Zastosowanie zogniskowanej wiązki jonów (FIB) do tworzenia, modyfikacji i charakteryzacji struktur elektronicznych i fotonicznych

• Autorzy: Płuska M. , Łaszcz A. , Ratajczak J. , Wzorek M. , Czerwiński A.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.8.10

Warianty tytułu

EN

The use of focused ion beam (FIB) to create, modify and characterize electronic and photonic structures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zogniskowana wiązka jonów (Focused Ion Beam - FIB) stanowi uniwersalne narzędzie tworzenia, modyfikacji i badania mikro- i nanostruktur elektronicznych i fotonicznych. umożliwia trawienie wzorów oraz nanoszenie warstw metalicznych i dielektrycznych z bardzo wysoką rozdzielczością przestrzenną. Wiązka jonowa może służyć do unikalnego obrazowania preparatów niemożliwego w skaningowej mikroskopii elektronowej. Przedstawiono wyniki własnych badań, w których dobranie parametrów prądu wiązki i przebiegu skanowania pozwoliło na unikalne wykorzystanie możliwości oferowanych przez FIB, w tym rozdzielczości trawienia i depozycji rzędu 10 nm. udokumentowano je przykładowymi zastosowaniami zaawansowanych technik FIB.

EN

The Focused Ion Beam (FIB) is a versatile tool for creating, modifying and characterizing electronic and photonic micro- and nanostructures. It enables etching and deposition of patterns with very high spatial resolution. The ion beam can be used for unique imaging of specimens, being impossible with scanning electron microscopy. The results of own research are shown, in which an appropriate control of the ion beam current and the scanning process enabled to accomplish the unique possibilities offered by FIB, including a very high spatial resolution of etching and deposition of the order of 10 nm. Examples of applications of these advanced FIB techniques are presented.

Słowa kluczowe

PL

FIB; technologia półprzewodnikowa; mikroskopia jonowa

EN

FIB; semiconductor technology; ion microscopy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 57, nr 8
• Strony: 64--68
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Płuska M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Łaszcz A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Ratajczak J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Wzorek M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Czerwiński A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] M. Płuska, A. Czerwiński, M. Wzorek, M. Juchniewicz, J. Kątcki: (2015), Identification and Reduction of Acoustic-Noise Influence on Focused Ion Beam (FIB), Nuclear Instruments & Methods in Physics Res. B, Vol. 348, pp.106-110.
• [2] J. J. Vanes, J. Gierak, R. G. Forbes, V. G. Suvorov, T. Van den Berghe, Ph. Dubuisson, I. Monnet, A. Septier: (2004), An improved gallium liquid metal ion source geometry for nanotechnology, Microelectronic Engineering, Vol. 73-74, pp. 132-138.
• [3] S. Reyntjens, R. Puers: (2001), A review of focused ion beam applications in microsystem technology, J. Micromech Microeng, Vol. 11, No 4, pp. 287-300.
• [4] A. Czerwiński, A. Skwarek, M. Płuska, J. Ratajczak, K. Witek: (2013), Whisker Growth in Tin Alloys on Glass-Epoxy Laminate Studied by Energy -Dispersive X-Ray Spectroscopy, Archives of Metallurgy and Materials, Vol. 58, No. 2, pp. 413-417.
• [5] M. Ekielski, M. Juchniewicz, M. Płuska, M. Wzorek, E. Kamińska, A. Piotrowska: (2015), Nanometer Scale Patteming of GaN Using Nanoimprint Lithography and Inductively Coupled Plasma Etching, Microelectronic Engineering, Vol. 133, pp. 129-133.
• [6] A. Czerwiński, M. Płuska, A. Łaszcz, J. Ratajczak, K. Pierściński, D. Pierścińska, P. Gutowski, P. Karbownik, M. Bugajski: (2015), Formation of Coupled-Cavities in Quantum Cascade Lasers Using Focused Ion Beam Milling, Microelectronics Realiability, Vol. 55, No. 9-10, (2015), pp. 2142-2146.
• [7] K. Pierściński, D. Pierścińska, M. Płuska, P. Gutowski, I. Sankowska, P. Karbownik, A. Czerwiński, M. Bugajski: (2015), Room Temperature, Single Mode Emission from Two-Section Coupled Cavity InGaAs/AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Laser, Journal of Applied Physics, Vol. 118, p. 133103.