Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych

• Autorzy: Wróbel Jarosław , Odrzywolski Sebastian , Złotnik Sebastian , Boguski Jacek , Liszewska Malwina , Budner Bogusław , Jankiewicz Bartłomiej , Matuszelański Kacper

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2022.01.27

Warianty tytułu

EN

Investigation of homogeneity of InAs thin layers obtained by molecular beam epitaxy technique

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niniejsza praca porusza zagadnienie charakteryzacji warstw epitaksjalnych arsenku indu (InAs) pod kątem jednorodności przestrzennej. Badania przeprowadzone w pracy zostały oparte na trzech metodach charakteryzacji: wysokorozdzielczej mikroskopii optycznej, mikroskopii sił atomowych i spektroskopii Ramana. Obiektem badań były warstwy epitaksjalne InAs na podłożach arsenku galu (GaAs), które zostały wytworzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

EN

This thesis deals with the characterization of epitaxial layers of indium arsenide (InAs) in terms of spatial homogeneity. The research conducted in the paper was based on three characterization methods: high-resolution optical microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The subject of the research were epitaxial layers of InAs on gallium arsenide (GaAs) substrates, which were produced by the method of molecular beam epitaxy (MBE).

Słowa kluczowe

PL

InAs; jednorodność; charakteryzacja cienkich warstw; MBE

EN

InAs; homogeneity; thin layer characterization; MBE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2022
• Tom: R. 98, nr 1
• Strony: 135--138
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys.

Twórcy

autor

Wróbel Jarosław

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0002-6385-3399

autor

Odrzywolski Sebastian

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0003-3035-3440

autor

Złotnik Sebastian

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0003-3891-5209

autor

Boguski Jacek

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

autor

Liszewska Malwina

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0001-5102-641X

autor

Budner Bogusław

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0002-9395-6073

autor

Jankiewicz Bartłomiej

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa

• https://orcid.org/0000-0002-1172-8764

autor

Matuszelański Kacper

• https://orcid.org/0000-0002-6501-5073

Bibliografia

• [1] Piskorski, L. and Sarzala, R.P., (2016) Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the midinfrared lasers. Optica Applicata. 46(2): p. 227-240.
• [2] Obaid, S. and Lu, L.Y., (2019) Highly Efficient Microscale Gallium Arsenide Solar Cell Arrays as optogenetic Power Options. Ieee Photonics Journal. 11(1).
• [3] Lee, S., Winslow, M., Grein, C.H., Kodati, S.H., Jones, A.H., Fink, D.R., Das, P., Hayat, M.M., Ronningen, T.J., Campbell, J.C., and Krishna, S., (2020) Engineering of impact ionization characteristics in In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As superlattice avalanche photodiodes on InP substrate. Scientific Reports. 10(1).
• [4] Rogalski, A., Kopytko, M., and Martyniuk, P., (2018) Antimonide-based Infrared Detectors: A New Perspective. Vol. PM280. SPIE.
• [5] Rogalski, A., (2019) Infrared and Terahertz Detectors, Third Edition. 3rd ed., Boca Raton: CRC Press.
• [6] Li, W.C., Lin, Y.T., Jeng, J.J., and Chang, C.L., (2014) Deposition uniformity inspection in IC wafer surface. Journal of Physics: Conference Series. 483: p. 012022.
• [7] Kim, J., Seo, O., Kumara, L.S.R., Nabatame, T., Koide, Y., and Sakata, O., (2021) Highly-crystalline 6 inch free-standing GaN observed using X-ray diffraction topography. Crystengcomm. 23(7): p. 1628-1633.
• [8] Nguyen, B.M., Chen, G.X., Hoang, M.A., and Razeghi, M., (2011) Growth and Characterization of Long-Wavelength Infrared Type-II Superlattice Photodiodes on a 3-in GaSb Wafer. Ieee Journal of Quantum Electronics. 47(5): p. 686-690.
• [9] Szabo, Z., Baji, Z., Basa, P., Czigany, Z., Barsony, I., Wang, H.Y., and Volk, J., (2016) Homogeneous transparent conductive ZnO:Ga by ALD for large LED wafers. Applied Surface Science. 379: p. 304-308.
• [10] Gurcan, K., Bertuch, A., and Steeples, K., (2007) Real-Time, High Resolution, Dynamic Surface Charge Wafer Mapping for Advanced Ion Implant Process Control. AIP Conference Proceedings. 931(1): p. 111-115.
• [11] Ghim, Y.-S., Suratkar, A., and Davies, A., (2010) Reflectometry-based wavelength scanning interferometry for thickness measurements of very thin wafers. Optics Express. 18(7): p. 6522-6529.
• [12] Dyksik, M., Motyka, M., Sek, G., Misiewicz, J., Dallner, M., Weih, R., Kamp, M., and Hofling, S., (2015) Submonolayer Uniformity of Type II InAs/GaInSb W-shaped Quantum Wells Probed by Full-Wafer Photoluminescence Mapping in the Midinfrared Spectral Range. Nanoscale Research Letters. 10.
• [13] Patten, E.A., Goetz, P.M., Vilela, M.F., Olsson, K., Lofgreen, D.D., Vodicka, J.G., and Johnson, S.M., (2010) High- Performance MWIR/LWIR Dual-Band 640 × 480 HgCdTe/Si FPAs. Journal of Electronic Materials. 39(10): p. 2215-2219.
• [14] Wróbel, J., Grodecki, K., Benyahia, D., Murawski, K., Michalczewski, K., Grzonka, J., Boguski, J., Gorczyca, K., Umana-Membreno, G.A., Kubiszyn, Ł., Kębłowski, A., Michałowski, P.P., Gomółka, E., Martyniuk, P., Piotrowski, J., Rogalski, A. (2018), Structural and optical characterization of the high quality Be-doped InAs epitaxial layer grown on GaAs substrate., Proceeedings of SPIE, 108300S, doi:10.1117/12.2503624.
• [15] Szybowicz, M., Dychalska, A. (2016), Charakteryzacja struktur grafenowych na podłożach stałych metodami spektroskopowymi. LAB Lab. Apar. Badania 21, 20–27.