; zaburzenia elektromagnetyczne

EN

one phase inverter; silicon carbide; transistor; power losses; efficiancy; electromagnetic interference

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2013
• Tom: R. 89, nr 10
• Strony: 159--163
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zdanowski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej

autor

Rabkowski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej

autor

Patoka M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Maszyn Elektrycznych

autor

Barlik R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej

Bibliografia

• [1] Zdanowski M., Rąbkowski J., Barlik R., Analiza porównawcza strat mocy w trójfazowych falownikach PWM z elementami aktywnymi z węglika krzemu. Przegląd Elektrotechniczny, 87(2011), nr 10, 101-105
• [2] Friedrichs P., Silicon Carbide Power semiconductors – New opportunities for high efficiency. 3rd IEEE Conf. On Industrial Electronics and Applications ICIEA 2008, Singapore, 1770-1774
• [3] Rąbkowski J., Zdanowski M., Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET. Elektronika, (2010), nr 2, 23-28
• [4] Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R., Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) – przegląd rozwiązań. Przegląd Elektrotechniczny, 88(2012), nr 4b, 187-192
• [5] Bierhoff M.H., Fuchs F.W., Semiconductor Losses in Voltage Source and Current Source IGBT Converters Based on Analytical Derivation. IEEE Power Electronics Specialists Conference, PESC 2004, Aachen, 2836-2842
• [6] Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R., Concept of the Bridge Leg with Mixed Normally-ON & Normally-OFF SiC JFETs, 8th Conf. on Compatibility in Power Electronics, Ljubliana, 2013, 286-291
• [7] www.semisouth.com (2012)
• [8] www.cree.com (2012)
• [9] www.fairchildsemi.com (2012)
• [10] Norma PN-EN-55016-1-1:2010. Wymagania dotyczące aparatury pomiarowej i metod pomiaru zaburzeń radioelektrycznych oraz odporności na zaburzenia. Część 1-1: Aparatura do pomiaru zaburzeń radioelektrycznych i odporności – Aparatura pomiarowa.