Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

• Autorzy: Swadowski M. , Zygoń K. , Jąderko A.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.01.50

Warianty tytułu

EN

Low-voltage synchronous rectifier with modern transistors GaN

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania prostownika synchronicznego w rezonansowym zasilaczu impulsowym. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET oraz diod Schottky’ego. Zredukowano straty wynikające z przewodzenia oraz straty przełączeniowe.

EN

Modern transistors made with gallium nitride in the application of synchronous rectifier in resonant switching mode power supply are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs and Schottky diodes are shown. Conduction and switching power losses are significantly reduced.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory GaN; azotek galu; straty przełączeniowe; prostownik synchroniczny

EN

GaN FET; gallium nitride; switching power losses; synchronous rectifier

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 1
• Strony: 205--208
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Swadowski M.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

autor

Zygoń K.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

autor

Jąderko A.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa

Bibliografia

• [1] Y. Wu, M. Jacob-Mitos, M. L. Moore, and S. Heikman: A 97.8% efficient GaN HEMT boost converter with 300-W output power at 1 MHz, IEEE Electron Device Lett, Vol. 29, No. 8, pp. 824-826, Aug. 2008
• [2] J. Yang: Efficiency improvement with GaN-based SSFET as synchronous rectifier in PFC boost converter, in Proc. PCIM Europe, pp. 1-6, May 2014.
• [3] A. Lidow, J. Strydom, M. de Rooij, D. Reusch: GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 2nd Edition, Wiley, ISBN: 978-1-118-84476-2, Sept. 2014
• [4] U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y.-F. Wu.: GaN-based RF power devices and amplifiers, Proc. IEEE, Vol. 96, No. 2, pp. 287-305, Feb. 2008.
• [5] Kang I. Electrical characteristics of enhancement-mode nchannel vertical GaN MOSFETs and the effects of sidewall slope,” J. Electr. Eng. Tech. 10 (3) 1131 - 1137
• [6] Jąderko A., Swadowski M., Zygoń K.: Optymalizacja nowoczesnych zasilaczy impulsowych, (2015), Przegląd Elektrotechniczny 1/2015, ss. 152-155

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).