Some electrical properties of thin layers of 9,10-dimethylanthracene and 1-acenaphthenol

• Autorzy: Kania S. , Kuliński J. , Marciniak B. , Różycka-Sokołowska E

Warianty tytułu

PL

Pewne własności elektryczne cienkich warstw 9,10-dimetyloantracenu i 1-acenaftolu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Spectral grade materials obtained in zone-melting process from commercially available 1-acenaphthenol and 9,10-dimethyl-anthracene were characterized electrically. The layers vaporized in 10^-5 Torr vacuum posses high resistivity of the order of 10¹¹ - 10¹² Ωm and the concentration of traps lower than 10¹⁵cm^-3.

PL

Zbadano własności elektryczne materiałów o czystości spektralnej uzyskanych metodą dodatkowego oczyszczania strefowego komercyjnie dostępnych 1-acenaftolu i 9,10-dimetyloantracenu. Warstwy wymienionych związków, naparowywane w próżni 10^-5 Tr, wykazywały wysoką oporność właściwą w granicach 10¹¹ - 10 ¹² Ωm i charakteryzowały się bardzo niską zawartością pułapek rzędu 10¹¹ - 10 ¹⁴ cm^-3. Wyniki świadczą o stabilności molekuł badanych materiałów w warunkach naparowywania termicznego w próżni 10^-5 Tr oraz o ich zdolności do łatwej nukleacji na złotych elektrodach. Warstwy wykazują stabilność rezystancji aż do wartości pola polaryzacji 2 · 10⁷ V/m.

Słowa kluczowe

EN

1-acenaphthenol; 9,10-dimethylanthracene; conductivity; electrical characterization

PL

1-acenaftol; 9,10-dimetyloantracen; przewodnictwo; charakterstyka elektryczna

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 34
• Strony: 35--42
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz.

Twórcy

autor

Kania S.

• Institute of Physics, Lodz University of Technology, ul. Wólczańska 219, 90-924, Łódź, Poland
• Centre of Mathematics and Physics, Lodz University of Technology, Al. Politechniki 11, 90-924 Łódź, Poland

autor

Kuliński J.

• Centre of Mathematics and Physics, Lodz University of Technology, Al. Politechniki 11, 90-924 Łódź, Poland

autor

Marciniak B.

• The Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Jan Długosz University in Częstochowa, Al. Armii Krajowej 13/15, 42-218 Częstochowa, Poland

autor

Różycka-Sokołowska E

• The Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Jan Długosz University in Częstochowa, Al. Armii Krajowej 13/15, 42-218 Częstochowa, Poland

Bibliografia

• [1] Marciniak B., Różycka-Sokołowska E., Pawliuk W., Proc. SPIE, 4413, International Conference on Solid State Crystals 2000: Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology, 419.
• [2] Marciniak B., Różycka-Sokołowska E., Balińska A., Pawliuk W., Proc. SPIE, 4413, International Conference on Solid State Crystals 2000: Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology, 408.
• [3] Marciniak B., Dziwiński E., Proc. SPIE, 4413, International Conference on Solid State Crystals 2000: Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology, 413.
• [4] Marciniak B., Journal of Crystal Growth 241 (2002) 206.
• [5] Kotula I., Marciniak B., Journal of Chem & Eng. Data, 46 (2001) 783.
• [6] Probst K.-H., Karl N., Phys. Stat. Sol. A, 27 (1975) 499.
• [7] Pope M., Swenberg C.E., Electronic Processes in Organic Crystals, Clarendon Press, Oxford, 1982.
• [8] Bodzioch A., Marciniak B., Różycka-Sokołowska E., Jeszka J.K., Uznański P., Kania S., Kuliński J., Bałczewski P., Chem.-A Eur. J., 18 (2012) 4866.