Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu : pomiary, modelowanie i aplikacje

• Autorzy: Zarębski J. , Bisewski D. , Dąbrowski J. , Górecki K. , Bargieł K. , Patrzyk J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-097

Warianty tytułu

EN

Silicon carbide devices : measurements, modelling and applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.

EN

In this papers, selected results of scientific research performed in the Department of Marine Electronics of Gdynia Maritime University in the field of measurements and modelling of semiconductor devices made of silicon carbide are presented. Some results of analyses and calculations of electronic circuits containing such devises are shown, as well.

Słowa kluczowe

PL

elementy półprzewodnikowe; węglik krzemu; modelowanie

EN

semiconductor devices; silicon carbide; modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 8
• Strony: 22--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab., rys.

Twórcy

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Dąbrowski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Bargieł K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Patrzyk J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] www.microsemi.com.
• [2] www.infineon.com.
• [3] www.pl.farnell.com.
• [4] Bisewski D.: Modelowanie tranzystora MESFET w programie SPICE z uwzględnieniem samonagrzewania. Politechnika Łódzka, Łódź, 2012.
• [5] Dąbrowski J.: Modelowanie diod Schottky’ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych. Politechnika Łódzka, Łódź, 2007.
• [6] Górecki K., Zarębski J.: The influence of diodes and transistors made of silicon and silicon carbide on the nonisothermal characteristics of boost converters. Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, electronic Components and Materials, vol. 42, No. 3, 2012, pp. 176–184.
• [7] K. Górecki, J. Zarębski, Modeling Nonisothermal Characteristics of Switch-Mode Voltage Regulators, IEEE Transactions on Power Electronics, 23 (4), 2008, pp. 1848–1858.
• [8] K. Górecki, Non-linear average electrothermal models of Buck and boost converters for SPICE, Microelectronics Reliability, 49 (4), 2009, pp. 431–437.
• [9] Górecki K., Zarębski J.: The method of a fast electrothermal transient analysis of single-inductance dc-dc converters. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 27, No. 9, 2012, pp. 4005–4012.
• [10] Zubert M. et al.: An accurate elektro-thermal model for Merced SiC Pin Schottky diodes. Microelectronics Journal, 43 (5), 2012, pp. 312–320.
• [11] Starzak Ł. et al.: Behavioral Approach to SiC MPS Diode Electrothermal Model Generation, IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (2), 2013, pp. 1848–1858.